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1. 发明专利

TW240327B 基體之塗膜裝置失效
简体标题：基体之涂膜设备
公开(公告)号：TW240327B
公开(公告)日：1995-02-11
申请号：TW083100619
申请日：1994-01-25
申请人：藍伯德公司
发明人：布爾克哈特歐里弗 , 吉根華特瑞納 , 艾諾德曼弗瑞德 , 貝蘭格古道 , 雪爾麥克 , 麥克可勞斯 , 瑞特喬治
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32577 , H01J37/32706
摘要：本發明為關於產生電漿裝置之電極組態。在一塗層設施載子背面深入一黑暗空間距離處，經由一非接觸性的電容性耦合放置一射頻(RF)電極。在塗層邊上的黑暗空間屏蔽定義了電漿帶且能防止寄生電漿的形成。如此可在具有一定範圍電漿帶的移動基質載體上，形成一高頻(HF)基質偏壓且可防止寄生電漿的擴展。
简体摘要：本发明为关于产生等离子设备之电极组态。在一涂层设施载子背面深入一黑暗空间距离处，经由一非接触性的电容性耦合放置一射频(RF)电极。在涂层边上的黑暗空间屏蔽定义了等离子带且能防止寄生等离子的形成。如此可在具有一定范围等离子带的移动基质载体上，形成一高频(HF)基质偏压且可防止寄生等离子的扩展。

2. 发明专利

TW232081B 基體之塗膜或蝕刻裝置失效
简体标题：基体之涂膜或蚀刻设备
公开(公告)号：TW232081B
公开(公告)日：1994-10-11
申请号：TW083100624
申请日：1994-01-25
申请人：藍伯德公司
发明人：吉根華特瑞納 , 艾諾德曼弗瑞德 , 貝蘭格古道 , 斯道爾海慕特 , 瑞特喬治
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32577 , H01J37/32706
摘要：本發明為關於基體塗膜或蝕刻之裝置。在此裝置中，一高頻(HF)偏壓在不接觸下被產生。為達此目的，電漿源有一偏差盆形狀，此盆形物放置在離基體載體為一黑暗空間距離處且以高頻(HF)偏壓作用其上。依使用來源之不同，此偏差盆形物可被建造成一獨立單元或成為其所連接來源之組成部份，以便，例如，像高頻(HF)磁電管盤導電。利用此種藉合進來的高頻功率，載體上的直流電位及因此而產生的基體離子植入可被將門地建立起來。
简体摘要：本发明为关于基体涂膜或蚀刻之设备。在此设备中，一高频(HF)偏压在不接触下被产生。为达此目的，等离子源有一偏差盆形状，此盆形物放置在离基体载体为一黑暗空间距离处且以高频(HF)偏压作用其上。依使用来源之不同，此偏差盆形物可被建造成一独立单元或成为其所连接来源之组成部份，以便，例如，像高频(HF)磁电管盘导电。利用此种藉合进来的高频功率，载体上的直流电位及因此而产生的基体离子植入可被将门地创建起来。

3. 发明专利

TW133497B 依據磁控管原理之濺射陰極失效
简体标题：依据磁控管原理之溅射阴极
公开(公告)号：TW133497B
公开(公告)日：1990-05-01
申请号：TW078100362
申请日：1989-01-18
申请人：藍伯德公司
发明人：伍爾法蘭馬伯 , 伯納德柯特 , 彼得瓦滋 , 湯瑪斯馬頓斯 , 達格馬芬蘭貝契
IPC分类号： H01J
摘要：在一依據磁控管原理之濺射陰極中，帶有一標靶（11）及一磁性系統布置於標靶（11）之後附多個自我包含交變不同極性之磁性單元（14，15，16）其一個位於另一個內藉此二同樣地自我包含一個位於另一個內之磁性隊道自弧狀彎曲力被形成，面對離開標靶（11）之磁性單元的極由一磁性軛（17，17a，17b）連接在一起，一磁場之磁場強度相對另一磁場之磁場強度藉經由一調整裝置（21）移位相對標靶（11）之軛元件（17）之一是可變的。調整裝置（21）為此目的經由一電路是可控制的，此電路與瞄準在被覆程序中形成之電漿環（29）之一的一光覺察器協力且其反應電漿環（29）之亮度。
1988 年 4 月 14 日在德國申請專利第 P3812379.7號
简体摘要：在一依据磁控管原理之溅射阴极中，带有一标靶（11）及一磁性系统布置于标靶（11）之后附多个自我包含交变不同极性之磁性单元（14，15，16）其一个位于另一个内借此二同样地自我包含一个位于另一个内之磁性队道自弧状弯曲力被形成，面对离开标靶（11）之磁性单元的极由一磁性轭（17，17a，17b）连接在一起，一磁场之磁场强度相对另一磁场之磁场强度藉经由一调整设备（21）移位相对标靶（11）之轭组件（17）之一是可变的。调整设备（21）为此目的经由一电路是可控制的，此电路与瞄准在被覆进程中形成之等离子环（29）之一的一光觉察器协力且其反应等离子环（29）之亮度。 1988 年 4 月 14 日在德国申请专利第 P3812379.7号

4. 发明专利

TW133438B 熔化金屬連續輸入之裝置失效
简体标题：熔化金属连续输入之设备
公开(公告)号：TW133438B
公开(公告)日：1990-05-01
申请号：TW077102738
申请日：1988-04-26
申请人：藍伯德公司
发明人：卡爾傑瑞喬 , 狄特德瑞西爾
IPC分类号： C30B
摘要：在一真空熔化爐內於單晶體金屬抽出時，對熔化坩堝將熔化物連續輸入之裝置，其中，包括有第一容器(3)，該容器設有在容器內與容器形狀相配合之襯層(4)及一漏斗形部份（４′）以及與該容器相連接之圓柱形放出管（4′′′），該放出管經過一閘閥(10)並與第２容器(12)之連接件(11)相連接並可移動，在第二容器上設有一放出管(18)及變管(19)，可穿過宜空熔化爐壁在熔化坩堝之上半部範圍內進入。此外，兩容器（３，12）又與一調整裝置之水壓缸(28)相連接，並可使兩容器（３，12）間之距離改變。（第１圖）
1987年10月31日在德國申請專利第P 37 37 051.0號
简体摘要：在一真空熔化炉内於单晶体金属抽出时，对熔化坩埚将熔化物连续输入之设备，其中，包括有第一容器(3)，该容器设有在容器内与容器形状相配合之衬层(4)及一漏斗形部份（４′）以及与该容器相连接之圆柱形放出管（4′′′），该放出管经过一闸阀(10)并与第２容器(12)之连接件(11)相连接并可移动，在第二容器上设有一放出管(18)及变管(19)，可穿过宜空熔化炉壁在熔化坩埚之上半部范围内进入。此外，两容器（３，12）又与一调整设备之水压缸(28)相连接，并可使两容器（３，12）间之距离改变。（第１图） 1987年10月31日在德国申请专利第P 37 37 051.0号

5. 发明专利

TW129786B 將單晶體熔化金屬抽出之裝置失效
简体标题：将单晶体熔化金属抽出之设备
公开(公告)号：TW129786B
公开(公告)日：1990-03-01
申请号：TW077102737
申请日：1988-04-26
申请人：藍伯德公司
发明人：卡爾傑瑞喬 , 狄特德瑞西爾
IPC分类号： C30B
摘要：由一坩堝（14，28）內之熔化金屬在真空下將單晶體熔化金屬抽出之裝置（第１圖），在該熔化金屬上面設有一押取構件(49)並在熔化金屬上面設有一密封蓋（17，17ａ，18），在該蓋上設有一開口(53)，並在坩堝（14，18）之底面(54)相平行之平面上設有伸長，大約形成平板形第一加熱體(10)，另設有第二加熱體(13)，其圓周上之上緣改變成一環狀之平面部份(38)，並位於坩堝(14)內所裝設嵌入物(28)之上緣(55)及環狀密封蓋（17，17ａ，18 )之下側間一平面內，因此，兩加熱體（10，13）之加熱功率可分別由裝設在螺栓（47，50，67）上之溫度傳感器調整。在坩堝（14，28）內設有一圓柱環(29)可使熔化金屬趨於穩定狀態，因此，一進給裝置之漏斗管(24)可在該環(29)之外表面及坩堝緣(55)之間範圍內進入坩堝。
1987年10月3日在德國申請專利第Ｐ3733487.5號
简体摘要：由一坩埚（14，28）内之熔化金属在真空下将单晶体熔化金属抽出之设备（第１图），在该熔化金属上面设有一押取构件(49)并在熔化金属上面设有一密封盖（17，17ａ，18），在该盖上设有一开口(53)，并在坩埚（14，18）之底面(54)相平行之平面上设有伸长，大约形成平板形第一加热体(10)，另设有第二加热体(13)，其圆周上之上缘改变成一环状之平面部份(38)，并位于坩埚(14)内所装设嵌入物(28)之上缘(55)及环状密封盖（17，17ａ，18 )之下侧间一平面内，因此，两加热体（10，13）之加热功率可分别由装设在螺栓（47，50，67）上之温度传感器调整。在坩埚（14，28）内设有一圆柱环(29)可使熔化金属趋于稳定状态，因此，一进给设备之漏斗管(24)可在该环(29)之外表面及坩埚缘(55)之间范围内进入坩埚。 1987年10月3日在德国申请专利第Ｐ3733487.5号

6. 发明专利

TW327657B 由透光材料製成之晶圓及其之製造方法失效
简体标题：由透光材料制成之晶圆及其之制造方法
公开(公告)号：TW327657B
公开(公告)日：1998-03-01
申请号：TW085107478
申请日：1996-06-21
申请人：藍伯德公司
发明人：克里斯多夫布拉茲
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C03C17/3618 , C03C17/36 , C03C17/3626 , C03C17/3639 , C03C17/3642 , C03C17/3644 , C03C17/3652 , C03C17/366 , C03C17/3681 , Y10T428/24942 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
摘要：在可見光譜區具有高度透射行為，而在熱輻射區具有高度反射行為，由透光材料構成的晶圓或箔片上，設有多層的低e 層，包含五個單層。其中直接設在基材上的第一層為例如ZnO、SnO2 等金屬氧化物，第二層為例如 Zn和／或Ta等金屬低氧化物，第三層為例如Ag,Cu等金屬，第四層為例如Ti,Cr,Nb等金屬或金屬低氧化物，第五層為相當於第一層之組成物。各層是依次藉噴鍍，最好是藉磁控管陰極散射法設置。此種層系相對於迄今所製成低發射係數層，具有較高粘著強度和耐化學性。玻璃被覆連續結構的實施，可藉較大玻璃晶圓表面特別經濟的被覆方法為之。
简体摘要：在可见光谱区具有高度透射行为，而在热辐射区具有高度反射行为，由透光材料构成的晶圆或箔片上，设有多层的低e 层，包含五个单层。其中直接设在基材上的第一层为例如ZnO、SnO2 等金属氧化物，第二层为例如 Zn和／或Ta等金属低氧化物，第三层为例如Ag,Cu等金属，第四层为例如Ti,Cr,Nb等金属或金属低氧化物，第五层为相当于第一层之组成物。各层是依次藉喷镀，最好是藉磁控管阴极散射法设置。此种层系相对于迄今所制成低发射系数层，具有较高粘着强度和耐化学性。玻璃被覆连续结构的实施，可藉较大玻璃晶圆表面特别经济的被覆方法为之。

7. 发明专利

TW155698B 具一磁場支持低壓放電底金屬之浸蝕方法與裝置失效
简体标题：具一磁场支持低压放电底金属之浸蚀方法与设备
公开(公告)号：TW155698B
公开(公告)日：1991-04-11
申请号：TW078109737
申请日：1989-12-15
申请人：藍伯德公司
发明人：伯恩德漢歇爾 , 戴特霍夫曼
IPC分类号： B23H
摘要：一種使用磁場支持之低壓放電底金屬之浸蝕方法。在邊緣上欲實施均勻之浸蝕及細心處理，以達到較高之浸蝕速率，為解決此一問題，必須遵守以下各參數。
磁場對底金屬之調整方式，應使磁場強度在底金屬之範圍內小於６０００安培／米，而在底金屬及磁性係統間之空間內至少應裝設一電子發射極，其位置應在磁場強度出現之位置，其強度應大於底金屬範圍內之磁場強度，但小於或等於１２０００安培／米。在面對底金屬之唯一發射極之相對一側至少應裝設一陽極，與接地相較應具有＋１０至＋２５０伏特之陽極電位，而在底金屬上，與接地相較應具有－１００伏特及－１０００伏特之間之浸蝕電位。在底金屬及該底金屬通過中間空間至一投影平面上之投影面間之中間空間比至少為０．１。對唯一發射極及唯一陽極間之電位差選擇，應使有一電子流從發射極通過底金屬之中間空間而流至陽極（初級及次級電子）。
简体摘要：一种使用磁场支持之低压放电底金属之浸蚀方法。在边缘上欲实施均匀之浸蚀及细心处理，以达到较高之浸蚀速率，为解决此一问题，必须遵守以下各参数。磁场对底金属之调整方式，应使磁场强度在底金属之范围内小于６０００安培／米，而在底金属及磁性系统间之空间内至少应装设一电子发射极，其位置应在磁场强度出现之位置，其强度应大于底金属范围内之磁场强度，但小于或等于１２０００安培／米。在面对底金属之唯一发射极之相对一侧至少应装设一阳极，与接地相较应具有＋１０至＋２５０伏特之阳极电位，而在底金属上，与接地相较应具有－１００伏特及－１０００伏特之间之浸蚀电位。在底金属及该底金属通过中间空间至一投影平面上之投影面间之中间空间比至少为０．１。对唯一发射极及唯一阳极间之电位差选择，应使有一电子流从发射极通过底金属之中间空间而流至阳极（初级及次级电子）。

8. 发明专利

TW287250B 裝配有磁鐵支承轉子機器之啓動方法及實施此種方法之開關電路失效
简体标题：装配有磁铁支承转子机器之启动方法及实施此种方法之开关电路
公开(公告)号：TW287250B
公开(公告)日：1996-10-01
申请号：TW081103362
申请日：1992-04-29
申请人：藍伯德公司
发明人：藍道夫保羅羅夫
IPC分类号： G05D
CPC分类号： F16C32/0442 , F16C32/0451 , F16C2231/00 , F16C2360/45
摘要：本發明係關於一種設有一磁鐵支承轉子之機器啟動方法以及實施此種方法之開關電路；為了使此種方法達到自動化之目標起見，在事實上所採取之措施是使靜止之轉子靠停在一軸向止動位置上，而已在操作中之轉子則在一指定位置（易變平衡位置），大約是離開瞬間轉子止動位置一至可能之轉子總衝程之一半，為了能供應偏轉線圈之電流並足以用作此種所需之資訊，使轉子之指定位置幾乎與抵補電流無關，而在兩個可能之轉子止動得平衡。
简体摘要：本发明系关于一种设有一磁铁支承转子之机器启动方法以及实施此种方法之开关电路；为了使此种方法达到自动化之目标起见，在事实上所采取之措施是使静止之转子靠停在一轴向止动位置上，而已在操作中之转子则在一指定位置（易变平衡位置），大约是离开瞬间转子止动位置一至可能之转子总冲程之一半，为了能供应偏转线圈之电流并足以用作此种所需之信息，使转子之指定位置几乎与抵补电流无关，而在两个可能之转子止动得平衡。

9. 发明专利

TW206198B 運送底質之裝置失效
简体标题：运送底质之设备
公开(公告)号：TW206198B
公开(公告)日：1993-05-21
申请号：TW081107738
申请日：1992-09-30
申请人：藍伯德公司
发明人：彼特馬勒 , 漢斯臥爾夫
IPC分类号： B65G
CPC分类号： H01L21/67706 , B65G2249/02 , H01L21/67712 , H01L21/6776
摘要：有關底質(23，23’, . . .)運送用之裝置，使各底質(substrate)能進入並通過真空處理設備，該真空處理設備具有許多站以及一加熱裝置和底質夾持具，該夾持具略呈板狀，扁平及平行六邊形(parallelepiped)之造形並在垂直位置內沿一預設的運送途徑經由各站而移動，因而，亦裝設有一實心之腳座(6)及在一真空室內供夾持及引導用之裝置，而在該腳座(6)上亦裝設有一頂部(7)，該頂部則構成為一種金(銀)絲細工作裝飾而成之平面框架，在該框架內可利用一底質之夾持具(14，15)將需要處理之各底質(23，23′, . . .)懸掛起來，而在該框上底質夾持具(14，15)之此種夾持夾方式則可以移動以及在底質夾持具(14，15)及框架間之相對運動亦屬可能，例如，由於加熱之結果而產生一種長度之改變。
简体摘要：有关底质(23，23’, . . .)运送用之设备，使各底质(substrate)能进入并通过真空处理设备，该真空处理设备具有许多站以及一加热设备和底质夹持具，该夹持具略呈板状，扁平及平行六边形(parallelepiped)之造形并在垂直位置内沿一默认的运送途径经由各站而移动，因而，亦装设有一实心之脚座(6)及在一真空室内供夹持及引导用之设备，而在该脚座(6)上亦装设有一顶部(7)，该顶部则构成为一种金(银)丝细工作装饰而成之平面框架，在该框架内可利用一底质之夹持具(14，15)将需要处理之各底质(23，23′, . . .)悬挂起来，而在该框上底质夹持具(14，15)之此种夹持夹方式则可以移动以及在底质夹持具(14，15)及框架间之相对运动亦属可能，例如，由于加热之结果而产生一种长度之改变。

10. 发明专利

TW378483B 以微波强化電漿噴鍍的裝置失效
简体标题：以微波强化等离子喷镀的设备
公开(公告)号：TW378483B
公开(公告)日：2000-01-01
申请号：TW083107752
申请日：1994-08-23
申请人：藍伯德公司
发明人：魯道夫雷茲
IPC分类号： H05K
摘要：本發明揭示一種以微波強化之電漿噴鍍裝置。該微波在該噴鍍電極之前通過一微波諧振器進入該電漿容積內,而且尤其因此其等不會延伸經過該噴鍍電極之黑暗空間。
简体摘要：本发明揭示一种以微波强化之等离子喷镀设备。该微波在该喷镀电极之前通过一微波谐振器进入该等离子容积内,而且尤其因此其等不会延伸经过该喷镀电极之黑暗空间。

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