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1. 发明授权

US4821315A Electronic contacts and associated devices 失效
标题翻译：电子联系人和相关设备
公开(公告)号：US4821315A
公开(公告)日：1989-04-11
申请号：US732789
申请日：1985-05-06
申请人： Guido P. T. C. Remmerie , Luc J. L. Van den Bossche
发明人： Guido P. T. C. Remmerie , Luc J. L. Van den Bossche
IPC分类号： H02H9/02 , H03K17/08 , H03K17/56 , H03K17/687 , H03K17/73 , H04M3/00 , H04M19/02 , H04B3/00 , H03K17/00
CPC分类号： H03K17/6872 , H03K17/6874 , H03K17/73 , H04M19/02 , H04M3/005
摘要： High voltage electronic contacts (S, S') and associated devices including TRIMOS (MOS TRIacs) devices connected in anti-parallel fashion between two terminals (S.sub.1 /S'.sub.2, S.sub.2 /S'.sub.1). Each electronic contact (S, S') is controlled via a control terminal (S.sub.4) by two auxiliary electronic contacts (NA, NB) each able to establish a low or high impedance between the control terminal (S.sub.4) and one of the two other terminals (S.sub.1 /S'.sub.2, S.sub.2 /S'.sub.1), the impedance conditions of these auxiliary contacts (NA, NB) being opposed. A power protection circuit associated to the TRIMOS device allows the flow of a relatively high current through the electronic contacts (S, S') for the lower voltage range across it, and minimizes the power dissipation in the contacts in the higher voltage range, i.e. when abnormally high signals are applied to the contact.
摘要翻译： PCT No.PCT / EP84 / 00282 Sec。 371日期1985年5月6日 102（e）日期1985年5月6日PCT提交1984年9月13日PCT公布。出版物WO85 / 01404 日期：1985年3月28日。高电压电子触点（S，S'）和包括在两个端子（S1 / S'2，S2 / S'1）之间以并行方式连接的TRIMOS（MOS TRIAC）器件的相关器件。每个电子触点（S，S'）通过控制端子（S4）由两个辅助电子触点（NA，NB）控制，每个辅助电子触点（NA，NB）能够在控制端子（S4）和另外两个之间建立低阻抗或高阻抗端子（S1 / S'2，S2 / S'1），这些辅助触点（NA，NB）的阻抗条件相反。与TRIMOS器件相关的电源保护电路允许通过电子触点（S，S'）相对较高的电流流过跨越其的较低电压范围，并使接触件在较高电压范围内的功耗最小化，即当异常高的信号被施加到触点。

2. 发明授权

US4779125A Semiconductor device and arrangement 失效
标题翻译：半导体器件和布置
公开(公告)号：US4779125A
公开(公告)日：1988-10-18
申请号：US819089
申请日：1986-01-02
申请人： Guido P. T. C. Remmerie , Luc J. L. Van Den Bossche , Daniel F. J. Van De Pol
发明人： Guido P. T. C. Remmerie , Luc J. L. Van Den Bossche , Daniel F. J. Van De Pol
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/745 , H01L29/747 , H01L29/749 , H01L29/08 , H01L29/743
CPC分类号： H01L29/7455 , H01L29/747 , H01L29/749
摘要： The semiconductor device and arrangement include a thyristor switch (T1-T3) with associated turn-on (DM) and turn-off (PM1, PM2) devices. The thy=ristor switch includes a PNP transistor (T1) and one or two NPN transistors (T2, T3) each of which has an emitter constituted by a path of separate regions (115) of N+ material each completely surrounded by P+ material of a zone (110). This path either has a boat shape and partly surrounds and is located at a constant distance of a substantially rectangular zone (109) of P+ material constituting the emitter of the PNP transistor (T1), or has an S-shape and is located at a constant distance of the S-shaped emitter of the PNP transistor (T1).
摘要翻译： PCT No.PCT / EP85 / 00193 Sec。 371日期1986年1月2日第 102（e）日期1986年1月2日PCT提交1985年5月1日PCT公布。公开号WO85 / 05224 日期：1985年11月21日。半导体器件和布置包括具有相关导通（DM）和关断（PM1，PM2）器件的晶闸管开关（T1-T3）。所述晶体管开关包括PNP晶体管（T1）和一个或两个NPN晶体管（T2，T3），每个NPN晶体管具有发射极，由N +材料的分离区域（115）的路径构成，每个区域完全被P +材料包围区域（110）。该路径具有舟状并且部分包围并且位于构成PNP晶体管（T1）的发射极的P +材料的基本矩形区域（109）的恒定距离处，或者具有S形并且位于 PNP晶体管（T1）的S形发射极的恒定距离。

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