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    • 3. 发明申请
    • 유기 용매 분산성을 보유한 불소화합물을 포함하는 전도성 고분자 조성물
    • 含氟化合物的导电聚合物组合物,有机溶剂中的有害成分
    • WO2011081481A2
    • 2011-07-07
    • PCT/KR2010/009576
    • 2010-12-30
    • 서광석김종은김태영
    • 서광석김종은김태영
    • C08L101/12C08L31/00H01B1/12
    • H01B1/122
    • 본 발명은 불소계 화합물을 포함하는 이온성 액체 고분자를 이용하여 전도성 고분자를 합성하는 기술에 관한 것으로서, 유기합성 반응을 통해 전도성 고분자와 고분자 도판트 및 불소화합물이 한 분자 내에 결합되어 있는 전도성 고분자를 제조하는 기술 및 이를 통해 만들어진 복합 전도성 고분자 화합물을 제공하고자 한다. 본 발명의 전도성 고분자 화합물은 유기 용매에 잘 분산되는 재료로서 유기발광소자 기구 (organic light emitting diode device)의 정공수송층 및 정공주입층 재료 및 유기박막필름트랜지스터 (organic thin film transistor)의 버퍼용 재료 및 기타 유기 전자재료로 유용하게 사용될 수 있다.
    • 本发明涉及一种通过使用含有氟系化合物的离子液体聚合物来合成导电聚合物的技术,并且提供了一种制备其中导电聚合物,聚合物掺杂剂和氟化合物组合的导电聚合物的技术 通过有机合成反应的一个分子,以及由其制备的复合导电聚合物化合物。 本发明的导电性高分子化合物是易于分散在有机溶剂中的材料,可用作有机发光二极管装置的空穴传输层或空穴注入层的材料,有机薄膜的缓冲材料 薄膜晶体管等有机电子材料。
    • 6. 发明申请
    • 굴절율이 낮은 티오펜계 전도성 고분자
    • 具有低折射率的THIOPENE导电聚合物
    • WO2010041879A2
    • 2010-04-15
    • PCT/KR2009/005754
    • 2009-10-08
    • 서광석김종은김태영이태희
    • 서광석김종은김태영이태희
    • C08G61/12
    • C08G61/126C08L39/04C08L65/00C08L2666/10
    • 본 발명은 굴절율이 1.55 이하인 티오펜계 전도성 고분자의 합성에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는 티오펜계 전도성 고분자 합성 시 도판트 겸 분산제로 사용될 수 있는 고분자 중에서 굴절율이 낮은 화합물인 플로린을 함유하는 고분자를 전도성 고분자 합성용 도판트로 사용함으로서 합성된 전도성 고분자의 굴절율을 1.55 이하로 조절하는 기술 및 이를 통해 합성된 낮은 굴절율을 갖는 폴리티오펜계 전도성 고분자를 제공한다. 본 발명의 기술을 이용하면 저굴절 전도성 고분자 또는 이를 포함하는 전도성 고분자를 만들기 위해 별도의 저굴절 물질을 혼합하지 않고도 자체적으로 1.55 이하의 굴절율을 갖는 전도성 고분자를 합성할 수 있다. 이 전도성 고분자가 포함되어 있는 용액에 불소계 첨가제를 혼합하면 전도성 고분자 조성물의 굴절율을 더욱 낮출 수 있어 저굴절 물질 또는 조성물의 제조에 훨씬 유리하다. 또한 본 발명의 전도성 고분자는 전도성 고분자 성분에 플로린을 포함하고 있어 그 자체적으로 접촉각이 높아 오염방지 기능을 가지면서 높은 전기 전도도를 갖는 등 여러 가지 장점이 있다.
    • 本发明涉及折射率为1.55以下的噻吩类导电聚合物的合成,更具体地说,提供了一种技术,其中在合成噻吩导电聚合物期间,含有氟并具有低折射率的聚合物,其中 也可以用作掺杂剂和分散剂两者的聚合物,用作合成导电聚合物的掺杂剂,使得合成的导电聚合物的折射率调节至1.55以下; 和具有低折射率的合成聚噻吩导电聚合物。 使用本发明的技术,折射率为1.55以下的导电性聚合物可以自身合成而不与低折射率的分离物质混合,制作低折射率的导电性聚合物或导电性聚合物,其包括 一样。 当将氟添加剂混入含有该导电聚合物的溶液中时,导电聚合物组合物的折射率可能进一步降低,因此制备具有低折射率的物质或组合物更有利。 另外,由于本发明的导电性聚合物含有氟成分,因此本身具有高接触角,因此具有防止污染和高导电性等优点。