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1. 发明申请

WO2010106116A1 NEURAL NETWORK CIRCUIT COMPRISING NANOSCALE SYNAPSES AND CMOS NEURONS 审中-公开
标题翻译：包含纳米晶体和神经网络的神经网络电路
公开(公告)号：WO2010106116A1
公开(公告)日：2010-09-23
申请号：PCT/EP2010/053484
申请日：2010-03-17
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , ZHAO, Weisheng , GAMRAT, Christian , AGNUS, Guillaume , DERYCKE, Vincent , BOURGOIN, Jean-Philippe
发明人： ZHAO, Weisheng , GAMRAT, Christian , AGNUS, Guillaume , DERYCKE, Vincent , BOURGOIN, Jean-Philippe
IPC分类号： G06N3/063 , H01L51/00
CPC分类号： G06N3/063 , B82Y10/00 , G11C11/54 , H01L27/283 , H01L51/0048
摘要： The invention relates to a neural network circuit comprising nanoscale devices (411-415, 421-425) acting as synapses and CMOS circuits (201, 202) acting as neurons. It finds a particular interest for computing circuits and systems involving complex functions or handling of huge amounts of data. Comparing with the existing proposals, this architecture promises small die area, high speed thanks to massively parallel learning and low power. The nanoscale devices (411-415, 421-425) comprise two terminals and are connected to row conductors (221, 222) and to column conductors (231-235) in a matrix-like fashion. A CMOS circuit (201, 202) is connected at one end of each row conductor (221, 222). An electrical characteristic between the two terminals of each nanoscale device (411-415, 421-425) is able to be modified by a signal applied to the second terminal. The neural network further comprises, for each row conductor (221, 222), means (401, 402) for preventing the electrical characteristics of the nanoscale devices (411-415, 421-425) connected to the considered row conductor (221, 222) from being modified by a signal applied to the second terminal of said nanoscale devices.
摘要翻译：本发明涉及包含充当突触的纳米级器件（411-415,421-425）和充当神经元的CMOS电路（201,202）的神经网络电路。它对于涉及复杂功能或处理大量数据的计算电路和系统感兴趣。与现有建议相比，该架构通过大规模并行学习和低功耗，承受了小模具面积，高速度。纳米级器件（411-415,421-425）包括两个端子，并且以矩阵状的方式连接到行导体（221,222）和列导体（231-235）。 CMOS电路（201,202）在每个行导体（221,222）的一端连接。能够通过施加到第二端子的信号来修改每个纳米级器件（411-415,421-425）的两个端子之间的电特性。所述神经网络还包括：对于每个行导体（221,222），用于防止连接到所考虑的行导体（221,222）的纳米级器件（411-415,421-425）的电特性的装置（401,402））被施加到所述纳米级器件的第二端子的信号修改。

2. 发明申请

WO2013000940A1 RESEAU DE NEURONES ARTIFICIELS A BASE DE DISPOSITIFS MEMRISTIFS COMPLEMENTAIRES 审中-公开
标题翻译：基于补充化学器件的人造神经网络
公开(公告)号：WO2013000940A1
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：PCT/EP2012/062422
申请日：2012-06-27
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , BICHLER, Olivier , DESALVO, Barbara , GAMRAT, Christian , SURI, Manan
发明人： BICHLER, Olivier , DESALVO, Barbara , GAMRAT, Christian , SURI, Manan
IPC分类号： G06N3/063 , G06N3/08
CPC分类号： G06N3/04 , G06N3/063 , G06N3/0635 , G06N3/08 , G11C11/54 , G11C13/0007
摘要： Réseau de neurones comportant une pluralité de neurones artificiels (101,102,103,104,510,530) et une pluralité de synapses artificielles (501) chaque neurone d'entrée (101,102,103,104) étant connecté à chaque neurone de sortie (510,530) par l'intermédiaire d'une synapse artificielle, ledit réseau étant caractérisé en ce que chaque synapse (501) est constituée d'un premier dispositif memristif (511) connecté à une première entrée d'un neurone de sortie (510) et d'un second dispositif memristif (521), monté en opposition dudit premier dispositif (511) et connecté à une seconde entrée, complémentée, dudit neurone de sortie (510) de sorte que ledit neurone de sortie (510) intègre la différence entre les courants provenant des premier (511) et second (521) dispositifs.
摘要翻译：本发明涉及包含多个人造神经元（101,102,103,104,510,530）和多个人造突触（501）的神经元网络，每个入口神经元（101,102,103,104）通过人造突触连接到每个出口神经元（510,530）所述网络的特征在于，每个突触（501）包括连接到出口神经元（510）的第一入口的第一忆阻装置（511）和与所述第一装置（511）相对安装的第二忆阻装置（521）并连接到所述出口神经元（510）的第二补充入口，使得所述出口神经元（510）将来自第一（511）和第二（521）装置的电流之间的差积分起来。

3. 发明申请

WO2013000939A1 MÉTHODE D'APPRENTISSAGE NON SUPERVISÉE DANS UN RÉSEAU DE NEURONES ARTIFICIEL A BASE DE NANO-DISPOSITIFS MEMRISTIFS ET RÉSEAU DE NEURONES ARTIFICIEL METTANT EN OEUVRE LA MÉTHODE 审中-公开
标题翻译：基于物理纳米装置的人造神经网络中非监督学习方法，人工神经网络实现方法
公开(公告)号：WO2013000939A1
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：PCT/EP2012/062420
申请日：2012-06-27
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , BICHLER, Olivier , GAMRAT, Christian , QUERLIOZ, Damien
发明人： BICHLER, Olivier , GAMRAT, Christian , QUERLIOZ, Damien
IPC分类号： G06N3/04 , G06N3/063 , G06N3/08
CPC分类号： G06N3/088 , G06N3/049 , G06N3/063 , G06N3/08
摘要： La présente invention propose une méthode d'apprentissage non supervisée mise en oeuvre dans un réseau de neurones artificiels base de dispositifs memristifs. Elle consiste notamment réaliser une augmentation de la conductance d'une synapse lorsqu'il y a recouvrement temporel entre une impulsion pre-synaptique et une impulsion post-synaptique et diminuer sa conductance à réception dune impulsion post-synaptique lorsqu'il n'y a pas de recouvrement temporel avec une impulsion pre-synaptique.
摘要翻译：本发明涉及一种在基于忆阻器的人造神经网络中实现的非监督学习方法。所述方法基本上包括当在突触前突触和突触前脉冲之间存在时间重叠时增加突触的电导率，并且当不与前期的时间重叠时接收到突触后脉冲时，降低其导电性突触冲动

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