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1. 发明申请

WO2004064123A3 METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
标题翻译：方法的半导体元件
公开(公告)号：WO2004064123A3
公开(公告)日：2004-09-10
申请号：PCT/DE0304286
申请日：2003-12-23
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , KOHLMANN-VON PLATEN KLAUS , BERNT HELMUT , FRIEDRICH DETLEF
发明人： KOHLMANN-VON PLATEN KLAUS , BERNT HELMUT , FRIEDRICH DETLEF
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/762 , H01L27/088 , H01L27/06
CPC分类号： H01L29/66325 , H01L21/76283 , H01L27/088
摘要： Disclosed is a method for the production of a semiconductor element comprising at least one first vertical power component (5, 9) and at least one lateral, active component (6) and/or at least one second vertical power component (10), between which at least one trench (2) filled with at least one type of insulation (4) is disposed. The invention also relates to a semiconductor component produced according to said method. The semiconductor component is essentially characterized by an eccentric or concentric arrangement of the respective functional elements (5, 6, 9, 10) which are respectively separated from each other by trench insulation. In order to produce one such semiconductor element, at least one trench is etched into the front side of a silicon substrate (1). Said trench fully encompasses at least one partial surface of the front side and is subsequently filled with insulation (4). In a further stage of said method, the silicon substrate (1) is extensively thinned from the rear side to the insulation (4), i.e. up to the lower side of the insulation. The power components (5, 9, 10) are contacted from the rear side.
摘要翻译：用于制造半导体器件，包括至少一个第一垂直功率组分（5,9）和至少一个横向，活性成分（6）的处理和/或至少一个第二垂直电源部件（10）中描述了至少一个具有绝缘之间（4）填充沟槽（2）被布置，以及由半导体器件的方法制造的产品。由相应的功能元件（5，6，9，10），它们分别通过从沟槽隔离分开的一个前或同心布置的半导体器件的特征在于基本上。要在硅衬底的前产生这样的半导体元件（1）被蚀刻至少一个沟槽（2），后者完全，随后包围前侧的至少一个部分区域的具有绝缘（4）被填充。在该方法的进一步的过程中，从后方侧的硅衬底（1）到绝缘（4），只要该绝缘的底面变薄在整个表面上。功率元件（5,9，10）的所述接触是从背面处。

2. 发明申请

WO2004064123A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：生产半导体组分的方法
公开(公告)号：WO2004064123A2
公开(公告)日：2004-07-29
申请号：PCT/DE2003/004286
申请日：2003-12-23
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V , KOHLMANN-VON PLATEN, Klaus , BERNT, Helmut , FRIEDRICH, Detlef
发明人： KOHLMANN-VON PLATEN, Klaus , BERNT, Helmut , FRIEDRICH, Detlef
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L29/66325 , H01L21/76283 , H01L27/088
摘要： Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, das wenigstens ein erstes vertikales Leistungsbauelement (5, 9) sowie wenigstens ein laterales, aktives Bauelement (6) und/oder zumindest ein zweites vertikales Leistungsbauelement (10) aufweist, zwischen denen wenigstens ein mit einer Isolierung (4) gefüllter Graben (2) angeordnet ist, sowie ein mit dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement. Das Halbleiterbauelement zeichnet sich im Wesentlichen durch eine ex- oder konzentrische Anordnung der jeweiligen Funktionselemente (5, 6, 9, 10), die jeweils durch eine Trenchisolation voneinander getrennt sind, aus. Zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelementes wird in die Vorderseite eines Silizium Substrates (1) zumindest ein Graben (2) geätzt, der wenigstens eine Teilfläche der Vorderseite vollumfänglich umschließt und der anschließend mit einer Isolation (4) aufgefüllt wird. Im weiteren Verlauf des Verfahrens wird das Silizium-Substrat (1) von der Rückseite her bis an die Isolierung (4), also bis an die Unterseite der Isolation, ganzflächig gedünnt. Die Kontaktierung der Leistungsbauelemente (5, 9, 10) erfolgt von der Rückseite her.
摘要翻译：
描述的是一种半导体器件，包括至少一个第一垂直功率器件的制造（5,9）和至少一个横向，活性成分的方法（6）和/或至少一个第二垂直电源部件（10）在其之间布置有至少一个填充有绝缘体（4）的沟槽（2），以及通过该方法制造的半导体部件。半导体元件的主要特征在于各个功能元件（5,6,9,10）的偏心或同心布置，它们各自通过沟槽隔离彼此分开。为了制造这种半导体器件是在硅衬底的前部（1）的至少一个沟槽（2）GE＆AUML; TZT，所述至少一个子区域＆AUML;枝前vollumf＆AUML;可触及包围ROAD吨和随后的ROAD端具有绝缘（4）已列出。在该过程的进一步过程中，硅衬底（1）从背部完全蚀刻到绝缘体（4），即绝缘体的下侧。功率元件（5,9,10）的接触从后侧进行。

3. 发明申请

WO0062048A3 SENSOR ARRANGEMENT WITH ELECTRICALLY CONTROLLABLE ARRAYS 审中-公开
标题翻译：随着电动寻址阵列传感器装置
公开(公告)号：WO0062048A3
公开(公告)日：2001-04-26
申请号：PCT/EP0003404
申请日：2000-04-14
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , ALBERS JOERG , BERNT HELMUT , BREDEHORST REINHARD , HINTSCHE RAINER , SEITZ RENE
发明人： ALBERS JOERG , BERNT HELMUT , BREDEHORST REINHARD , HINTSCHE RAINER , SEITZ RENE
IPC分类号： G01N27/403
CPC分类号： G01N27/3277
摘要： Disclosed is an electric sensor array which is provided with several sensor positions that consist of at least two microelectrodes and thereby form an array (4). Molecular substances can be detected electrochemically and charged molecules can be transported or handled by means of said array. Measuring procedures, especially between two respective addressing procedures, are possible according to which the sensor positions can be individually addressed and electrochemically or electrically controlled at any moment. A polarisation voltage between two addressing procedures is thus maintained. The arrangement of the wiring (14, 15; 16, 17) is embodied in such a way that individual arrays or groups of arrays can be controlled. For biomolecular assays, affinity-binding molecules are immobilised in each sensor position, between the microelectrodes or on auxiliary surfaces, thereby representing a possible utilisation of the array. The array can also be used for individual and electrical read-out. The array can further be used for subsequently measuring events between the addressing procedures, whereby said events took place before measurement addressing occurs.
摘要翻译：还提出了具有多个传感器位置，其中至少各由作为阵列（4）包括两个微电极的电传感器阵列。与此阵列分子量物质可以电化学检测的，带电荷的分子可以被运输或处理。也可能是两个相应的寻址操作之间后的传感器位置是可单独寻址的，并且每个时间被电化学或电控制，用于保持两种寻址操作之间的偏置电压的测量方法，特别是。所述导管（14，15; 16，17）被形成为使得单独的阵列或阵列的基团来控制。在每个传感器的位置或微电极或辅助表面之间生物分子测定亲和结合分子被固定，这是一个可能的使用阵列。另一种是单独电力读出和寻址操作过去的测量解决之前已经过期的事件之间测量它们的可能性。

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