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1. 发明授权

EP0698918B1 A conductive noble-metal-insulator-alloy barrier layer for high-dielectric-constant material electrodes 失效
标题翻译：为具有高介电常数的材料的贵金属和作为绝缘体的电极的合金的导电阻挡层
公开(公告)号：EP0698918B1
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：EP95111976.7
申请日：1995-07-28
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED , CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人： Summerfelt, Scott R. , Reid, Jason , Nicolet, Marc , Kolawa, Elzbieta
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L29/92
CPC分类号： H01L28/60 , H01L28/55 , H01L28/75

2. 发明授权

EP0697720B1 A conductive amorphous-nitride barrier layer for high dielectric-constant material electrodes 失效
标题翻译：无定形氮化物的导电阻挡层作为与高介电常数材料的电极
公开(公告)号：EP0697720B1
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：EP95111974.2
申请日：1995-07-28
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人： Summerfelt, Scott R.
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L29/92
CPC分类号： H01L28/55 , H01L28/60

3. 发明授权

EP0663668B1 Improvements in or relating to EEPROMS 失效
标题翻译：在改进或有关的EEPROM
公开(公告)号：EP0663668B1
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：EP94115253.0
申请日：1994-09-28
申请人： TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH
发明人： Kaiser, Ulrich
IPC分类号： G11C16/06 , H02M3/07
CPC分类号： G11C16/30

4. 发明授权

EP0627767B1 Process for fabricating JFET transistors and capacitors 失效
标题翻译：一种用于JFET晶体管和电容器的制备方法
公开(公告)号：EP0627767B1
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：EP94112898.5
申请日：1989-04-21
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人： Seacrist, Michael R. , Trogolo, Joe R. , Bell, Kenneth M.
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/82
CPC分类号： H01L27/0623 , H01L21/761 , H01L21/82 , H01L21/8248

5. 发明授权

EP0504925B1 Multilayer base heterojunction device 失效
标题翻译：具有多层基异质结器件
公开(公告)号：EP0504925B1
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：EP92104891.4
申请日：1992-03-20
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人： Bayraktaroglu, Burhan
IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/10 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7371 , H01L29/1004 , Y10S148/072

6. 发明授权

EP0844667B1 Process of fabricating a storage capacitor for DRAM memory cell 失效
标题翻译：一种制备存储电容器用于DRAM存储器单元的过程
公开(公告)号：EP0844667B1
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：EP97119999.7
申请日：1997-11-14
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人： Niuya, Takayuki
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/10852 , H01L21/76897 , H01L27/10817 , H01L27/10855 , H01L27/10894 , H01L28/91

7. 发明授权

EP0680084B1 Method of forming vias in a semiconductor device having a low permittivity dielectric layer thereon 失效
标题翻译：一种制造孔与低介电常数的电介质层的半导体器件上的方法
公开(公告)号：EP0680084B1
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：EP95106395.7
申请日：1995-04-28
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人： Havemann, Robert H.
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/3121 , H01L21/31612 , H01L21/76801 , H01L21/76834 , Y10S148/051

8. 发明授权

EP0697612B1 Process of applying color to the mirror elements of a deformable mirror device 失效
标题翻译：一种用于可变形的反射镜组件的反射镜元件的着色过程
公开(公告)号：EP0697612B1
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：EP95117264.2
申请日：1992-07-17
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人： Mignardi, Michael A. , Story, Brooks J.
IPC分类号： G02B26/08 , G09F9/37
CPC分类号： G09F9/372

9. 发明公开

EP1207445A2 Synchronous clock generator 审中-公开
标题翻译：同步发电机
公开(公告)号：EP1207445A2
公开(公告)日：2002-05-22
申请号：EP01126481.9
申请日：2001-11-09
申请人： TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH
发明人： Bakker, Peter , Rennig, Fred
IPC分类号： G06F1/10
CPC分类号： G11C7/222 , G06F1/10 , G11C7/22 , H03L7/06
摘要： The circuit configuration for the generation of clock signals for a semiconductor memory (14) that are edge-synchronous with the output signals of a clock generator (16) comprises an input stage (20) to which the output signals of the clock generator (16) are applied. It furthermore contains a phase detector (30) which receives the signals output by the input stage (20) and whose output signals control a voltage-controlled oscillator (34) which supplies the clock signals for the semiconductor memory (14). It also contains a conversion stage (42) which applies signals related to the output signals of the oscillator (34) to the phase detector (30), which controls the oscillator in such a way that the phase difference between the signals reaching it from the input stage (20) and the signals also reaching it from the conversion stage (42) becomes zero. The input stage (20) comprises an amplifier (44) containing a circuit component (62) capable of influencing the signal transit time. This circuit component (62) is controlled in such a way as to change the signal transit time in inverse proportion to the changes of the output signals of the clock generator (16).
摘要翻译：用于产生与时钟发生器（16）的输出信号同步的半导体存储器（14）的时钟信号的电路配置包括输入级（20），时钟发生器（16）的输出信号）。它还包含相位检测器（30），其接收由输入级（20）输出的信号，并且其输出信号控制提供半导体存储器（14）的时钟信号的压控振荡器（34）。它还包含转换级（42），该转换级（42）将与振荡器（34）的输出信号有关的信号施加到相位检测器（30），该相位检测器（30）以这样的方式控制振荡器，使得从其到达的信号之间的相位差输入级（20），并且也从转换级（42）到达的信号变为零。输入级（20）包括一个放大器（44），该放大器（44）包含能够影响信号传输时间的电路部件（62）。该电路部件（62）被控制成与时钟发生器（16）的输出信号的变化成反比地改变信号传播时间。

10. 发明授权

EP0776029B1 Improvements in or relating to semiconductor chip separation 失效
标题翻译：改进或与其有关的半导体芯片分离
公开(公告)号：EP0776029B1
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：EP96118646.7
申请日：1996-11-20
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人： Orcutt, John W.
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/304 , H01L21/78

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