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1. 发明申请

WO2008152281A3 FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CARBON NANOTUBES 审中-公开
标题翻译：具有碳纳米管的场效应晶体管
公开(公告)号：WO2008152281A3
公开(公告)日：2009-02-19
申请号：PCT/FR2008050894
申请日：2008-05-23
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , BOURGOIN JEAN-PHILIPPE , GOFFMAN MARCELO , DERYCKE VINCENT , CHIMOT NICOLAS
发明人： BOURGOIN JEAN-PHILIPPE , GOFFMAN MARCELO , DERYCKE VINCENT , CHIMOT NICOLAS
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： H01L51/0048 , B82Y10/00 , H01L51/0003 , H01L51/0525 , H01L51/0545 , H01L51/0558
摘要： The invention relates to a flexible field-effect transistor with nanotubes, and to a method for making the same. The field-effect transistor of the invention includes at least two respectively drain and source contact electrodes (3, 4, 5), an electric conduction area connected to the contact electrodes, said area including a plurality of substantially aligned single-wall carbon nanotubes (13), a gate electrode (6, 7) for controlling the electric current flowing in said area and a flexible substrate (2) on which the contact and grid electrodes (3, 4, 5, 6, 7) are deposited. The density of the nanotubes in the conduction area is strictly higher than 10 nanotubes per micron.
摘要翻译：本发明涉及具有纳米管的柔性场效应晶体管及其制造方法。本发明的场效应晶体管包括至少两个分别为漏极和源极接触电极（3,4,5），连接到接触电极的导电区域，所述区域包括多个基本对准的单壁碳纳米管（ 13），用于控制在所述区域中流动的电流的栅电极（6,7）和其上沉积有接触栅格电极（3，4，5，6，7）的柔性基板（2）。导电区域中纳米管的密度严格高于每微米10纳米管。

2. 发明申请

WO2007104858A1 DISPOSITIF DE DETECTION/MEMORISATION DE RAYONNEMENTS ELECTROMAGNETIQUES, PROCEDE DE FABRICATION, UTILISATION DE CE DISPOSITIF ET IMAGEUR L'INCORPORANT 审中-公开
标题翻译：用于检测/存储电磁波的装置，制造它们的方法及其使用方法和包含它们的成像器
公开(公告)号：WO2007104858A1
公开(公告)日：2007-09-20
申请号：PCT/FR2007/000432
申请日：2007-03-13
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , BOURGOIN, Jean-Philippe , DERYCKE, Vincent , BORGHETTI, Julien
发明人： BOURGOIN, Jean-Philippe , DERYCKE, Vincent , BORGHETTI, Julien
IPC分类号： H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L29/775
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L27/305 , H01L51/0036 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L51/0562 , H01L51/428 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S977/834 , Y10S977/938 , Y10S977/954
摘要： La présente invention concerne un dispositif de détection et de mémorisation de rayonnements électromagnétiques, un imageur l'incorporant, un procédé pour la fabrication dudit dispositif et une utilisation de ce dernier. Un dispositif (1) selon l'invention, comprenant un phototransistor à effet de champ qui comporte: - deux électrodes de contact de source (S) et de drain (D), - une unité de conduction électrique qui est connectée aux électrodes de contact et qui est recouverte d'une couche polymérique photosensible (3) apte à absorber les: rayonnements, à détecter, a générer en réponse des charges détectées par ladite unité et I à stocker ces charges, et - une électrode de grille (G) qui est adaptée pour contrôler le courant électrique dans l'unité ainsi que la répartition spatiale des charges dans ladite couche et qui est séparée de ladite unité par un diélectrique de grille (4), est tel que l'unité de conduction comporte au moins un nanotube ou nanofil (2) semi-; conducteur apte à fournir un signal électrique représentatif d'une modification de; conductivité du phototransistor ayant été exposé à un rayonnement, et que le diélectrique! de grille présente une épaisseur et une permittivité ε,, qui satisfont à t,le >0,2 nm*1, de sorte que la conductivité après exposition puisse être réinitialisée électriquement en un, temps minimisé et que ledit dispositif forme au moins un pixel d'imagerie.
摘要翻译：本发明涉及一种用于检测和存储电磁波束的装置，一种包含其的成像器件，一种制造该装置的方法及其用途。本发明的器件（1）包括场效应晶体管，其包括：两个源极（S）和漏极（D）接触电极;导电单元，其连接到两个接触电极并且涂覆有光敏聚合物涂层），能够响应地检测由所述单元检测到的负载和存储所述负载的检测，以及能够控制该单元中的电流以及空间分布的栅电极（G）所述涂层中的载荷与所述单元由栅极电介质（4）分离。所述器件被配置为使得导电单元包括至少一个半导体纳米管或纳米线（2），其能够提供表示已经暴露于光束的光电晶体管的导电性的变化的电信号，并且栅极电介质的厚度和电容率e，其满足e 0.2nm * 1，使得曝光后的电导率可以在减少的时间内电复位，并且该器件形成至少一个成像像素。

3. 发明申请

WO2010106116A1 NEURAL NETWORK CIRCUIT COMPRISING NANOSCALE SYNAPSES AND CMOS NEURONS 审中-公开
标题翻译：包含纳米晶体和神经网络的神经网络电路
公开(公告)号：WO2010106116A1
公开(公告)日：2010-09-23
申请号：PCT/EP2010/053484
申请日：2010-03-17
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , ZHAO, Weisheng , GAMRAT, Christian , AGNUS, Guillaume , DERYCKE, Vincent , BOURGOIN, Jean-Philippe
发明人： ZHAO, Weisheng , GAMRAT, Christian , AGNUS, Guillaume , DERYCKE, Vincent , BOURGOIN, Jean-Philippe
IPC分类号： G06N3/063 , H01L51/00
CPC分类号： G06N3/063 , B82Y10/00 , G11C11/54 , H01L27/283 , H01L51/0048
摘要： The invention relates to a neural network circuit comprising nanoscale devices (411-415, 421-425) acting as synapses and CMOS circuits (201, 202) acting as neurons. It finds a particular interest for computing circuits and systems involving complex functions or handling of huge amounts of data. Comparing with the existing proposals, this architecture promises small die area, high speed thanks to massively parallel learning and low power. The nanoscale devices (411-415, 421-425) comprise two terminals and are connected to row conductors (221, 222) and to column conductors (231-235) in a matrix-like fashion. A CMOS circuit (201, 202) is connected at one end of each row conductor (221, 222). An electrical characteristic between the two terminals of each nanoscale device (411-415, 421-425) is able to be modified by a signal applied to the second terminal. The neural network further comprises, for each row conductor (221, 222), means (401, 402) for preventing the electrical characteristics of the nanoscale devices (411-415, 421-425) connected to the considered row conductor (221, 222) from being modified by a signal applied to the second terminal of said nanoscale devices.
摘要翻译：本发明涉及包含充当突触的纳米级器件（411-415,421-425）和充当神经元的CMOS电路（201,202）的神经网络电路。它对于涉及复杂功能或处理大量数据的计算电路和系统感兴趣。与现有建议相比，该架构通过大规模并行学习和低功耗，承受了小模具面积，高速度。纳米级器件（411-415,421-425）包括两个端子，并且以矩阵状的方式连接到行导体（221,222）和列导体（231-235）。 CMOS电路（201,202）在每个行导体（221,222）的一端连接。能够通过施加到第二端子的信号来修改每个纳米级器件（411-415,421-425）的两个端子之间的电特性。所述神经网络还包括：对于每个行导体（221,222），用于防止连接到所考虑的行导体（221,222）的纳米级器件（411-415,421-425）的电特性的装置（401,402））被施加到所述纳米级器件的第二端子的信号修改。

4. 发明申请

WO2004050967A1 LINKAGE OF NANOMORPHIC CARBON TO A NUCLEIC ACID 审中-公开
标题翻译：纳米碳与核酸的连接
公开(公告)号：WO2004050967A1
公开(公告)日：2004-06-17
申请号：PCT/EP2003/050906
申请日：2003-11-27
申请人： MOTOROLA INC , GOUX CAPES, Laurence , FILORAMO, Arianna , BOURGOIN, Jean Philippe
发明人： GOUX CAPES, Laurence , FILORAMO, Arianna , BOURGOIN, Jean Philippe
IPC分类号： D01F11/14
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , D01F11/14
摘要： An exemplary method for substantially non-covalent linkage of nanomorphic carbon species (200) to a nucleic acid such as DNA (120) comprises inter alia the steps of providing a strand of nucleic acid (120), functionalizing the nucleic acid strand (120) with a first biomolecule (110), reacting the functionalized nucleic acid (110, 120) with a second biomolecule (100) and coupling a nanomorphic carbon species (200) to the nucleic acid complex (100, 110, 120). Disclosed features and specifications may be variously adapted or otherwise optionally modified to control or otherwise improve the deposition and/or orientation of nanomorphic carbon molecules with respect to any surface or substrate. An exemplary embodiment of the present invention representatively provides for non-covalent linkage of carbon nanotubes to DNA via a biotin-streptavidin complex.
摘要翻译：使纳米态碳物质（200）与核酸如DNA（120）的基本上非共价连接的示例性方法尤其包括提供核酸链（120）的步骤，使核酸链（120）官能化，与第一生物分子（110）反应，使官能化核酸（110,120）与第二生物分子（100）反应并将纳米形碳物质（200）偶联至核酸复合物（100,110,120）。公开的特征和规格可以被不同地适应或以其他方式任意地修改以控制或改善纳米形碳分子相对于任何表面或底物的沉积和/或取向。本发明的示例性实施方案代表性地通过生物素 - 链霉抗生物素蛋白复合物提供碳纳米管与DNA的非共价连接。

5. 发明申请

WO02070148B1 METHOD FOR MASK-FREE LOCALISED ORGANIC GRAFTING ON CONDUCTIVE OR SEMICONDUCTIVE PORTIONS OF COMPOSITE SURFACES 审中-公开
标题翻译：复合表面导电或半导体无掩模有机接枝方法
公开(公告)号：WO02070148B1
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：PCT/FR0200726
申请日：2002-02-28
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , BUREAU CHRISTOPHE , PALACIN SERGE , BOURGOIN JEAN-PHILIPPE , AMEUR SAMI , CHARLIER JULIENNE
发明人： BUREAU CHRISTOPHE , PALACIN SERGE , BOURGOIN JEAN-PHILIPPE , AMEUR SAMI , CHARLIER JULIENNE
IPC分类号： B05D3/14 , B05D1/00 , B05D1/18 , B05D5/12 , C09D5/44 , C23C26/00
CPC分类号： C09D5/4476 , B05D1/007 , B05D1/18
摘要： The invention concerns a mask-free localised grafting of organic molecules capable of being electrically activated, on a composite surface comprising conductive and/or semiconductive portions, by contacting said organic molecules with said composite surface, whereby the grafting is carried out electrochemically in one single step on specific selected zones of said conductive and/or semiconductive portions, said zones being brought to a potential not less than an electric potential threshold determined relative to a reference electrode, said electric potential threshold being the potential beyond which the grafting of said organic molecules occurs.
摘要翻译：本发明涉及通过使所述有机分子与所述复合材料表面接触而在包含导电和/或半导体部分的复合材料表面上进行无电解局部接枝的能够电活化的有机分子，由此接枝在一个单一的电化学中进行在所述导电和/或半导体部分的特定选定区域上步进，所述区域具有不小于相对于参考电极确定的电势阈值的电位，所述电势阈值是所述有机分子的接枝发生。

6. 发明申请

WO2002070148A1 PROCEDE DE GREFFAGE ORGANIQUE LOCALISE SANS MASQUE SUR DES PORTIONS CONDUCTRICES OU SEMICONDUCTRICES DE SURFACES COMPOSITES 审中-公开
标题翻译：复合表面导电或半导体无掩模有机接枝方法
公开(公告)号：WO2002070148A1
公开(公告)日：2002-09-12
申请号：PCT/FR2002/000726
申请日：2002-02-28
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , BUREAU, Christophe , PALACIN, Serge , BOURGOIN, Jean-Philippe , AMEUR, Sami , CHARLIER, Julienne
发明人： BUREAU, Christophe , PALACIN, Serge , BOURGOIN, Jean-Philippe , AMEUR, Sami , CHARLIER, Julienne
IPC分类号： B05D1/18
CPC分类号： C09D5/4476 , B05D1/007 , B05D1/18
摘要： Procédé de greffage localisé sans masque de molécules organiques susceptibles d'être électriquement activées, sur une surface composite comprenant des portions conductrices et/ou semi-conductrices, par mise en contact desdites molécules organiques avec ladite surface composite, dans lequel ledit greffage est réalisé électrochimiquement en une seule étape sur des zones choisies, définies, desdites portions conductrices et/ou semi-conductrices, lesdites zones étant portées à un potentiel supérieur ou égal à un potentiel électrique seuil déterminé par rapport à une électrode de référence, ledit potentiel électrique seuil étant le potentiel au-delà duquel se produit le greffage desdites molécules organiques.
摘要翻译：本发明涉及通过使所述有机分子与所述复合材料表面接触而在包含导电和/或半导体部分的复合材料表面上进行无电解局部接枝的能够电活化的有机分子，由此接枝在一个单一的电化学中进行在所述导电和/或半导体部分的特定选定区域上步进，所述区域具有不小于相对于参考电极确定的电势阈值的电位，所述电势阈值是所述有机分子的接枝发生。

7. 发明申请

WO2010072924A1 DISPOSITIF POUR LA CARACTERISATION DE COMPOSANTS ELECTRIQUES OU ELECTRONIQUES 审中-公开
标题翻译：用于表征电子或电子元件的装置
公开(公告)号：WO2010072924A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/FR2009/001472
申请日：2009-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , UNIVERSITE DE LILLE 1 SCIENCES ET TECHNOLOGIES , BOURGOIN, Jean-Philippe , DERYCKE, Vincent , NOUGARET, Laurianne , DAMBRINE, Gilles , HAPPY, Henri
发明人： BOURGOIN, Jean-Philippe , DERYCKE, Vincent , NOUGARET, Laurianne , DAMBRINE, Gilles , HAPPY, Henri
IPC分类号： G01R27/28
CPC分类号： G01R27/28 , G01R35/005
摘要： Dispositif intégré (PM) pour la caractérisation de composants électriques ou électroniques (DUT), en particulier nanométriques, comportant un substrat (S) sensiblement isolant sur lequel sont déposés quatre plots conducteurs (P 1 , P 2 , P 3 , P 4 ), au moins trois pistes résistives (R 1 , R 3 , R 4 ) reliant lesdits plots entre eux et une ligne de transmission (CPW) comportant un conducteur de signal (C C ) et au moins un conducteur de masse (C L1 , C L2 ), dans lequel : lesdites pistes résistives sont agencées pour relier un premier plot conducteur à un deuxième et à un quatrième plot, et ledit quatrième plot à un troisième plot; le conducteur de signal de la ligne de transmission est relié audit premier plot conducteur; et le conducteur de masse de la ligne de transmission est relié audit troisième plot.
摘要翻译：本发明涉及一种用于表征电子或电子部件（DUT），特别是纳米电子元件（DUT）的集成器件（PM），其包括基本绝缘的衬底（S），四个导电焊盘（P1，P2，P3，P4）将所述焊盘连接在一起的至少三个电阻焊盘（R1，R3，R4）和包括信号导体（CC）和至少一个接地导体（CL1，CL2）的传输线（CPW），其中：所述电阻焊盘被布置以将第一导电焊盘连接到第二和第四导电焊盘，并将所述第四导电焊盘连接到第三导电焊盘; 传输线的信号导体连接到第一导电焊盘; 并且传输线的接地导体连接到第三焊盘。

8. 发明申请

WO2008152281A2 TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A NANOTUBES DE CARBONE 审中-公开
标题翻译：具有碳纳米管的场效应晶体管
公开(公告)号：WO2008152281A2
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：PCT/FR2008/050894
申请日：2008-05-23
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , BOURGOIN, Jean-Philippe , GOFFMAN, Marcelo , DERYCKE, Vincent , CHIMOT, Nicolas
发明人： BOURGOIN, Jean-Philippe , GOFFMAN, Marcelo , DERYCKE, Vincent , CHIMOT, Nicolas
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/30 , H01L29/772 , H01L21/335 , H01L21/8232 , B82B1/00
CPC分类号： H01L51/0048 , B82Y10/00 , H01L51/0003 , H01L51/0525 , H01L51/0545 , H01L51/0558
摘要： La présente invention concerne un transistor à effet de champ flexible à base de nanotubes et son procédé de fabrication. Le transistor (1 ) à effet de champ selon l'invention comporte au moins deux électrodes (3, 4, 5) de contact respectivement de drain et de source, une zone de conduction électrique connectée aux électrodes de contact, ladite zone comportant une pluralité de nanotubes de carbone mono-paroi (13) sensiblement alignés, une électrode de grille (6, 7) pour le contrôle du courant électrique circulant dans ladite zone et un substrat flexible (2) sur lequel sont déposées les électrodes de contact et de grille (3, 4, 5, 6, 7). La densité de nanotubes dans la zone de conduction est strictement supérieure à 10 nanotubes par micron.
摘要翻译：本发明涉及具有纳米管的柔性场效应晶体管及其制造方法。本发明的场效应晶体管包括至少两个分别为漏极和源极接触电极（3,4,5），连接到接触电极的导电区域，所述区域包括多个基本排列的单壁碳纳米管（ 13），用于控制在所述区域中流动的电流的栅电极（6,7）和其上沉积有接触栅格电极（3，4,5,6,7）的柔性基板（2）。导电区域中纳米管的密度严格高于每微米10纳米管。

9. 发明申请

WO1996024819A1 CANTILEVER DEFLECTION SENSOR AND USE THEREOF 审中-公开
标题翻译： CANTILEVER偏差传感器及其使用
公开(公告)号：WO1996024819A1
公开(公告)日：1996-08-15
申请号：PCT/EP1995000431
申请日：1995-02-07
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP. , BOURGOIN, Jean-Philippe, Marie , JOHNSON, Matthew, Bruce , MICHEL, Bruno
发明人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.
IPC分类号： G01B07/34
CPC分类号： G01Q60/34 , G01Q10/06 , G01Q60/04 , G01Q60/30 , G01Q60/32 , G01Q70/06 , Y10S977/732 , Y10S977/849 , Y10S977/851 , Y10S977/852 , Y10S977/875 , Y10S977/949 , Y10S977/954
摘要： A new method and an apparatus for measuring the deflection of or the force exerted upon a cantilever-type micromechanical element is presented which is based on detecting radiation emitted from the gap between the cantilever (220) and a second surface (230, 231). The radiation, while occurring spontaneously at high frequencies when appropriately biasing the cantilever and the second surface by a voltage, can be enlarged by using external energy sources. The new method and apparatus are also applied to surface investigation, particularly to dopant profiling.
摘要翻译：提出了一种用于测量施加在悬臂式微机械元件上的偏转或力的新方法和装置，其基于检测从悬臂（220）和第二表面（230,231）之间的间隙发射的辐射。当通过使用外部能量源来适当地偏置悬臂和第二表面时，辐射自发地在高频时发生。新的方法和装置也适用于表面调查，特别是掺杂剂分析。

10. 发明申请

WO2004094308A1 A PROCESS FOR MODIFYING AT LEAST ONE ELECTRICAL PROPERTY OF A NANOTUBE OR A NANOWIRE AND A TRANSISTOR INCORPORATING IT. 审中-公开
标题翻译：一种用于修改纳米管或纳米线的一个电性能的方法和包含它的晶体管。
公开(公告)号：WO2004094308A1
公开(公告)日：2004-11-04
申请号：PCT/EP2003/008827
申请日：2003-04-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , AUVRAY, Stéphane , BOURGOIN, Jean-Philippe , DERYCKE, Vincent , GOFFMAN, Marcelo
发明人： AUVRAY, Stéphane , BOURGOIN, Jean-Philippe , DERYCKE, Vincent , GOFFMAN, Marcelo
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B2202/22 , G01N27/12 , G11C2213/17 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y10S977/746 , Y10S977/847 , Y10S977/938 , Y10S977/957
摘要： The present invention concerns a method for modyfing at least an electronic property of a carbon nanotube or nanowire comprising exposing said nanotube or nanowire to an acid having the formula (I) wherein R 1 , R 2 and R 3 are chosen in the group comprising (H, F, Cl, Br, I) with at least one of R 1 , R 2 and R 3 being different from H.At least part of the nanotube or nanowire may be a channel region of a field effect transistor.
摘要翻译：本发明涉及一种用于修饰碳纳米管或纳米线的至少电子性质的方法，包括将所述纳米管或纳米线暴露于具有式（I）的酸，其中R1，R2和R3选自（H，F ，Cl，Br，I），其中R1，R2和R3中的至少一个不同于H.纳米管或纳米线的至少一部分可以是场效应晶体管的沟道区。

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