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1. 发明授权

KR100248570B1 프로우브침 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：探针提示及其制作方法
公开(公告)号：KR100248570B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019930016109
申请日：1993-08-19
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 야마시타사토루
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 프로우브침은 350℃ 온도 까지 가열한 후에 룸온도로 5시간이상 냉각되어 74~76 중량부의 금과, 24~26중량부의 동과의 금-동 합금으로 이루어지는 Au-Cu 합금으로 형성된다.

2. 发明授权

KR100167477B1 프로우브 침 失效
公开(公告)号：KR100167477B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019910021565
申请日：1991-11-28
申请人： 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 야마시타사토루
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R1/06761 , G01R31/2887
摘要： 본 발명은 반도체 소자에 형성된 전극에 눌려 접속되는 접촉부에 의해 상기 반도체 소자의 내부회로와 전기적 접속을 얻기 위한 프로우브 침에 있어서, 상기 접촉부는, 74-76 중량%인 Au와, 24-26 중량%인 Cu와, 0.01 중량% 이하인 Ag, Ni, Fe, C, O로 이루어지는 군에서 함유되는 하나 이상의 불순물을 가지는 합금으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로우브 침이다. 이 프로우브 침은 상기 전극과의 접촉저항이 작으며, 또한 되풀이 사용해도 저항값을 안정되게 유지할 수 있다.

3. 发明公开

KR1019940008036A 프로우브 장치 失效
公开(公告)号：KR1019940008036A
公开(公告)日：1994-04-28
申请号：KR1019920016615
申请日：1992-09-09
申请人： 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 야마시타사토루
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 고온상태의 측정과 같이, 상온 이외의 온도상황을 기초로 하고 수직 프로우브 침에 의한 측정이 정도가 좋게 행하며, 이렇게 하여 고집적화한 반도체 웨이퍼의 측정에 적용한 프로우브 장치를 제공한다.
다수 개의 전극 패드(10a)가 상면에 설치된 적어도 한 개의 반도체 장치가 형성된 반도체 웨이퍼(10)를 재치하고 상하방향으로 이동가능한 웨이퍼 재치수단과, 이 웨이퍼 재치수단에 의하여 재치된 웨이퍼(10)를 소정의 온도로 설정하는 제1온도제어수단과, 상기 웨이퍼 재치수단의 소정의 온도로 설정하는 제1온도제어수단과, 상기 웨이퍼 재치수단의 상방에 위치하는 프로우브 카드(32), 이 프로우브 카드(32)는 전기적 배선부(84)와, 이 배선부(84)에 접속되고 하방으로 거의 수직으로 뻗은 수직부, 이 수직부는 하단부와 상단부와 이 둘 하단부와 상단부 사이에 위치하고 구부러지는 것이 가능한 중간부를 가지는 것과, 상기 전기적 배선부(84)를 이송하고 또 상기 프로우브 침(37)의 수직부의 상단부를 지지하며, 수직부의 중간부가 위치하는 공간을 가지는 지 수단과, 상기 프로우브 침(37)의 수직부의 하단부를 소정의 온도로 설정하는 제2온도 제어수단을 구비한다.

4. 发明授权

KR100230696B1 프로우브 장치 失效
标题翻译：探测器
公开(公告)号：KR100230696B1
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019920016615
申请日：1992-09-09
申请人： 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 야마시타사토루
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 고온상태의 측정과 같이, 상온 이외의 온도상황을 기초로 하고 수직 프로우브 침에 의한 측정이 정도가 좋게 행하며, 이렇게하여 고집적화한 반도체 웨이퍼의 측정에 적용한 프로우브 장치를 제공한다.
다수 개의 전극 패드(10a)가 상면에 설치된 적어도 한 개의 반도체 장치가 형성된 반도체 웨이퍼(10)를 재치하고 상하방향으로 이동가능한 웨이퍼 재치수단과; 이 웨이퍼 재치수단에 의하여 재치된 웨이퍼(10)를 소정의 온도로 설정하는 제1온도제어수단과; 상기 웨이퍼 재치수단의 상방에 위치하는 프로우브 카드(32), 이 프로우브 카드(32)는 전기적 배선부(84)와, 이 배선부(84)에 접속되고 하방으로 거의 수직으로 뻗은 수직부, 이 수직부는 하단부와 상단부와 이 들 하단부와 상단부 사이에 위치하고 구부러지는 것이 가능한 중간부를 가지는 것과, 상기 전기적 배선부(84)를 이송하고 또 상기 프로우브 침(37)의 수직부의 상단부를 지지하며, 수직부의 중간부가 위치하는 공간을 가지는 지지수단과; 상기 프로우브 침(37)의 수직부의 하단부를 소정의 온도로 설정하는 제2온도제어수단을 구비한다.

5. 发明授权

KR100230695B1 프로우브카드 失效
标题翻译：证明卡片
公开(公告)号：KR100230695B1
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019930010093
申请日：1993-06-04
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 야마시타사토루
IPC分类号： H01L21/66
摘要： LCD 기판상에 배열설치된 복수의 전극패드를 구비하는 LCD 의 반제품의 전기적 특성을 검사하기 위한 프로우브카드는, 카드기판과 이것에 착설된 4각기둥 형상의 지지틀을 구비한다.
지지틀에는 상기 전극패드와 동일한 수의 안내홈이 형성되며, 긱 홈내에 프로우브침이 장착된다. 홈은 지지틀에 접착된 누름판에 의하여 부분적으로 폐쇄된다.
프로우브침은 홈으로부터 돌출하고, 앞끝단부에 전극패드에 접촉하기 위한 접촉부가 형성된다.
카드기판, 지지틀및 누름판은, LCD 기판과 실질적으로 동일한 재료로 형성되어, 프로우브침 사이의 간격과 전극패드 사이의 간격이 열팽창에 의하여 상위하지 않도록 되어 있다.

6. 发明公开

KR1019940004769A 프로우브침 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：探测器及其制造方法
公开(公告)号：KR1019940004769A
公开(公告)日：1994-03-15
申请号：KR1019930016109
申请日：1993-08-19
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 야마시타사토루
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 프로우브침은 350℃온도 까지 가열한후에 룸온도로 5신간이상 냉각도어 74∼76중량부의 금과 024∼26중량부의 동과의 금-동 합금으로 이루어지는 Au-Cu 합금으로 형성된다.

7. 发明公开

KR1019920010812A 프로우브 침 失效
标题翻译：探针
公开(公告)号：KR1019920010812A
公开(公告)日：1992-06-27
申请号：KR1019910021565
申请日：1991-11-28
申请人： 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 야마시타사토루
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 내용 없음

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