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    • 3. 发明专利
    • 通訊裝置、通訊控制方法及電腦可讀取之記錄媒體
    • 通信设备、通信控制方法及电脑可读取之记录媒体
    • TWI224458B
    • 2004-11-21
    • TW092101718
    • 2003-01-27
    • 東芝股份有限公司 TOSHIBA CORPORATION
    • 齊藤健 TAKWSHI SAITO中北英明角田啓治
    • H04L
    • H04L63/0428H04L63/061H04L63/08H04L63/162H04L2463/101
    • 提供能夠將必須保護著作權之AV資料密碼化,轉送及解碼之可利用範圍限制於一定範圍內之通訊裝置。
      將由無線AV送信裝置1到無線AV受信裝置2,而必須保護著作權之AV資料密碼化,在網路協定上轉送。此時,必須保護著作權之AV資料的密碼化或解碼所使用之密碼鑰匙係藉由在無線AV送信裝置1與無線AV受信裝置2之間進行認證.鑰匙交換手續而共有。此認證.鑰匙交換手續係在物理網路架構上成資料連結層網路架構上直接進行。因此,能夠將必須保護著作權之AV資料的可操作範圍限定在IP子網路內之無線網路內或者IP子網路內。
    • 提供能够将必须保护版权之AV数据密码化,转送及译码之可利用范围限制于一定范围内之通信设备。 将由无线AV送信设备1到无线AV受信设备2,而必须保护版权之AV数据密码化,在网络协定上转送。此时,必须保护版权之AV数据的密码化或译码所使用之密码钥匙系借由在无线AV送信设备1与无线AV受信设备2之间进行认证.钥匙交换手续而共有。此认证.钥匙交换手续系在物理网络架构上成数据链接层网络架构上直接进行。因此,能够将必须保护版权之AV数据的可操作范围限定在IP子网络内之无线网络内或者IP子网络内。
    • 6. 外观设计
    • 手機 A PORTABLE PHONE
    • 手机 A PORTABLE PHONE
    • TWD120986S
    • 2008-01-11
    • TW095307124
    • 2006-12-21
    • 東芝股份有限公司 TOSHIBA CORPORATION
    • 鈴木毅 SUZUKI, TAKESHI
    • 【物品用途】本創作的物品是一種手機,能提供無線通訊的攜帶型手機。【創作特點】本創作是一種可開啟與閉合的摺疊式手機,如立體圖所示,該手機外殼是由手機蓋和鍵盤本體的機殼,將兩者以樞接的方式所組成,如前視圖所示,該兩者皆為扁長矩形外殼,並於四個角落形成圓角狀,於外表面中央設有一長方圓形框,該框的略上方設有一長矩形的透明副顯示面板,且在該副顯示面板的正上方設有一細長的橫條形顯示燈,而在該顯示面板之略下方的兩側各設有一長圓形且表面佈滿小孔的揚聲部;另如打開狀態立體圖所示,該手機蓋的內表面具有一大面積的透明液晶顯示面板,且在該面板的正上方設有一橫長形的受話部,以及一小方圓形的透明照相部,而在鍵盤本體上設有操作鍵外,在操作鍵的下緣設有一細橫長圓形的麥克風,且於右側邊設有紅外線通訊窗及操作鍵等,另在鍵盤本體的底緣設有一充電端子部蓋;整體而言,是一新穎獨特的手機造型設計。
    • 【物品用途】本创作的物品是一种手机,能提供无线通信的便携式手机。【创作特点】本创作是一种可打开与闭合的折叠式手机,如三維图所示,该手机外壳是由手机盖和键盘本体的机壳,将两者以枢接的方式所组成,如前视图所示,该两者皆为扁长矩形外壳,并于四个角落形成圆角状,于外表面中央设有一长方圆形框,该框的略上方设有一长矩形的透明副显示皮肤,且在该副显示皮肤的正上方设有一细长的横条形显示灯,而在该显示皮肤之略下方的两侧各设有一长圆形且表面布满小孔的扬声部;另如打开状态三維图所示,该手机盖的内表面具有一大面积的透明液晶显示皮肤,且在该皮肤的正上方设有一横长形的受话部,以及一小方圆形的透明照相部,而在键盘本体上设有操作键外,在操作键的下缘设有一细横长圆形的麦克风,且于右侧边设有红外线通信窗及操作键等,另在键盘本体的底缘设有一充电端子部盖;整体而言,是一新颖独特的手机造型设计。
    • 9. 发明专利
    • 半導體發光元件 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE
    • 半导体发光组件 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE
    • TWI227948B
    • 2005-02-11
    • TW092126101
    • 2003-09-22
    • 東芝股份有限公司 TOSHIBA CORPORATION
    • 紺野邦明藤木潤一
    • H01L
    • H01L33/30H01L33/20
    • 本發明係提供一種不會導致動作電壓上昇或信賴性降低而光取出效率高的高輸出LED(Power LED)。其特徵係具有:磊晶生長層(epitaxial growth layer)(具有第1導電型覆層(first conductive type clad layer),及被形成於前述第1導電型覆層上,由InGaAlP系半導體(InGaAlP compound semiconductor)所形成且產生光之活性層(active layer),及被形成於前述活性層上之第 2導電型覆層),與透明第1導電型GaP基板(由GaP所形成,厚度150μm以上,具有第1面。前述第1面,其面積為0.1mm2以上,直接地或中介著接著層而被接著於前述第1導電型覆層之接著面。前述第1導電型覆層之前述接著面的面積小於前述基板之前述第1面的面積,且前述第1面或前述接著層之一部會被顯露。)。
    • 本发明系提供一种不会导致动作电压上升或信赖性降低而光取出效率高的高输出LED(Power LED)。其特征系具有:磊晶生长层(epitaxial growth layer)(具有第1导电型覆层(first conductive type clad layer),及被形成于前述第1导电型覆层上,由InGaAlP系半导体(InGaAlP compound semiconductor)所形成且产生光之活性层(active layer),及被形成于前述活性层上之第 2导电型覆层),与透明第1导电型GaP基板(由GaP所形成,厚度150μm以上,具有第1面。前述第1面,其面积为0.1mm2以上,直接地或中介着接着层而被接着于前述第1导电型覆层之接着面。前述第1导电型覆层之前述接着面的面积小于前述基板之前述第1面的面积,且前述第1面或前述接着层之一部会被显露。)。