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热词
    • 1. 发明申请
    • MULTI-SENSOR INTEGRATED CHIP
    • 多传感器集成芯片
    • WO2012102735A1
    • 2012-08-02
    • PCT/US2011/023051
    • 2011-01-28
    • HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.HARTWELL, Peter George
    • HARTWELL, Peter George
    • G01D21/02H01L21/00H01L21/265H01L27/12G01N27/00
    • H01L21/266H01L27/1203
    • A method 500 is provided for producing a multi-sensor integrated chip on a substrate. A dopant can be implanted 510 selectively on the substrate 100 using an implant mask to form at least one implanted doped feature for a first sensor or a second sensor. A first conductive layer 112 can be deposited 520 selectively on the substrate 100 to form at least one first conductive feature for the first sensor or the second sensor. A water absorbing dielectric layer 114 can be deposited 530 on the substrate 100 to form at least one insulator feature for the first sensor or the second sensor. A second conductive layer 116 can be deposited 540 selectively on the substrate 100 to form at least one second conductive feature for the first sensor or the second sensor.
    • 提供了一种在基板上制造多传感器集成芯片的方法500。 可以使用注入掩模在衬底100上选择性地注入掺杂剂510,以形成用于第一传感器或第二传感器的至少一个注入的掺杂特征。 可以将第一导电层112选择性地沉积在衬底100上,以形成用于第一传感器或第二传感器的至少一个第一导电特征。 吸水介电层114可沉积在衬底100上,以形成用于第一传感器或第二传感器的至少一个绝缘体特征。 可以在衬底100上选择性地沉积第二导电层116,以形成用于第一传感器或第二传感器的至少一个第二导电特征。