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1. 发明专利

TW201703109A 晶圓用的電漿處理裝置审中-公开
简体标题：晶圆用的等离子处理设备
公开(公告)号：TW201703109A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105110497
申请日：2016-04-01
申请人：山特森光伏股份有限公司 , CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人：科利克麥可 , KLICK, MICHAEL , 羅特拉爾夫 , ROTHE, RALF , 萊爾希韋費德 , LERCH, WILFRIED , 雷利約翰尼斯 , REHLI, JOHANNES
IPC分类号： H01L21/02 , H01J37/32 , H01L21/673 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/67313 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32577 , H01J37/32715 , H01L21/67326
摘要：為了提供高頻波至晶舟中的改良式引入，提供一種晶圓用電漿處理裝置，晶圓尤其是用於半導體或光伏打應用的半導體晶圓，其中裝置包括：處理室，用於固持晶舟，晶舟具有用於晶圓的多個導電載體元件；控制或調節處理室中的處理氣體氣氛的調控工具；以及至少一個電壓源，可藉助於饋入至處理室中的電纜而與晶舟連接。電纜呈具有內部導體以及外部導體的同軸電纜的形式，且在內部導體與外部導體之間提供介電質使得當施加高頻電壓時，同軸電纜中的電磁波的傳播速度以及波長相對於真空中的電磁波的傳播速度以及波長縮減。
简体摘要：为了提供高频波至晶舟中的改良式引入，提供一种晶圆用等离子处理设备，晶圆尤其是用于半导体或光伏打应用的半导体晶圆，其中设备包括：处理室，用于固持晶舟，晶舟具有用于晶圆的多个导电载体组件；控制或调节处理室中的处理气体气氛的调控工具；以及至少一个电压源，可借助于馈入至处理室中的电缆而与晶舟连接。电缆呈具有内部导体以及外部导体的同轴电缆的形式，且在内部导体与外部导体之间提供介电质使得当施加高频电压时，同轴电缆中的电磁波的传播速度以及波长相对于真空中的电磁波的传播速度以及波长缩减。

2. 发明专利

TW201704563A 晶舟以及晶圓處理裝置审中-公开
简体标题：晶舟以及晶圆处理设备
公开(公告)号：TW201704563A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105110509
申请日：2016-04-01
申请人：山特森光伏股份有限公司 , CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人：科利克麥可 , KLICK, MICHAEL , 羅特拉爾夫 , ROTHE, RALF , 萊爾希韋費德 , LERCH, WILFRIED , 雷利約翰尼斯 , REHLI, JOHANNES
IPC分类号： C30B25/12 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/673 , C23C16/458
CPC分类号： C23C14/34 , B65G21/20 , H01J37/32715 , H01L21/28 , H01L21/67313 , H01L21/67316
摘要：用於盤狀晶圓的電漿處理的晶舟，盤狀晶圓尤其是用於半導體或光伏打應用的半導體晶圓；及一種晶圓用電漿處理裝置。晶舟包括：多個第一載體元件，平行於彼此而定位，每一載體元件具有用於固持晶圓或晶圓對的邊緣的多個載體縫隙；以及多個第二載體元件，平行於彼此而定位，多個第二載體元件各自導電且具有用於固持至少一個晶圓或一個晶圓對的邊緣區的至少一個凹痕。替代性晶舟包括多個導電板狀載體元件，多個導電板狀載體元件平行於彼此而定位且小於待攜載的晶圓的高度的一半，載體元件各自在其對置側上具有用於固持晶圓的至少三個載體元件。晶舟可固持於電漿處理裝置的處理腔室中，且電漿處理裝置包括控制或調節處理腔室中的處理氣體氣氛的工具，且電漿處理裝置亦包括至少一個電壓源，至少一個電壓源可以合適方式而與晶舟的導電載體元件連接以便在固持於晶舟中的直接鄰近晶圓之間供應電壓。
简体摘要：用于盘状晶圆的等离子处理的晶舟，盘状晶圆尤其是用于半导体或光伏打应用的半导体晶圆；及一种晶圆用等离子处理设备。晶舟包括：多个第一载体组件，平行于彼此而定位，每一载体组件具有用于固持晶圆或晶圆对的边缘的多个载体缝隙；以及多个第二载体组件，平行于彼此而定位，多个第二载体组件各自导电且具有用于固持至少一个晶圆或一个晶圆对的边缘区的至少一个凹痕。替代性晶舟包括多个导电板状载体组件，多个导电板状载体组件平行于彼此而定位且小于待携载的晶圆的高度的一半，载体组件各自在其对置侧上具有用于固持晶圆的至少三个载体组件。晶舟可固持于等离子处理设备的处理腔室中，且等离子处理设备包括控制或调节处理腔室中的处理气体气氛的工具，且等离子处理设备亦包括至少一个电压源，至少一个电压源可以合适方式而与晶舟的导电载体组件连接以便在固持于晶舟中的直接邻近晶圆之间供应电压。

3. 发明专利

TW201706445A 晶舟、晶圓處理裝置以及晶圓處理方法审中-公开
简体标题：晶舟、晶圆处理设备以及晶圆处理方法
公开(公告)号：TW201706445A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105110489
申请日：2016-04-01
申请人：山特森光伏股份有限公司 , CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人：科利克麥可 , KLICK, MICHAEL , 羅特拉爾夫 , ROTHE, RALF , 萊爾希韋費德 , LERCH, WILFRIED , 雷利約翰尼斯 , REHLI, JOHANNES
IPC分类号： C23C16/458 , C30B25/12 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/673
CPC分类号： H01L21/67313 , C23C16/4587 , C23C16/505 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/02123 , H01L21/324 , H01L21/67109 , H01L21/67383 , H01L21/67754 , H01L21/67757 , H01L21/68771
摘要：本發明描述一種用於盤狀晶圓的電漿處理的晶舟，盤狀晶圓尤其是用於半導體或光伏打應用的半導體晶圓，晶舟具有由導電材料製成的平行於彼此而定位的多個板，多個板面向另一板的每一側上具有用於晶圓的至少一個載體且界定板的載體區。亦提供多個間隔元件，定位於直接鄰近板之間以便平行地定位板，其中間隔元件導電。亦描述一種晶圓用電漿處理裝置以及一種用於晶圓的電漿處理的方法。裝置具有用於收納先前所描述的類型的晶舟的處理室、用於控制或調節處理腔室中的處理氣體氣氛的調控工具、以及至少一個電壓源，至少一個電壓源可以合適方式而與晶舟的板連接，以便在晶舟的直接鄰近板之間施加電壓，其中至少一個電壓源適合於施加至少一個DC電流或至少一個低頻AC電流以及至少一個高頻AC電流。在方法中，在加熱階段期間，將DC電流或低頻AC電流施加至晶舟的板使得間隔元件由於流動通過間隔元件的電流而變熱，且在處理階段期間，將高頻AC電流施加至晶舟的板以便在插入至板中的晶圓之間產生電漿。
简体摘要：本发明描述一种用于盘状晶圆的等离子处理的晶舟，盘状晶圆尤其是用于半导体或光伏打应用的半导体晶圆，晶舟具有由导电材料制成的平行于彼此而定位的多个板，多个板面向另一板的每一侧上具有用于晶圆的至少一个载体且界定板的载体区。亦提供多个间隔组件，定位于直接邻近板之间以便平行地定位板，其中间隔组件导电。亦描述一种晶圆用等离子处理设备以及一种用于晶圆的等离子处理的方法。设备具有用于收纳先前所描述的类型的晶舟的处理室、用于控制或调节处理腔室中的处理气体气氛的调控工具、以及至少一个电压源，至少一个电压源可以合适方式而与晶舟的板连接，以便在晶舟的直接邻近板之间施加电压，其中至少一个电压源适合于施加至少一个DC电流或至少一个低频AC电流以及至少一个高频AC电流。在方法中，在加热阶段期间，将DC电流或低频AC电流施加至晶舟的板使得间隔组件由于流动通过间隔组件的电流而变热，且在处理阶段期间，将高频AC电流施加至晶舟的板以便在插入至板中的晶圆之间产生等离子。

4. 发明专利

TW201724326A 板元件、晶片舟及電漿處理設備审中-公开
简体标题：板组件、芯片舟及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201724326A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105137597
申请日：2016-11-17
申请人：山特森光伏股份有限公司 , CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人：博科彼得 , VOLK, PETER , 華克武利 , WALK, ULI , 喬斯沃爾夫岡 , JOOSS, WOLFGANG
IPC分类号： H01L21/673 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/67313 , C23C16/4587 , C23C16/505 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/67754 , H01L21/68771
摘要：一種板元件、晶片舟及電漿處理設備。板元件導電且在每一面上皆具用於將晶片容置在晶片容置區域中的容置單元。板元件具有處於板元件之面中的凹部及/或處於板元件中的開口，其中凹部及/或開口在板元件中至少部分徑向地處於晶片容置區域外部且與其緊鄰。晶片舟具有數個彼此平行配置的板元件，其中相鄰的板元件彼此電絕緣。電漿處理設備具有用於容置晶片舟的製程腔以及用於控制或調節製程腔中之製程氣體氣氛的構件及電壓源，電壓源可以合適的方式與晶片舟之導電容置元件連接，以便在緊鄰之容置在晶片舟中的晶片之間施加電壓。
简体摘要：一种板组件、芯片舟及等离子处理设备。板组件导电且在每一面上皆具用于将芯片容置在芯片容置区域中的容置单元。板组件具有处于板组件之面中的凹部及/或处于板组件中的开口，其中凹部及/或开口在板组件中至少部分径向地处于芯片容置区域外部且与其紧邻。芯片舟具有数个彼此平行配置的板组件，其中相邻的板组件彼此电绝缘。等离子处理设备具有用于容置芯片舟的制程腔以及用于控制或调节制程腔中之制程气体气氛的构件及电压源，电压源可以合适的方式与芯片舟之导电容置组件连接，以便在紧邻之容置在芯片舟中的芯片之间施加电压。

5. 发明专利

TW201730968A 基板的熱處理裝置及方法以及基板的接收單元审中-公开
简体标题：基板的热处理设备及方法以及基板的接收单元
公开(公告)号：TW201730968A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105140523
申请日：2016-12-08
申请人：山特森光伏股份有限公司 , CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人：穆勒斯特芬 , MUELLER, STEFFEN , 阿斯納海爾姆特 , ASCHNER, HELMUT , 凱勒湯瑪斯 , KELLER, THOMAS , 凱格爾威廉 , KEGEL, WILHELM , 萊爾希韋費德 , LERCH, WILFRIED
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67115 , F27B17/0025 , F27D5/0037 , H01L21/68742 , H01L21/6875 , H01L21/68785
摘要：本文描述了一種用於對基板，特別是半導體晶片進行熱處理的方法及裝置，以及一種用於基板的接收單元。在所述方法中，在具有製程室及數個輻射源的製程單元中，將一或數個基板接收在具有下部及頂蓋的盒子中，其中所述下部及所述頂蓋在其間形成用於所述基板的接收空間。在所述方法中，亦實施以下步驟：將所述盒子及所述基板裝入所述製程室並封閉所述製程室；在將所述盒子及所述位於其中之基板加熱至期望的製程溫度前，用沖洗氣體及/或製程氣體對所述盒子的接收空間進行沖洗，以便在所述盒子內部調節期望的氣氛；以及藉由自所述輻射源所發射的熱輻射將所述盒子及所述位於其中之基板加熱至期望的製程溫度。所述用於基板的接收單元用於在具有製程室及數個輻射源的製程單元中承載所述基板。所述接收單元具有下部及頂蓋，所述下部及所述頂蓋在所述封閉狀態下在其間形成具有用於所述基板之接收空間的盒子，其中所述接收單元的部件中之至少一個具有數個沖洗開口，所述沖洗開口將所述盒子之周邊與所述接收空間連接在一起，以便在所述盒子之封閉狀態下對所述接收空間進行沖洗，其中所述沖洗開口以某種方式構建，使其基本防止所述輻射源之熱輻射穿過。
简体摘要：本文描述了一种用于对基板，特别是半导体芯片进行热处理的方法及设备，以及一种用于基板的接收单元。在所述方法中，在具有制程室及数个辐射源的制程单元中，将一或数个基板接收在具有下部及顶盖的盒子中，其中所述下部及所述顶盖在其间形成用于所述基板的接收空间。在所述方法中，亦实施以下步骤：将所述盒子及所述基板装入所述制程室并封闭所述制程室；在将所述盒子及所述位于其中之基板加热至期望的制程温度前，用冲洗气体及/或制程气体对所述盒子的接收空间进行冲洗，以便在所述盒子内部调节期望的气氛；以及借由自所述辐射源所发射的热辐射将所述盒子及所述位于其中之基板加热至期望的制程温度。所述用于基板的接收单元用于在具有制程室及数个辐射源的制程单元中承载所述基板。所述接收单元具有下部及顶盖，所述下部及所述顶盖在所述封闭状态下在其间形成具有用于所述基板之接收空间的盒子，其中所述接收单元的部件中之至少一个具有数个冲洗开口，所述冲洗开口将所述盒子之周边与所述接收空间连接在一起，以便在所述盒子之封闭状态下对所述接收空间进行冲洗，其中所述冲洗开口以某种方式构建，使其基本防止所述辐射源之热辐射穿过。

6. 发明专利

TW201721724A 鈍化半導體基板中缺陷的方法與裝置审中-公开
简体标题：钝化半导体基板中缺陷的方法与设备
公开(公告)号：TW201721724A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105130550
申请日：2016-09-22
申请人：山特森光伏股份有限公司 , CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人：沛爾瑙湯瑪斯 , PERNAU, THOMAS , 博科彼得 , VOLK, PETER , 艾爾塞漢斯-彼得 , ELSER, HANS-PETER , 謝菲勒沃爾夫岡 , SCHEIFFELE, WOLFGANG , 里查安德利斯 , REICHART, ANDREAS , 羅默奧拉夫 , ROMER, OLAF , 喬斯沃爾夫岡 , JOOSS, WOLFGANG
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L31/18 , F27B9/00
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67173 , Y02E10/50
摘要：本文描述了用於鈍化半導體基板，特別是矽基太陽電池，之缺陷的一種方法與一種裝置。根據該方法，在第一處理階段中對該基板施加電磁輻射，其中施加於該基板的輻射至少具有小於1200 nm的波長及至少8000瓦/m2的強度。在此過程中可導致該基板之加熱，亦可實施調溫。隨後，在該第一處理階段之後的溫度保持階段中用電磁輻射照射該基板，其中施加於該基板的輻射主要具有小於1200 nm的波長及至少8000瓦/m2的強度；同時透過與被一冷卻裝置所冷卻的塗層發生接觸，來冷卻該基板之背離該電磁輻射之輻射源的一面。該裝置具有包含長條形處理室的連續爐，該處理室具有至少三個先後配置的區（第一處理區、溫度保持區及冷卻區）及至少一用於容置該基板且用於輸送該基板穿過所述區的輸送單元。該裝置還具有至少一第一輻射源，該第一輻射源能夠將電磁輻射照射至該輸送單元之位於該第一處理區內的區域，且該第一輻射源適於至少產生小於1200 nm的波長及至少8000瓦/m2的強度；以及至少一第二輻射源，該第二輻射源能夠將電磁輻射照射至該輸送單元之位於該溫度保持區內的區域，且該第二輻射源適於至少產生小於1200 nm的波長及至少8000瓦/m2的強度。至少一第一冷卻單元與該輸送單元之位於該溫度保持區內的區域發生導熱接觸。
简体摘要：本文描述了用于钝化半导体基板，特别是硅基太阳电池，之缺陷的一种方法与一种设备。根据该方法，在第一处理阶段中对该基板施加电磁辐射，其中施加于该基板的辐射至少具有小于1200 nm的波长及至少8000瓦/m2的强度。在此过程中可导致该基板之加热，亦可实施调温。随后，在该第一处理阶段之后的温度保持阶段中用电磁辐射照射该基板，其中施加于该基板的辐射主要具有小于1200 nm的波长及至少8000瓦/m2的强度；同时透过与被一冷却设备所冷却的涂层发生接触，来冷却该基板之背离该电磁辐射之辐射源的一面。该设备具有包含长条形处理室的连续炉，该处理室具有至少三个先后配置的区（第一处理区、温度保持区及冷却区）及至少一用于容置该基板且用于输送该基板穿过所述区的输送单元。该设备还具有至少一第一辐射源，该第一辐射源能够将电磁辐射照射至该输送单元之位于该第一处理区内的区域，且该第一辐射源适于至少产生小于1200 nm的波长及至少8000瓦/m2的强度；以及至少一第二辐射源，该第二辐射源能够将电磁辐射照射至该输送单元之位于该温度保持区内的区域，且该第二辐射源适于至少产生小于1200 nm的波长及至少8000瓦/m2的强度。至少一第一冷却单元与该输送单元之位于该温度保持区内的区域发生导热接触。

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