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1. 发明公开

KR1020140126857A 박막의 균일 증착이 가능한 캐소드 无效
标题翻译：阴道有多孔金属
公开(公告)号：KR1020140126857A
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020130044855
申请日：2013-04-23
申请人： 에이티 주식회사 , 김민호
发明人： 김민호 , 왕태현 , 강성곤
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/54 , C23C14/50
摘要： 본 발명에 의한 박막의 증착이 가능한 캐소드(100)는, 하방에 지지되어 지지 기능을 하는 베이스 플레이트(110)와, 상기 베이스 플레이트(110)의 상면에 부착되고 서로 이격되어 구성된 다수의 절연체(120)와, 상기 절연체(120)의 상면에 부착되어 자속을 발생시키는 마그넷 팩(130)과, 상기 마그넷 팩(130)의 상면에 부착되어 플라즈마에 의해서 필름(F)에 증착되는 금속원자를 발생시키는 타깃(160)과, 상기 베이스 플레이트(110)에 지지되어 상기 마그넷 팩(130)과 측방으로 간극을 두고 상기 마그넷 팩(130)을 둘러싸는 판상의 애노드 실드(140)를 포함하는 캐소드(100)에 있어서, 상기 캐소드(100)의 외측방에서 상기 간극(G)에 연결되는 가스홀(151)과, 상기 가스홀(151)에 대응하도록 상기 캐소드(100)의 외측방에 장착되어 상기 가스홀(151)로 가스가 통과하도록 하는 다공질 금속판(153)과, 상기 다공질 금속판(153)을 커버하도록 상기 캐소드(100)의 외측방에 장착되고, 상기 다공질 금속판(153)에 연결되며 가스가 충전되는 충전공간(157)이 형성된 충전블록(155)과, 상기 충전블록(155)을 관통하여 상기 충전공간(157)에 연결되는 가스관(159)을 포함하여 구성된다.
따라서, 가스가 상기 다공질 금속판(153)을 통과하기 때문에 슬로트 형상의 가스홀(151)의 전영역에 걸쳐서 고르게 가스가 배출되며, 이렇게 배기된 가스는 타깃(160)의 상부에 고른 밀도로 공급되기 때문에 타깃(160)의 전영역에 걸쳐서 고른 분포로 전자가 이탈되어 타깃(160)에 충돌한다. 따라서, 타깃(160)의 상면에는 전영역에 걸쳐서 고른 분포로 금속원자가 상방으로 이탈하게 되어 필름(F)에 균일한 박막을 형성하게 되는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 가스홀(151)과 다공질 금속판(153)이 타깃(160)의 하방에 배치되기 때문에 가스홀(151)과 다공질 금속판(153)이 상기 금속원자에 의해서 폐색되는 현상이 방지되는 효과가 있다.
摘要翻译：本发明涉及能够均匀地沉积薄膜的阴极。能够均匀地沉积本发明的薄膜的阴极包括：与阴极（100）外部的间隙（G）连接的气孔（151）; 具有气体穿过气孔的多孔金属板（153）; 填充块（155），其连接到多孔金属板（153）并且形成有填充空间（157），其中填充有气体; 以及通过贯通填充块（155）而与填充空间（157）连接的气体管道（159）。因此，在均匀分散在整个区域上的金属原子在靶（160）的前表面上向上偏离时，提供了在膜（F）上形成均匀薄膜的效果。

2. 发明授权

KR100572415B1 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子处理设备
公开(公告)号：KR100572415B1
公开(公告)日：2006-04-18
申请号：KR1020017000531
申请日：1999-07-16
申请人： 동경 엘렉트론 에이티 주식회사 , 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
发明人： 고시미즈치시오 , 이시하라히로유키 , 히구치기미히로 , 마루야마고지
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/6831 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J2237/2001 , H01L21/67248 , Y10S156/915
摘要： 에칭 장치(100)의 처리실(102) 내부에 배치된 하부 전극(106)상에는 정전 척(108)이 배치되고, 척 면상에 재치되는 웨이퍼(W)의 주위를 포위하도록 전도성의 내측 링 본체(112a)와 절연성의 외측 링 본체(112b)가 배치된다. 웨이퍼(W)와 내측 및 외측 링 본체(112a. 112b)의 온도는 제 1 내지 제 3 온도 센서(142, 144, 146)에 의해 검출된다. 제어기(140)는 상기 온도 정보에 기초하여 웨이퍼(W)의 온도와 내측 링 본체(112a)의 온도가 대략 동일하게 되도록 제 1 가스 토출구(114)를 거쳐 웨이퍼(W)의 중앙부와 정전 척(106) 사이에, 그리고 제 2 가스 토출구(116)를 거쳐 웨이퍼(W)의 외연부와 정전 척(108) 사이에 공급하는 He의 압력과, 외측 링 본체(112b)내의 히터(148)의 발열량을 제어한다.
摘要翻译：在设置于蚀刻装置100的处理室102内的下部电极106上配置静电卡盘108，以包围载置于卡盘表面的晶片W的周围的方式配置导电性内圈主体112a。并设置有绝缘外圈主体112b。晶片W以及内外圈体112a和112b的温度由第一至第三温度传感器142检测，控制器140是与晶片（W）温度的静电吸盘与内圈主体（112A），在晶片（W）的温度是通过第一气体排出口114，以便基本上等于的温度的信息的基础上（中央部 He通过第二气体排出口116供给到晶片W的外缘与静电吸盘108之间的压力和外圈主体112b中的加热器148的发热量 Lt。

3. 发明授权

KR100392834B1 플라즈마처리장치 失效
公开(公告)号：KR100392834B1
公开(公告)日：2003-12-18
申请号：KR1019980043911
申请日：1998-10-20
申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 하마기이치
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32467 , H01J37/321 , H01J2237/2001
摘要： An inductively coupled type dry etching apparatus has an RF antenna disposed on the ceiling wall of a process chamber. A susceptor is arranged in the process chamber, for mounting a semiconductor wafer thereon. The ceiling wall has a matrix of alumina ceramic, and heat generating elements of a salt of a transition metal oxide, which are dispersed in the matrix and capable of self-generating heat by an RF electric field.
摘要翻译：感应耦合型干法蚀刻设备具有设置在处理室的顶壁上的RF天线。基座布置在处理室中，用于在其上安装半导体晶片。顶壁具有氧化铝陶瓷基体和过渡金属氧化物盐的发热元件，它们分散在基体中并能够通过RF电场自发产生热量。

4. 发明授权

KR100333449B1 반도체처리시스템의플라즈마처리방법 有权
公开(公告)号：KR100333449B1
公开(公告)日：2002-09-18
申请号：KR1019980031733
申请日：1998-08-04
申请人： 동경 엘렉트론 에이티 주식회사 , 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
发明人： 이시하라히로유키 , 가와무라고헤이
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 웨이퍼를 탑재한 서셉터와 상부 전극이 에칭 장치의 처리실내에 대향 배치된다. 처리실의 측벽에는 광전송창이 마련된다. 제 2 RF 전원부와 제 1 RF 전원부로부터 각각 상부 전극과 서셉터에 RF 전력을 인가하여, 처리실내에 플라즈마를 여기한다. 플라즈마의 광을 광전송창을 거쳐 광검출기로 검출하여 데이터를 샘플링한다. CPU는 샘플링 데이터를 와이블 분포 함수에 근거하여 피팅한 다음, 근사 방정식을 구하고, 또한 근사 방정식의 미분 방정식을 구한다. 이러한 근사 방정식과 미분 방정식으로부터 에칭의 가상 종점을 예측한다.

5. 发明授权

KR100272187B1 프로우브장치 失效
标题翻译：探测器
公开(公告)号：KR100272187B1
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：KR1019930024101
申请日：1993-11-13
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 나카사카무네토시 , 아베유우이치 , 야마구치마사오
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R1/07314 , G01R1/073 , G01R31/2831
摘要： 프로우브장치는, 복수의 칩이 규칙적으로 배열된 반도체웨이퍼를, 칩이 실질적으로 XY면내에 위치하도록 위치하는 스테이지와, 이 스테이지상의 웨이퍼와 마주보고, 칩의 패드에 각각 대응하여 설치되고, 웨이퍼상의 모든 패드에 대하여 일괄하여 접촉되는 다수의 콘택터와, 이들 콘택터를 통하여 테스트신호를 칩회로에 보내고, 또한 테스트신호를 수신하는 테스터와, 스테이지를 Z축방향으로 승강시키는 승강기구와, 스테이지를 X축방향 및 Y축방향으로 각각 이동시키는 얼라이먼트기구와, 이 얼라이먼트기구 및 승강기구를 제어하는 콘트롤러를 가진다.

6. 发明授权

KR100260587B1 정전척 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：静电吸盘及其制造方法
公开(公告)号：KR100260587B1
公开(公告)日：2000-08-01
申请号：KR1019940012311
申请日：1994-06-01
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 고야마시로 , 이시카와겐지 , 고미노미쓰아키 , 가자마고이치 , 와타나베마사히데 , 구보다마사미
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： G03F7/707 , G03F7/70708 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H02N13/00
摘要： 본 발명의 정전척은 도전막과, 이 도전막을 피복하고, 서셉터상에 부착된 절연피복과, 이 절연피복에 정전인력을 발생시키기 위하여, 상기 도전막에 전압을 인가하는 급전회로를 구비하고, 상기 급전회로는 상기 절연피복의 일부와 치환되고, 상기 도전막에 도통하는 도체와, 서셉터의 표면쪽으로부터 배면쪽까지 관통하여 설치되고, 그 한쪽끝단부가 상기 도체에 도통하는 제1급전핀과, 이 제1급전핀을 서셉터로부터 절연하는 절연부재와, 그 한쪽끝단부가 상기 제1급전핀의 다른끝단부에 눌러붙여져 제1급전핀에 도통하는 제2급전핀과, 이 제2급전핀에 도통하는 전원을 가진다.

7. 发明授权

KR100167477B1 프로우브 침 失效
公开(公告)号：KR100167477B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019910021565
申请日：1991-11-28
申请人： 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 야마시타사토루
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R1/06761 , G01R31/2887
摘要： 본 발명은 반도체 소자에 형성된 전극에 눌려 접속되는 접촉부에 의해 상기 반도체 소자의 내부회로와 전기적 접속을 얻기 위한 프로우브 침에 있어서, 상기 접촉부는, 74-76 중량%인 Au와, 24-26 중량%인 Cu와, 0.01 중량% 이하인 Ag, Ni, Fe, C, O로 이루어지는 군에서 함유되는 하나 이상의 불순물을 가지는 합금으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로우브 침이다. 이 프로우브 침은 상기 전극과의 접촉저항이 작으며, 또한 되풀이 사용해도 저항값을 안정되게 유지할 수 있다.

8. 发明授权

KR100138755B1 IC 분류별 수납장치 및 IC 검사장치 失效
标题翻译： IC分类和接收装置及其方法
公开(公告)号：KR100138755B1
公开(公告)日：1998-06-15
申请号：KR1019910009544
申请日：1991-06-10
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 시바다쥰이치로오
IPC分类号： G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： G01R31/2893 , B07C5/344
摘要： IC 분류별 수납장치는, 검사결과에 따라 분류 해야할 IC를 반송하는 반송 유니트와, 반송 유니트에 의하여 반송되는 IC를 수납하는 수납 유니트를 구비하고 있다.
이 수납 유니트는, 수직구동 유니트를 가지는 적어도 1개의 수직이동 트레이 얹어놓는대와, 수직 이동 트레이 얹어놓는대의 윗쪽에 배치된 수평이동 트레이 얹어놓는대를 구비하고 있다.
이 수평이동 트레이 얹어놓은데는, 수직이동 트레이 얹어놓는대 위의 트레이에 IC를 수납할때에, 수평이동 트레이 얹어놓는대를 수직이동 트레이 얹어놓는대의 윗쪽에서 수평으로 이동 시켜서 퇴피 시키는 수평구동 유니트를 가지고 있다.

9. 发明公开

KR1019950021168A 플라즈마처리장치및방법 失效
公开(公告)号：KR1019950021168A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019940036495
申请日：1994-12-24
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 도자와시게키 , 호소다쇼조 , 구로노요이치
IPC分类号： H01L21/30
摘要： 광레지스터 막이 제거되어 노출된 주변부를 가지는 반도체 웨이퍼를 이방성 에칭하는 장치와, 진공으로 설정 가능한 처리실을 가진다. 처리실 내에는 대향하는 상하 전극이 배치되고, 이 사이에서 에칭 가스가 플라즈마화 된다. 하측 전극 위에는 정전척이 배치되고, 이 위에 웨이퍼가 얹힌다. 상하 전극 사이에는 상하로 이동할 수 있는 유전체로 된 링이 배치된다. 링 중앙부는 웨이퍼 주변부에 대향하여 오목한 후드로서 형성된다. 에칭 처리중, 후드는 플라즈마 쉬스는 아래쪽에서 웨이퍼의 주변부를 접촉하지 않도록 덮고, 주변부에 대하여 에칭 처리가 실시되는 것을 방지한다.

10. 发明公开

KR1019950009911A 전자빔 여기식 플라즈마장치 失效
标题翻译：电子束激发等离子体装置
公开(公告)号：KR1019950009911A
公开(公告)日：1995-04-26
申请号：KR1019940022518
申请日：1994-09-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 아라끼요오이치 , 나가세끼카즈야 , 모찌츠끼슈우지
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본 발명은 초기방전용 제1보조전극와; 구멍이 뚫려 있는 애노드전극과; 상기 애노즈전극과 상기 제1보조전극과의 사이에 설치되어, 상기 제1보조전극과의 사이에 초기방전을 발생시키고 또 상기 애노즈전극과의 사이에 플라즈마생성용의 방전을 발생시키는 구멍이 뚫려 캐소드전극과; 상기 캐소드전극과 상기 애노드 전극과의 사이에 설치되어, 상기 캐소드전극 및 상기 애노드전극 사이에서의 방전플라즈마의 생성을 보조하는 구멍이 뚫려 있는 제2보종전극과; 상기 캐소드전극 및 상기 애노드 전극 사이의 영역에 방전플라즈마생성용 가스를 공급하는 가스공급수단과; 상기 캐소드전극 근방에 커스프 자계가 형성되도록 상기 방전플라즈마 생성영역에 자장을 인가하는 자장형성수단을 가지는 전자빔 여기식 플라즈마장치.

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