专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2004046888A Electronic device 有权
标题翻译：电子设备
公开(公告)号：JP2004046888A
公开(公告)日：2004-02-12
申请号：JP2003291049
申请日：2003-08-11
申请人： Fujitsu Ltd , Hitachi Ltd , Matsushita Electric Ind Co Ltd , Mitsubishi Electric Corp , Nec Corp , Oki Electric Ind Co Ltd , Kanji Otsuka , Sanyo Electric Co Ltd , Sharp Corp , Sony Corp , Toshiba Corp , シャープ株式会社 , ソニー株式会社 , 三洋電機株式会社 , 三菱電機株式会社 , 大塚寛治 , 富士通株式会社 , 日本電気株式会社 , 松下電器産業株式会社 , 株式会社日立製作所 , 株式会社東芝 , 沖電気工業株式会社
发明人： OTSUKA KANJI
IPC分类号： G06F1/18 , G06F12/00 , G06F13/16
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance speed of signal transmission between a CPU and a memory in regard to an electronic device provided with a CPU and a plurality of memories. SOLUTION: The memories 217, 225, 233 and 241 are connected so that distances of signal wiring groups 175, 176, 177 and 178 from signal terminal connecting ends of the CPU 216 are the same. The memories 218, 226, 234 and 242 are connected so that distances of the signal wiring groups 175, 176, 177 and 178 from the signal terminal connecting ends of the CPU 216 are the same. The memories 219, 227, 235, 243 are connected so that distances of the signal wiring groups 175, 176, 177 and 178 from the signal terminal connecting ends of the CPU 216 are the same. The memories 220, 228, 236, 244 are connected so that distances of the signal wiring groups 175, 176, 177 and 178 from the signal terminal connecting ends of the CPU 216 are the same. COPYRIGHT: (C)2004,JPO
摘要翻译：要解决的问题：为了提高CPU和存储器之间的信号传输速度，涉及具有CPU和多个存储器的电子设备。存储器217,225,233和241被连接，使得信号布线组175,176,177和178与CPU216的信号端子连接端的距离是相同的。存储器218,226,234和242被连接成使得信号布线组175,176,177和178与CPU216的信号端连接端的距离相同。存储器219,227,235,243被连接成使得信号布线组175,176,177和178与CPU216的信号端连接端的距离相同。存储器220,228,236,244被连接成使得信号布线组175,176,177和178与CPU216的信号端子连接端的距离相同。版权所有（C）2004，JPO

2. 发明专利

JP6138422B2 信号伝送線路とその製造方法有权
公开(公告)号：JP6138422B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2012094134
申请日：2012-04-17
申请人：大塚寛治 , 秋山豊 , 藤井文明 , ルネサスエレクトロニクス株式会社 , 富士ゼロックス株式会社
发明人：大塚寛治 , 秋山豊 , 藤井文明
IPC分类号： H01L23/02 , H01L23/12 , H01P3/02 , H01P11/00 , H01P3/08

3. 发明申请

WO2010001833A1 メモリ・論理共役システム审中-公开
标题翻译：内存/逻辑连接系统
公开(公告)号：WO2010001833A1
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：PCT/JP2009/061741
申请日：2009-06-26
申请人：タマティーエルオー株式会社 , 学校法人明星学苑 , 大塚寛治 , 伊藤恒夫 , 佐藤陽一 , 吉田昌弘 , 山本茂 , 小山武志 , 丹場裕子 , 秋山豊
发明人：大塚　寛治 , 伊藤　恒夫 , 佐藤　陽一 , 吉田　昌弘 , 山本　茂 , 小山　武志 , 丹場　裕子 , 秋山　豊
IPC分类号： G06F7/00 , H03K19/177
CPC分类号： G06F13/4022 , G11C5/02 , G11C7/1006 , G11C2213/71
摘要：　規模の増大をクロスバースイッチで対応するためバンド幅ネックになるという課題がある。本発明に係るメモリ・論理共役システムは、メモリ回路を有する基本セル１０をクラスタ状に配置した複数のクラスタメモリ２０をそれぞれ含む複数のクラスタメモリチップと、複数のクラスタメモリを制御するためのコントローラチップと、を３次元的に積層したシステムであって、複数のクラスタメモリチップ及びコントローラチップの積層方向に沿って位置する複数のクラスタメモリ２０が、貫通ビアを含んで構成されるマルチバス１１を介してコントローラチップに電気的に接続されており、コントローラチップからマルチバス１１を通して任意の基本セル１０に直接アクセスして真理値データを書き込むことにより、任意の基本セル１０を論理回路に切り替えることを特徴とする。
摘要翻译：存在的问题在于，当使用交叉开关来处理规模的增加时，出现带宽瓶颈。提供了一种存储器/逻辑共轭系统，其中多个集群存储器芯片，每个集群存储器芯片包括多个集群存储器（20），其中具有存储器电路的基本单元（10）以簇的形式布置，并且控制器用于控制多个集群存储器的芯片以三维方式堆叠。在多个集群存储器芯片的堆叠方向上布置的多个集群存储器（20）和控制器芯片通过包括通孔通孔和任意基本单元的多重（11）电连接到控制器芯片（10）通过经由多个机架（11）从控制器芯片直接访问任意的基本单元（10）而切换到逻辑电路，并写入真值数据。

4. 发明申请

WO2009096582A1 配線、及び、複合配線审中-公开
标题翻译：接线和复合接线
公开(公告)号：WO2009096582A1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/JP2009/051729
申请日：2009-02-02
申请人：イビデン株式会社 , 日本電気株式会社 , 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 , 富士ゼロックス株式会社 , 京セラ株式会社 , 大塚寛治 , 宇佐美保 , 上田千寿 , 秋山豊
发明人：大塚寛治 , 宇佐美保 , 上田千寿 , 秋山豊
IPC分类号： H01B11/02 , H01B11/06 , H01P3/04
CPC分类号： H01P3/00
摘要：　ギガヘルツ帯の信号を伝送する配線（ツイストペアケーブル）（１０）であって、互いに撚り合わされた一対の心線（１１）と、第１の絶縁性被覆材（１２）と、第２の絶縁性被覆材（１３）と、前記一対の心線（１１）から放射されるエバーネッセント波を封じ込めるシールド材（１４）と、を備え、前記一対の心線（１１）は、この配線（１０）の特性インピーダンスを１００Ωから２００Ωとし、かつ、前記一対の心線から放射されるＴＥＭ波とエバーネッセント波との位相を整合させる、撚り合わせピッチと、直径と、間隔とを有する。
摘要翻译：传输千兆赫兹信号的线（扭绞线电缆）（10）设置有彼此扭转的一对芯（11），第一绝缘涂层材料（12），第二绝缘涂层材料（13）和限制从一对芯（11）辐射的ev逝波的密封材料（14）。一对芯（11）被设定为具有扭曲间距，线（10）的特性阻抗为100至200O的直径和间隔，并且TEM波和从其中辐射的瞬逝波的相位一对核心彼此匹配。

5. 发明申请

WO2008029827A1 ＡｌＮ結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：生产AlN水晶的工艺
公开(公告)号：WO2008029827A1
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：PCT/JP2007/067265
申请日：2007-09-05
申请人：タマティーエルオー株式会社 , 大塚寛治 , 清宮義博 , 高木健児 , 杉田薫
发明人：大塚寛治 , 清宮義博 , 高木健児 , 杉田薫
IPC分类号： C30B29/38 , C01B21/072 , C30B15/02
CPC分类号： C30B15/36 , C01B21/0722 , C30B15/00 , C30B29/403
摘要：　新規なＡｌＮ結晶の製造方法を提供する。本発明に係るＡｌＮ結晶の製造方法は、窒素雰囲気下に位置している溶融Ａｌ２に種結晶４を接触させ、種結晶４と溶融Ａｌ２の界面に、窒化物の生成自由エネルギーがＡｌより小さい元素（例えばＢ、Ｃａ、又はＳｉ）を供給し、この元素を触媒として溶融Ａｌ２に溶解した窒素と溶融Ａｌ２を反応させることにより、種結晶４にＡｌＮ結晶を成長させるものである。窒素雰囲気を４気圧以上にするのが好ましい。また溶融Ａｌ２と種結晶４の界面の温度を８００°C以上にするのが好ましい。窒素雰囲気に、触媒となる元素を含む化合物の気体を混入させ、この気体を溶融Ａｌ２に溶かし込むことにより、触媒となる元素を種結晶４と溶融Ａｌ２の界面に供給してもよい。
摘要翻译：一种生产AlN晶体的新方法。 AlN晶体生产的方法包括使晶种（4）与位于含氮气氛中的熔融铝（2）接触，向晶种（4）和熔融铝（2）之间的界面供应具有与铝（例如硼，钙或硅）相比，氮化物形成的自由能较小，并且使用该元素作为催化剂将溶解在熔融铝（2）中的氮与熔融铝（2）反应，以在Al 晶种（4）。优选将氮气调节至4atm以上的压力。熔融铝（2）和晶种（4）之间的界面的温度优选调节至800℃以上。作为催化剂的元素可以通过将含有作为催化剂的元素的化合物的气体并入含氮气氛中而将其供应到晶种（4）和熔融铝（2）之间的界面，并将该气体溶解在熔融铝（2）。

6. 发明申请

WO2011111737A1 電源及びグランド対線路を含む多層配線基板構造审中-公开
标题翻译：配有电源和接地线的多层布线基板结构
公开(公告)号：WO2011111737A1
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：PCT/JP2011/055496
申请日：2011-03-09
申请人：学校法人明星学苑 , 信越ポリマー株式会社 , 日本ミクロン株式会社 , 大塚寛治 , 秋山豊 , 橋本薫 , 川口利行 , 田原和時
发明人：大塚　寛治 , 秋山　豊 , 橋本　薫 , 川口　利行 , 田原　和時
IPC分类号： H05K3/46 , H05K1/02 , H05K1/09
CPC分类号： H05K1/0253 , H05K1/024 , H05K2201/09254
摘要：　絶縁物層とパターニングされた導体層とを含む積層体(１０)を有する多層配線基板において、前記積層体(１０)内に互いに平行となるように配置された電源用の第１導電路１及びグランド用の第２導電路２と、前記第１導電路１の上面及び前記第２導電路２の上面にまたぐように設けられ、前記第１及び第２導電路側から順次積層された第１絶縁膜(３)と、第１導電膜(４)（導体膜又は半導体膜）とを有する第１積層膜とを備える。
摘要翻译：一种多层布线基板，包括由绝缘体层和图案化导体层构成的层压体（10），并且还包括用于电源的第一导电线（1）和用于接地的第二导线（2）在层叠体（10）中彼此平行并且第一层压膜布置成在第一导电线（1）的上表面和第二导线（2）的上表面上分布，并且构成从第一和第二导电线一侧层叠的第一绝缘膜（3）和第一导电膜（4）（导电或半导体膜）。

7. 发明申请

WO2009142280A1 低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造审中-公开
标题翻译：配对低特性阻抗电源线和接地线结构
公开(公告)号：WO2009142280A1
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：PCT/JP2009/059386
申请日：2009-05-21
申请人：学校法人明星学苑 , 信越ポリマー株式会社 , 大塚寛治 , 秋山豊 , 川口利行 , 田原和時
发明人：大塚　寛治 , 秋山　豊 , 川口　利行 , 田原　和時
IPC分类号： H05K1/02 , H05K3/28 , H05K9/00
CPC分类号： H05K1/0234 , H05K1/0218 , H05K1/0245 , H05K1/025 , H05K1/167 , H05K3/28 , H05K2201/0179 , H05K2201/0317 , H05K2201/09236
摘要：　ループインダクタンスが理論的に０となるような、低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造を提供する。絶縁シート（１０）の表面に電源配線（２１）およびグランド配線（２２）を有する金属配線層（２０）が設けられた積層シート（１）と、電源配線（２１）およびグランド配線（２２）を覆うように設けられた絶縁薄膜層（３１）と、絶縁薄膜層（３１）の表面に設けられた抵抗体層（３２）とを有する低特性インピーダンス電源・グランドペア線路構造。
摘要翻译：提供了一种成对的低特性阻抗电源线和理论上为环路电感的接地线结构。成对的低特性阻抗电源线和接地线结构包括层压片（1），其中金属布线层（20 ）具有电源线（21）和接地线（22），设置在绝缘片（10）的表面上，绝缘薄膜层（31）被设置成覆盖电源线（21）和接地线（22）和设置在绝缘薄膜层（31）的表面上的电阻层（32）。

8. 发明申请

WO2011019080A1 回路基板及びその製造方法审中-公开
标题翻译：电路板及其制造方法
公开(公告)号：WO2011019080A1
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：PCT/JP2010/063782
申请日：2010-08-13
申请人：株式会社SKLink , 佐久間正夫 , 大塚寛治
发明人：佐久間　正夫 , 大塚　寛治
IPC分类号： H01L23/12 , H05K3/02 , H05K3/14
CPC分类号： H05K3/146 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/50 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/131 , H01L2224/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/4554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/4911 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H05K1/14 , H05K3/103 , H05K2201/045 , H05K2201/098 , H05K2201/10287 , H01L2924/00 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
摘要：【課題】信頼性の高い回路基板を低コストで供給する。【解決手段】例えば、開口部１０１を介してチップ取り出し電極２を含む基板１の一部表面が露出するようメタルマスク１００を基板１に被せ、イオン化された被着金属に、０．０１ｅＶから２５０ｅＶの被着エネルギを与えるイオンプレーティング法により金属導体を形成した後、メタルマスク１００を剥離することによって、基板１の一部表面に形成された金属導体からなる配線層２１を形成する。これにより、フォトリソグラフィー法を用いることなく、基板上に配線層２１を直接形成することができるため、生産性が高く低コストな回路基板を提供することが可能となる。
摘要翻译：所公开的方法以低成本提供了高度可靠的电路板。例如，具有开口（101）的金属掩模（100）覆盖基板（1），使得包括芯片引出电极（2）的基板（1）的表面的部分露出，金属导体通过施加0.01eV至250eV的包层能量的离子镀形成在电离包层金属上，然后形成布线层（21），该布线层（21）包括形成在基板的表面的一部分上的金属导体（1）通过分离金属掩模（100）。以这种方式，可以提供具有高生产特性和低成本的电路板，因为可以在不使用光刻的情况下直接在基板上形成布线层（21）。

9. 发明申请

WO2012043795A1 回路基板、電源構造体、回路基板の製造方法、および電源構造体の製造方法审中-公开
标题翻译：电路板，电源结构，制造电路板的方法以及制造电源结构的方法
公开(公告)号：WO2012043795A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/JP2011/072568
申请日：2011-09-30
申请人：学校法人明星学苑 , ニッポン高度紙工業株式会社 , 大塚寛治 , 秋山豊 , 上田千寿 , 笹岡典史 , 越智貴史
发明人：大塚　寛治 , 秋山　豊 , 上田　千寿 , 笹岡　典史 , 越智　貴史
IPC分类号： H05K3/46 , H01L23/12 , H01L23/14
CPC分类号： H05K1/0231 , H01L23/49822 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H05K1/095 , H05K1/162 , H05K2201/09309 , H01L2924/00
摘要：デカップリングコンデンサを必要とすることなく、電源層間での電磁エネルギーの共振による電磁放射と電源電圧の変動を防止可能な電源構造体および回路基板を提供する。２つの電源層（１１，１３）と、電源層（１１，１３）間に挟持された層間絶縁膜（１５）とを備えた電源構造体（１）であり、電源層（１１，１３）のうちの少なくとも一方が、有機材料に導電性微粒子を分散させた導電性微粒子分散膜（ａ）からなることを特徴としている。また回路基板は、このような構成の電源構造体（１）を備えたものである。
摘要翻译：提供了一种电源结构，其中可以消除电磁辐射和由于电源层之间的电磁能的谐振引起的电源电压的波动，而不需要去耦电容器。还提供电路板。电源结构（1）设置有两个电源层（11,13）和夹在电源层（11,13）之间的层间绝缘膜（15）。电源结构的特征在于，电源层（11,13）中的至少一个由分散在有机材料中的导电性微粒的导电性微粒分散膜（a）构成。本发明的电路板具备具有这种结构的电源结构（1）。

10. 发明申请

WO2009116668A1 キャパシタ型蓄電池审中-公开
标题翻译：电容存储单元
公开(公告)号：WO2009116668A1
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/JP2009/055697
申请日：2009-03-23
申请人：学校法人明星学苑 , 古河電気工業株式会社 , 大塚寛治 , 秋山豊 , 橋本薫 , 石渡伸一 , 服部聡
发明人：大塚寛治 , 秋山豊 , 橋本薫 , 石渡伸一 , 服部聡
IPC分类号： H01G4/12 , H01G4/33
CPC分类号： H01G9/048 , H01G9/008 , H01G9/14
摘要：　本発明のキャパシタ型蓄電池は、第１導電膜又は第１半導体膜１２と第１絶縁膜１３とを積層する第１積層膜１０を備え、第１積層膜１０における第１絶縁膜１３上で第１積層膜１０の長尺方向に延在する第１導電路２１と、第１絶縁膜１３上で第１積層膜１０の長尺方向に延在し第１導電路２１に平行に設けられた第２導電路２２とを備え、第１導電路２１及び前記第２導電路２２の外面上に第２絶縁膜３１を備える。第１導電路２１の外面上に設けた第２絶縁膜３１と第２導電路２２の外面上に設けた第２絶縁膜３１とは連続していてもよい。連続してなる第２絶縁膜３１は、第１絶縁膜上に、第１導電路及び第２導電路を覆うように設けられていても、第１積層膜に対向して設けられて、第１絶縁膜、第２絶縁膜、第１導電路及び第２導電路によって形成された空隙に第１絶縁物を充填してもよい。
摘要翻译：电容式存储单元设置有第一层叠膜（10），其中第一导电膜或第一半导体膜（12）和第一绝缘膜（13）层压; 在第一层叠膜（10）中的第一绝缘膜（13）上沿第一层压膜（10）的长度方向延伸的第一导电路径（21）; 在第一绝缘膜（13）上沿第一层叠膜（10）的长度方向与第一导电路径（21）平行延伸的第二导电路径（22）; 以及在第一导电路径（21）和第二导电路径（22）的外表面上的第二绝缘膜（31）。布置在第一导电路径（21）的外表面上的第二绝缘膜（31）和布置在第二导电路径（22）的外表面上的第二绝缘膜（31）可以是连续的。连续的第二绝缘膜（31）可以布置在第一绝缘膜上以覆盖第一导电路径，并且第二导电路径或连续的第二绝缘膜可以布置成面对第一层压膜，由第一绝缘膜形成的空间绝缘膜，第二绝缘膜，第一导电路径和第二导电路径填充有第一绝缘材料。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式