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1. 发明专利

TW201205904A 發光二極體模組，發光二極體封裝，與配線基板及其製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管模块，发光二极管封装，与配线基板及其制造方法
公开(公告)号：TW201205904A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100122465
申请日：2011-06-27
申请人：日立電線股份有限公司
发明人：今井昇 , 野口雅弘 , 伊坂文哉 , 柴田明司 , 芦立讓 , 鈴木亞季
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/46 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/48227 , H01L2224/48235 , H01L2933/0033 , Y10T29/49165 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要：一種特別適於小尺寸的發光二極體晶片的發光二極體模組,發光二極體封裝(封裝體等),與配線基板及其製造方法,具有如下特徵:1)雖然為單面配線基板但散熱性良好、2)薄型、3)配線圖案難以影響發光二極體晶片的光的反射、4)配線圖案上的鍍層可以不使用鍍銀。發光二極體模組具有至少第1面側之波長為450nm的光的全反射率為80%以上的電絕緣材料、貫通電絕緣材料的導通孔(via hole)、設置在電絕緣材料的第2面側的配線圖案以及設置在導通孔內與配線圖案電導通的金屬填充部;在電絕緣材料的第1面側且金屬填充部的表面上接合發光二極體晶片,並對發光二極體晶片進行樹脂密封。
简体摘要：一种特别适于小尺寸的发光二极管芯片的发光二极管模块,发光二极管封装(封装体等),与配线基板及其制造方法,具有如下特征:1)虽然为单面配线基板但散热性良好、2)薄型、3)配线图案难以影响发光二极管芯片的光的反射、4)配线图案上的镀层可以不使用镀银。发光二极管模块具有至少第1面侧之波长为450nm的光的全反射率为80%以上的电绝缘材料、贯通电绝缘材料的导通孔(via hole)、设置在电绝缘材料的第2面侧的配线图案以及设置在导通孔内与配线图案电导通的金属填充部;在电绝缘材料的第1面侧且金属填充部的表面上接合发光二极管芯片,并对发光二极管芯片进行树脂密封。

2. 发明专利

TW201119088A 發光元件 LIGHT EMITTING ELEMENT 审中-公开
简体标题：发光组件 LIGHT EMITTING ELEMENT
公开(公告)号：TW201119088A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW099132175
申请日：2010-09-23
申请人：日立電線股份有限公司
发明人：今野泰一郎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/14
摘要：一種發光元件,包括半導體基板;發光部,具有第一傳導類型的第一被覆層、傳導類型不同於第一被覆層之第二傳導類型的第二被覆層和夾在第一被覆層和第二被覆層之間的主動層;反射部,用於反射從主動層發出的光,設置在半導體基板和發光部之間並具有1.7��m至8.0��m的厚度;電流擴散層,設置在發光部與反射部相對的一側上,且在其表面上具有凹凸部,其中形成反射部以具有至少三個由第一半導體層和不同於第一半導體層的第二半導體層形成的成對的層。如從主動層發出的光的峰値波長是��P、第一半導體層的折射率是nA、第二半導體層的折射率是nB、第一被覆層的折射率是nIn且第二半導體層上光的入射角是��,第一半導體層具有由公式(1)定義的厚度TA,第二半導體層具有由公式(2)定義的厚度TB,以及當公式(1)和(2)中光的入射角��的値對於每個成對的層不同時,反射部多對成對的層相應地具有彼此不同的厚度,且至少一個成對的層包括由不小於50度的光的入射角��定義的第一半導體層和第二半導體層。
简体摘要：一种发光组件,包括半导体基板;发光部,具有第一传导类型的第一被覆层、传导类型不同于第一被覆层之第二传导类型的第二被覆层和夹在第一被覆层和第二被覆层之间的主动层;反射部,用于反射从主动层发出的光,设置在半导体基板和发光部之间并具有1.7��m至8.0��m的厚度;电流扩散层,设置在发光部与反射部相对的一侧上,且在其表面上具有凹凸部,其中形成反射部以具有至少三个由第一半导体层和不同于第一半导体层的第二半导体层形成的成对的层。如从主动层发出的光的峰値波长是��P、第一半导体层的折射率是nA、第二半导体层的折射率是nB、第一被覆层的折射率是nIn且第二半导体层上光的入射角是��,第一半导体层具有由公式(1)定义的厚度TA,第二半导体层具有由公式(2)定义的厚度TB,以及当公式(1)和(2)中光的入射角��的値对于每个成对的层不同时,反射部多对成对的层相应地具有彼此不同的厚度,且至少一个成对的层包括由不小于50度的光的入射角��定义的第一半导体层和第二半导体层。

3. 发明专利

TW201103106A 半導體裝置用之捲帶式自動接合（ＴＡＢ）捲帶及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备用之卷带式自动接合（ＴＡＢ）卷带及其制造方法
公开(公告)号：TW201103106A
公开(公告)日：2011-01-16
申请号：TW099100261
申请日：2010-01-07
申请人：日立電線股份有限公司
发明人：石川浩史
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/50 , H01L2924/12044 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本發明提供一種具備精細圖案之內部導線的半導體裝置用之TAB捲帶及其製造方法，其特別解決了內部導線之頂部寬幅的細窄或因其所導致之接合不良等情形發生，且不會有圖案不佳、短路不良或絕緣可靠性降低之類的其他新的不良情形產生，得以確保對於所安裝之半導體裝置的電極焊墊，可獲得確實接合之足夠寬的頂部寬幅。在本發明的半導體裝置用之TAB捲帶中，內部導線6及配線圖案5係藉由使用添加有由有機化合物或無機化合物所構成的抑制劑之蝕刻劑來進行的溼式蝕刻製程，將導體箔11進行圖案加工而形成。
简体摘要：本发明提供一种具备精细图案之内部导线的半导体设备用之TAB卷带及其制造方法，其特别解决了内部导线之顶部宽幅的细窄或因其所导致之接合不良等情形发生，且不会有图案不佳、短路不良或绝缘可靠性降低之类的其他新的不良情形产生，得以确保对于所安装之半导体设备的电极焊垫，可获得确实接合之足够宽的顶部宽幅。在本发明的半导体设备用之TAB卷带中，内部导线6及配线图案5系借由使用添加有由有机化合物或无机化合物所构成的抑制剂之蚀刻剂来进行的湿式蚀刻制程，将导体箔11进行图案加工而形成。

4. 发明专利

TW200635000A 電子裝置用基板及其製造方法、以及電子裝置及其製造方法失效
简体标题：电子设备用基板及其制造方法、以及电子设备及其制造方法
公开(公告)号：TW200635000A
公开(公告)日：2006-10-01
申请号：TW094146106
申请日：2005-12-23
申请人：日立電線股份有限公司 HITACHI CABLE LTD. , NEC化合物半導體器件股份有限公司 NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES, LTD
发明人：珍田聰 CHINDA, AKIRA , 宮本宣明 MIYAMOTO NOBUAKI , 平澤宏希 HIRASAWA, KOKI , 內田建次 , 御田護 MITA, MAMORU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/486 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/49827 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2221/68345 , H01L2224/05554 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/85001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01067 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10161 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15173 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , Y10T29/49124 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49139 , Y10T29/49146 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要：本發明係提供一種電子裝置用基板及其製造方法、以及電子裝置及其製造方法，其能以較小的力量從電子裝置用基板側剝下芯基板，來減輕為了使電極面在下面露出的化學、電化學溶解法或機械研磨作業的負荷，並且能夠進一步縮小尺寸。在金屬製的芯基板101上形成裝載有電子零件的耐焊光阻劑(PSR)膜102，在該PSR膜102上，由鍍金膜104、鍍鎳膜105和鍍金膜106這三層構成的多個金屬電極110，以貫通PSR膜102的厚度方向的方式形成於PSR膜102的既定位置的內部。在製造電子裝置的最終階段，藉由噴射氯化鐵水溶液來化學溶解除去芯基板101。
简体摘要：本发明系提供一种电子设备用基板及其制造方法、以及电子设备及其制造方法，其能以较小的力量从电子设备用基板侧剥下芯基板，来减轻为了使电极面在下面露出的化学、电化学溶解法或机械研磨作业的负荷，并且能够进一步缩小尺寸。在金属制的芯基板101上形成装载有电子零件的耐焊光阻剂(PSR)膜102，在该PSR膜102上，由镀金膜104、镀镍膜105和镀金膜106这三层构成的多个金属电极110，以贯通PSR膜102的厚度方向的方式形成于PSR膜102的既定位置的内部。在制造电子设备的最终阶段，借由喷射氯化铁水溶液来化学溶解除去芯基板101。

5. 发明专利

TWI256174B 內置型天線及其製造方法和固定方法和使用其的電子裝置失效
简体标题：内置型天线及其制造方法和固定方法和使用其的电子设备
公开(公告)号：TWI256174B
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW092124598
申请日：2003-09-05
申请人：日立電線股份有限公司 HITACHI CABLE, LTD. , 東芝股份有限公司 TOSHIBA CORPORATION
发明人：橫地利之 YOKOCHI TOSHIYUKI , 高場進一 TAKABA SHINICHI , 杉山剛博 SUGIYAMA TAKAHIRO
IPC分类号： H01Q , H04B
CPC分类号： H01Q1/243 , H01Q1/12 , H01Q1/1207 , H01Q9/0407
摘要：本發明涉及內置型天線、使用內置型天線的電子裝置和內置型天線的製造方法以及內置型天線的固定方法。本發明提供一種高生產率的內置型天線、使用內置型天線的電子裝置和內置型天線的製造方法以及內置型天線的固定方法。在製造內置型天線的時候，通過可以連續地進行從衝壓到彎曲加工的連續模具，依次或者同時衝壓出在固定並內置在殼體的時候可以被多個突起貫穿的多個通孔，由此，在作為金屬板放射部的區域內形成多個通孔，可以穩定地進行加工，並且提高內置型天線的生產率。另外，因為具有通扎，所以不需要專用的夾具，可以降低安裝工時，提高安裝作業的可靠性。
简体摘要：本发明涉及内置型天线、使用内置型天线的电子设备和内置型天线的制造方法以及内置型天线的固定方法。本发明提供一种高生产率的内置型天线、使用内置型天线的电子设备和内置型天线的制造方法以及内置型天线的固定方法。在制造内置型天线的时候，通过可以连续地进行从冲压到弯曲加工的连续模具，依次或者同时冲压出在固定并内置在壳体的时候可以被多个突起贯穿的多个通孔，由此，在作为金属板放射部的区域内形成多个通孔，可以稳定地进行加工，并且提高内置型天线的生产率。另外，因为具有通扎，所以不需要专用的夹具，可以降低安装工时，提高安装作业的可靠性。

6. 发明专利

TW200613587A 添加矽的砷化鎵單結晶基板失效
简体标题：添加硅的砷化镓单结晶基板
公开(公告)号：TW200613587A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW093132498
申请日：2004-10-22
申请人：日立電線股份有限公司 HITACHI CABLE, LTD.
发明人：和地三千則 WACHI, MICHINORI , 井谷賢哉 ITANI, KENYA
IPC分类号： C30B
摘要：一種採用垂直布裏奇曼法、垂直溫度梯度凝固法製造的添加矽的砷化鎵基板，基板的載體濃度在0.1×10^18～5.0×10^18／cm^3範圍內，基板面內載體濃度的最大值和最小值在小於等於基板面內平均載體濃度的10％範圍內波動。此時，表示相同載體濃度的類圓形年輪狀的生長紋的中心，與基板中心的距離較佳的為小於等於基板直徑的1／20的範圍。此外，基板面內重排密度的平均值較佳的為小於等於5,000個／cm^2。利用本發明，可以在大幅度提高元件合格率的同時，容易滿足裝置製造時的生產條件。
简体摘要：一种采用垂直布里奇曼法、垂直温度梯度凝固法制造的添加硅的砷化镓基板，基板的载体浓度在0.1×10^18～5.0×10^18／cm^3范围内，基板面内载体浓度的最大值和最小值在小于等于基板面内平均载体浓度的10％范围内波动。此时，表示相同载体浓度的类圆形年轮状的生长纹的中心，与基板中心的距离较佳的为小于等于基板直径的1／20的范围。此外，基板面内重排密度的平均值较佳的为小于等于5,000个／cm^2。利用本发明，可以在大幅度提高组件合格率的同时，容易满足设备制造时的生产条件。

7. 发明专利

TW200608417A 差動信號傳輸電纜 DIFFERENTIAL SIGNAL TRANSMISSION CABLE 失效
简体标题：差动信号传输电缆 DIFFERENTIAL SIGNAL TRANSMISSION CABLE
公开(公告)号：TW200608417A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：TW094113542
申请日：2005-04-27
申请人：日立電線股份有限公司 HITACHI CABLE, LTD.
发明人：松井量 MATSUI, HAKARU , 小室浩 KOMURO, HIROSHI , 堆信仁 AKUTSU, NOBUHITO , 中東文賢 NAKAHIGASHI, FUMITAKA
IPC分类号： H01B
CPC分类号： H01B11/1025
摘要：一種差動信號傳輸電纜，包括有複數條相互絞合的芯，每一根芯包括有外週覆蓋一絕緣體之內部導體；一外部導體，沿與複數條相互絞合的芯的絞合方向相反的方向繞包複數條相互絞合的芯；以及一護套，設置外部導體之周圍，其外徑小於等於1.0mm。
简体摘要：一种差动信号传输电缆，包括有复数条相互绞合的芯，每一根芯包括有外周覆盖一绝缘体之内部导体；一外部导体，沿与复数条相互绞合的芯的绞合方向相反的方向绕包复数条相互绞合的芯；以及一护套，设置外部导体之周围，其外径小于等于1.0mm。

8. 发明专利

TWI220798B 發光二極體陣列有权
简体标题：发光二极管数组
公开(公告)号：TWI220798B
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW092113976
申请日：2003-05-23
申请人：日立電線股份有限公司 HITACHI CABLE, LTD.
发明人：行本富久 YUKIMOTO TOMIHISA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/153
摘要：本發明提供一種僅抑制無助於發光的巡迴電流路徑中的電流並增大發光輸出功率並且能夠在低電壓下操作的發光二極體陣列。其中，其具有在基板上成長的導電層、在上述導電層上形成的各自獨立的多個發光部、在各發光部上表面的一部分上形成的第一電極、以及在上述導電層上接近上述發光部形成的第二電極，上述第二電極是使多個上述發光部操作的共同電極，上述導電層中僅留下通往上述發光部的電流路徑的區域並去除了相鄰的發光部之間的區域。
简体摘要：本发明提供一种仅抑制无助于发光的巡回电流路径中的电流并增大发光输出功率并且能够在低电压下操作的发光二极管数组。其中，其具有在基板上成长的导电层、在上述导电层上形成的各自独立的多个发光部、在各发光部上表面的一部分上形成的第一电极、以及在上述导电层上接近上述发光部形成的第二电极，上述第二电极是使多个上述发光部操作的共同电极，上述导电层中仅留下通往上述发光部的电流路径的区域并去除了相邻的发光部之间的区域。

9. 发明专利

TW200411977A 內置型天線及其製造方法和固定方法和使用其的電子裝置失效
简体标题：内置型天线及其制造方法和固定方法和使用其的电子设备
公开(公告)号：TW200411977A
公开(公告)日：2004-07-01
申请号：TW092124598
申请日：2003-09-05
申请人：日立電線股份有限公司 HITACHI CABLE, LTD. , 東芝股份有限公司 TOSHIBA CORPORATION
发明人：橫地利之 YOKOCHI TOSHIYUKI , 高場進一 TAKABA SHINICHI , 杉山剛博 SUGIYAMA TAKAHIRO
IPC分类号： H01Q , H04B
CPC分类号： H01Q1/243 , H01Q1/12 , H01Q1/1207 , H01Q9/0407
摘要：本發明涉及內置型天線、使用內置型天線的電子裝置和內置型天線的製造方法以及內置型天線的固定方法。本發明提供一種高生產率的內置型天線、使用內置型天線的電子裝置和內置型天線的製造方法以及內置型天線的固定方法。在製造內置型天線的時候，通過可以連續地進行從衝壓到彎曲加工的連續模具，依次或者同時衝壓出在固定並內置在殼體的時候可以被多個突起貫穿的多個通孔，由此，在作為金屬板放射部的區域內形成多個通孔，可以穩定地進行加工，並且提高內置型天線的生產率。另外，因為具有通孔，所以不需要專用的夾具，可以降低安裝工時，提高安裝作業的可靠性。
简体摘要：本发明涉及内置型天线、使用内置型天线的电子设备和内置型天线的制造方法以及内置型天线的固定方法。本发明提供一种高生产率的内置型天线、使用内置型天线的电子设备和内置型天线的制造方法以及内置型天线的固定方法。在制造内置型天线的时候，通过可以连续地进行从冲压到弯曲加工的连续模具，依次或者同时冲压出在固定并内置在壳体的时候可以被多个突起贯穿的多个通孔，由此，在作为金属板放射部的区域内形成多个通孔，可以稳定地进行加工，并且提高内置型天线的生产率。另外，因为具有通孔，所以不需要专用的夹具，可以降低安装工时，提高安装作业的可靠性。

10. 发明专利

TW544753B 磊晶生長氮化物基化合物半導體結晶基板構造之製造方法及該基板構造有权
简体标题：磊晶生长氮化物基化合物半导体结晶基板构造之制造方法及该基板构造
公开(公告)号：TW544753B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091110831
申请日：2002-05-20
申请人：日本電氣股份有限公司 , 日立電線股份有限公司
发明人：碓井彰 , 柴田真佐知 , 大島 一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/0075
摘要：一金屬層直接形成在基板本體上之氮化物基化合物半導體基底層之上。該金屬層包含至少一金屬，其在熱處理之幫助下對構成基底層之原子產生原子作用力，以促進從基底層移除組成原子，藉以形成貫穿金屬層的細孔，同時在氮化物基化合物半導體基底層之中形成許多空隙。在最初瞬間磊晶生長中進行氮化物基化合物半導體結晶的磊晶生長，其填入該空隙，並在接著的主要磊晶生長中生長在多孔性金屬層之上。
简体摘要：一金属层直接形成在基板本体上之氮化物基化合物半导体基底层之上。该金属层包含至少一金属，其在热处理之帮助下对构成基底层之原子产生原子作用力，以促进从基底层移除组成原子，借以形成贯穿金属层的细孔，同时在氮化物基化合物半导体基底层之中形成许多空隙。在最初瞬间磊晶生长中进行氮化物基化合物半导体结晶的磊晶生长，其填入该空隙，并在接着的主要磊晶生长中生长在多孔性金属层之上。

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