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    • Gabriele PelliLorenzo BedaridaSimone BartoliGiorgio Bosisio
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    • G11C7/02
    • G11C16/28
    • A memory system is disclosed. In one embodiment, the memory system includes a first bitline, where the first bitline produces a first transient current. The memory system also includes a sense amplifier coupled to the first bitline. The memory system also includes a second bitline coupled to the sense amplifier, where the second bitline produces a second transient current that is equal to the first transient current. The sense amplifier enables the first and second transient currents to be canceled. According to the system disclosed herein, the state of a memory cell may be determined without being adversely affected by transient currents.
    • 公开了一种存储系统。 在一个实施例中,存储器系统包括第一位线,其中第一位线产生第一瞬态电流。 存储器系统还包括耦合到第一位线的读出放大器。 存储器系统还包括耦合到读出放大器的第二位线,其中第二位线产生等于第一瞬态电流的第二瞬态电流。 读出放大器能够消除第一和第二瞬态电流。 根据本文公开的系统,可以确定存储器单元的状态而不受瞬态电流的不利影响。