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1. 发明专利

TW200605482A 用於直流至直流增益轉換器啓動之預充電電路 PRECHARGE CIRCUIT FOR DC/DC BOOST CONVERTER STARTUP 审中-公开
简体标题：用于直流至直流增益转换器启动之预充电电路 PRECHARGE CIRCUIT FOR DC/DC BOOST CONVERTER STARTUP
公开(公告)号：TW200605482A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW094103423
申请日：2005-02-03
申请人：德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH
发明人：吉哈德希里 THIELE, GERHARD , 凱文史柯尼 SCOONES, KEVIN , 湯瑪斯基勒 KELLER, THOMAS , 法蘭克普塞爾 PREXL, FRANZ
IPC分类号： H02M , G05F
CPC分类号： H02M1/36 , H03K17/0822 , H03K2017/0806
摘要：本發明揭示一種包含一預充電電路以用於直流至直流(DC／DC)增益轉換器的積體電路，該DC／DC增益轉換器具有一電感器(L1)及一功率MOSFET電晶體(MP5)，該電晶體與該電感器串聯在一供給終端與一負載(Rload、Cload)之間，該負載的一第二端接地。該預充電電路尚包含一參考電流電路，其具有一MOSFET電晶體(MP4)，該電晶體的閘極與該功率MOSFET電晶體(MP5)的閘極連接以形成一電流鏡。該預充電電路作用是用以在該轉換器啟動之前，將該輸出電壓趨近於該供給電壓。回應該功率MOSFET電晶體(MP5)的汲極–源極電壓的降低，一包含在內的調節電路調節該參考電路之該功率MOSFET電晶體(MP5)處及該MOSFET電晶體(MP4)處的閘極電位，就某種意義上來說是要保持通過該功率MOSFET電晶體(MP5)的該預充電電流不變。
简体摘要：本发明揭示一种包含一预充电电路以用于直流至直流(DC／DC)增益转换器的集成电路，该DC／DC增益转换器具有一电感器(L1)及一功率MOSFET晶体管(MP5)，该晶体管与该电感器串联在一供给终端与一负载(Rload、Cload)之间，该负载的一第二端接地。该预充电电路尚包含一参考电流电路，其具有一MOSFET晶体管(MP4)，该晶体管的闸极与该功率MOSFET晶体管(MP5)的闸极连接以形成一电流镜。该预充电电路作用是用以在该转换器启动之前，将该输出电压趋近于该供给电压。回应该功率MOSFET晶体管(MP5)的汲极–源极电压的降低，一包含在内的调节电路调节该参考电路之该功率MOSFET晶体管(MP5)处及该MOSFET晶体管(MP4)处的闸极电位，就某种意义上来说是要保持通过该功率MOSFET晶体管(MP5)的该预充电电流不变。

2. 发明专利

TW200520377A 具寬門限範圍及精確磁滯現象之整合訊號損失檢測 INTEGRATED LOSS OF SIGNAL DETECTION WITH WIDE THRESHOLD RANGE AND PRECISE HYSTERESIS 审中-公开
简体标题：具宽门限范围及精确磁滞现象之集成信号损失检测 INTEGRATED LOSS OF SIGNAL DETECTION WITH WIDE THRESHOLD RANGE AND PRECISE HYSTERESIS
公开(公告)号：TW200520377A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW093132648
申请日：2004-10-28
申请人：德州儀器德意志有限公司 TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH
发明人：安卓思 BOCK, ANDREAS
IPC分类号： H03G
CPC分类号： H03G1/0023 , H03G3/30 , H03K5/153 , H03K5/19
摘要：本發明揭示一種訊號損失(LOS)檢測器，其包括一具一接收一輸入訊號之輸入之可變增益放大器；一門限比較器，其具一接收一自該可變增益放大器之一輸出推衍之信號之第一輸入、一接收一參考位準之第二輸入，及一提供一訊號損失指示訊號之輸出。該可變增益放大器具一接收一自該門限比較器之該輸出推衍之增益控制訊號之增益控制輸入，並使得該可變增益放大器之增益在啟動該訊號損失指示訊號時被設定為一較低值，且在未啟動該訊號損失指示訊號時被設定為一較高值。爰此，該LOS檢測器對LOS與NotLOS兩者之決定僅需一決定位準，其係被設定於該訊號檢測器之線性範圍，俾可精確再造磁滯現象。
简体摘要：本发明揭示一种信号损失(LOS)检测器，其包括一具一接收一输入信号之输入之可变增益放大器；一门限比较器，其具一接收一自该可变增益放大器之一输出推衍之信号之第一输入、一接收一参考位准之第二输入，及一提供一信号损失指示信号之输出。该可变增益放大器具一接收一自该门限比较器之该输出推衍之增益控制信号之增益控制输入，并使得该可变增益放大器之增益在启动该信号损失指示信号时被设置为一较低值，且在未启动该信号损失指示信号时被设置为一较高值。爰此，该LOS检测器对LOS与NotLOS两者之决定仅需一决定位准，其系被设置于该信号检测器之线性范围，俾可精确再造磁滞现象。

3. 发明专利

TW200725872A 單一複晶可消除程式化唯讀記憶體裝置及其製造方法 SINGLE-POLY EPROM DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING 审中-公开
简体标题：单一复晶可消除进程化唯读内存设备及其制造方法 SINGLE-POLY EPROM DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING
公开(公告)号：TW200725872A
公开(公告)日：2007-07-01
申请号：TW095131849
申请日：2006-08-29
申请人：德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH
发明人：羅夫歐伯胡伯 OBERHUBER, RALPH , 雷納强波提茲 JUMPERTZ, REINER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/42324 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11558 , H01L29/66825 , H01L29/7883
摘要：本發明係關於一種單一複晶可消除程式化唯讀記憶體裝置,其包含一源極(16)、一汲極(18)、一控制閘極(12)、一浮動閘極(10)及一額外閘極(40)。以橫向於該源極與該汲極之間的一通道之方式置放該控制閘極。該浮動閘極位於該通道上方及該控制閘極上方。該額外閘極位於該浮動閘極上方,其中該額外閘極電連接至該控制閘極。
简体摘要：本发明系关于一种单一复晶可消除进程化唯读内存设备,其包含一源极(16)、一汲极(18)、一控制闸极(12)、一浮动闸极(10)及一额外闸极(40)。以横向于该源极与该汲极之间的一信道之方式置放该控制闸极。该浮动闸极位于该信道上方及该控制闸极上方。该额外闸极位于该浮动闸极上方,其中该额外闸极电连接至该控制闸极。

4. 发明专利

TWI269868B 監視光微影系統之光積分器之方法 A METHOD OF MONITORING THE LIGHT INTEGRATOR OF A PHOTOLITHOGRAPHY SYSTEM 有权
简体标题：监视光微影系统之光积分器之方法 A METHOD OF MONITORING THE LIGHT INTEGRATOR OF A PHOTOLITHOGRAPHY SYSTEM
公开(公告)号：TWI269868B
公开(公告)日：2007-01-01
申请号：TW094131898
申请日：2005-09-15
申请人：德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH
发明人：亞歷山大伍班 URBAN, ALEXANDER , 豪格史考威肯狄特 SCHWEKENDIEK, HOLGER , 亞歷山大席克 SIRCH, ALEXANDER
IPC分类号： G01J , G03F
摘要：本發明提供一種監視光微影系統之光積分器的方法，其中該光微影系統包括一用以照明一感光層(12)之不同區域的光源(10)及一用以量測受照明區域之實際曝光劑量的光積分器(18)，該方法包含接連地照明感光層(12)之不同區域的步驟。在每一照明步驟中，藉由光積分器(18)來量測實際曝光劑量，控制實際曝光時間(實際時間)以使得曝光感光層(12)之一區域的實際曝光劑量符合所要曝光劑量，且將實際曝光時間(實際時間)饋送至一監視系統(24)以在照明各區域時對光積分器進行線上監視。
简体摘要：本发明提供一种监视光微影系统之光积分器的方法，其中该光微影系统包括一用以照明一感光层(12)之不同区域的光源(10)及一用以量测受照明区域之实际曝光剂量的光积分器(18)，该方法包含接连地照明感光层(12)之不同区域的步骤。在每一照明步骤中，借由光积分器(18)来量测实际曝光剂量，控制实际曝光时间(实际时间)以使得曝光感光层(12)之一区域的实际曝光剂量符合所要曝光剂量，且将实际曝光时间(实际时间)馈送至一监视系统(24)以在照明各区域时对光积分器进行在线监视。

5. 发明专利

TW200624782A 監視光微影系統之光積分器之方法 A METHOD OF MONITORING THE LIGHT INTEGRATOR OF A PHOTOLITHOGRAPHY SYSTEM 审中-公开
简体标题：监视光微影系统之光积分器之方法 A METHOD OF MONITORING THE LIGHT INTEGRATOR OF A PHOTOLITHOGRAPHY SYSTEM
公开(公告)号：TW200624782A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW094131898
申请日：2005-09-15
申请人：德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH
发明人：亞歷山大伍班 URBAN, ALEXANDER , 豪格史考威肯狄特 SCHWEKENDIEK, HOLGER , 亞歷山大席克 SIRCH, ALEXANDER
IPC分类号： G01J , G03F
摘要：本發明提供一種監視光微影系統之光積分器的方法，其中該光微影系統包括一用以照明一感光層(12)之不同區域的光源(10)及一用以量測受照明區域之實際曝光劑量的光積分器(18)，該方法包含接連地照明感光層(12)之不同區域的步驟。在每一照明步驟中，藉由光積分器(18)來量測實際曝光劑量，控制實際曝光時間(實際時間)以使得曝光感光層(12)之一區域的實際曝光劑量符合所要曝光劑量，且將實際曝光時間(實際時間)饋送至一監視系統(24)以在照明各區域時對光積分器進行線上監視。
简体摘要：本发明提供一种监视光微影系统之光积分器的方法，其中该光微影系统包括一用以照明一感光层(12)之不同区域的光源(10)及一用以量测受照明区域之实际曝光剂量的光积分器(18)，该方法包含接连地照明感光层(12)之不同区域的步骤。在每一照明步骤中，借由光积分器(18)来量测实际曝光剂量，控制实际曝光时间(实际时间)以使得曝光感光层(12)之一区域的实际曝光剂量符合所要曝光剂量，且将实际曝光时间(实际时间)馈送至一监视系统(24)以在照明各区域时对光积分器进行在线监视。

6. 发明专利

TW200520103A 供高性能垂直PNP電晶體之藉由原處摻雜碳之磷輪廓控制 CONTROL OF PHOSPHORUS PROFILE BY CARBON IN-SITU DOPING FOR HIGH PERFORMANCE VERTICAL PNP TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：供高性能垂直PNP晶体管之借由原处掺杂碳之磷轮廓控制 CONTROL OF PHOSPHORUS PROFILE BY CARBON IN-SITU DOPING FOR HIGH PERFORMANCE VERTICAL PNP TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200520103A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW093132852
申请日：2004-10-29
申请人：德州儀器德意志有限公司 TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH
发明人：安田浩 YASUDA, HIROSHI , 艾貝帝 EL-KAREH, BADIH , 施克佛 SCHIEKOFER, MANFRED , 史考特 BALSTER, SCOTT
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66287 , H01L29/1004 , H01L29/66242 , H01L29/732 , H01L29/7378
摘要：本案揭示一種產生垂直雙極性PNP電晶體之方法。基極層之磷輪廓得以控制。於後續熱步驟中，併入基極–集極接面附近之基極層的碳可防止磷較植入時更深入擴散。於是可製造具有狹窄之摻雜磷基極之PNP電晶體，其截止頻率從23千兆赫(GHz)增加至30千兆赫。
简体摘要：本案揭示一种产生垂直双极性PNP晶体管之方法。基极层之磷轮廓得以控制。于后续热步骤中，并入基极–集极接面附近之基极层的碳可防止磷较植入时更深入扩散。于是可制造具有狭窄之掺杂磷基极之PNP晶体管，其截止频率从23千兆赫(GHz)增加至30千兆赫。

7. 发明授权

US10541527B2 Inductive isolation of capactive load in amplitude limiters 有权
公开(公告)号：US10541527B2
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：US13847261
申请日：2013-03-19
申请人： TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GmbH
发明人： Robert C. Taft , Alexander Bodem
IPC分类号： H02H3/20 , H02H9/04
摘要： An amplitude limiter circuit includes an inductor and a shunt circuit. The inductor has a first terminal connected to an input node. The shunt circuit is connected to a second terminal of the inductor and also is connected to a low impedance node. If an overvoltage condition forms on the input node, the shunt circuit forms an overvoltage current path from the input node, through the inductor, through the shunt circuit and to low impedance node.

8. 发明授权

US10439024B2 Integrated circuit with triple guard wall pocket isolation 有权
公开(公告)号：US10439024B2
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：US15180592
申请日：2016-06-13
申请人： Texas Instruments Incorporated , Texas Instruments Deutschland GmbH
发明人： Karim-Thomas Taghizadeh Kaschani , Antonio Gallerano
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/06
摘要： A semiconductor device includes a substrate having a semiconductor surface doped a second dopant type with a buried layer (BL) doped a first dopant type. First, second and third well regions doped the second dopant type are on top of the BL. Second doped regions doped the first dopant type on top of and contacting the BL arraigned as a first well ring and second well ring are around the first and third well regions respectively. At least one high-injection component including the first well region is surrounded by the first well ring. At least one component including the third well region is surrounded by the second well ring. An npn or pnp guard wall pocket including a wall of the first and second well rings, and the second well region is between the high-injection component and the component.

9. 发明申请

US20180231424A1 DEVICE AND METHOD FOR ON-CHIP MECHANICAL STRESS SENSING 审中-公开
公开(公告)号：US20180231424A1
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：US15649934
申请日：2017-07-14
申请人： Texas Instruments Incorporated , Texas Instruments Deutschland, GMBH
发明人： Umidjon Nurmetov , Ralf Peter Brederlow , Baher Haroun
IPC分类号： G01L1/22 , H01L27/06 , G01L1/16 , H01L29/84 , G01L5/16 , H01L27/22 , G01L25/00
CPC分类号： G01L1/2293 , G01L1/162 , G01L1/2281 , G01L5/162 , G01L25/006 , H01L22/34 , H01L27/0647 , H01L27/0802 , H01L27/22 , H01L29/84 , H01L29/8605
摘要： An integrated circuit (IC) chip includes a substrate of a piezo-electric material having a first resistivity coefficient associated with a first direction that is longitudinal to a first crystal axis and a second resistivity coefficient associated with a second direction that is transverse to the first crystal axis. The first and second resistivity coefficients have opposite signs. The IC chip also includes a first stress sensing element formed in the substrate and coupled to pass a first current therethrough. The first stress sensing element includes a first resistor aligned such that the major direction of current flow through the first resistor is in the first direction and a second resistor coupled in series with the first resistor and aligned such that the major direction of current flow through the second resistor is in the second direction. A ratio of the resistance of the second resistor to the resistance of the first resistor is equal to a value α, where α is equal to the ratio of the first resistivity coefficient to the second resistivity coefficient.

10. 发明申请

US20180183266A1 METHODS AND APPARATUS FOR ANTENNA SIGNAL LIMITER FOR RADIO FREQUENCY IDENTIFICATION TRANSPONDER 审中-公开
公开(公告)号：US20180183266A1
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：US15392234
申请日：2016-12-28
申请人： TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH
发明人： Ernst Georg Muellner
IPC分类号： H02J50/12
CPC分类号： H02J50/12 , G06K19/0712 , G06K19/0715
摘要： In described examples, an apparatus includes: at least one resonant circuit for receiving a radio frequency signal; a rectifier coupled to the resonant circuit to output a first rectified signal with a constant level portion and a portion matching a first portion of the radio frequency signal, and to output a second rectified signal having a constant level portion and a portion that matches a second portion of the radio frequency signal; a first limiter circuit to limit a voltage of the first rectified signal to a predetermined maximum voltage level; a second limiter circuit to limit the voltage of the second rectified signal to the predetermined maximum voltage level; a third limiter circuit to limit a voltage of the first rectified signal to a predetermined minimum voltage level; and a fourth limiter circuit to limit the voltage of the second rectified signal to the predetermined minimum voltage level.

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