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    • 83. 发明专利
    • 用於靜電放電電路之方法及裝置
    • 用于静电放电电路之方法及设备
    • TW201345101A
    • 2013-11-01
    • TW102106163
    • 2013-02-22
    • 格羅方德半導體私人有限公司GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
    • 山依SHAN, YI普拉布 曼約納塔PRABHU, MANJUNATHA
    • H02H9/02H05F3/02
    • H01L23/60H01L27/0262H01L2924/0002H02H9/046Y10T29/4913H01L2924/00
    • 本發明提供一種高效能ESD保護電路,其實施例係包含一種電路,其具有RC箝位電路,且該RC箝位電路包含具有第一源極、汲極與閘極之第一NMOS電晶體;包含有第一及第二PMOS電晶體之電流鏡電路,且其中該些PMOS電晶體係個別具有第二及第三源極、汲極與閘極;以及包含有第一P+接點之SCR電路。該第一源極係耦合至接地軌,該第一汲極係耦合至該第二汲極、第二閘極與第三閘極,該第二及第三源極係耦合至電源軌,以及該第三汲極係耦合至該第一P+接點,其中,該第一NMOS及PMOS電晶體係於ESD事件期間導通以將第一電流放電至該接地軌,且該電流鏡提供第二電流至該第一P+接點以導通該SCR。
    • 本发明提供一种高性能ESD保护电路,其实施例系包含一种电路,其具有RC箝位电路,且该RC箝位电路包含具有第一源极、汲极与闸极之第一NMOS晶体管;包含有第一及第二PMOS晶体管之电流镜电路,且其中该些PMOS晶体管系个别具有第二及第三源极、汲极与闸极;以及包含有第一P+接点之SCR电路。该第一源极系耦合至接地轨,该第一汲极系耦合至该第二汲极、第二闸极与第三闸极,该第二及第三源极系耦合至电源轨,以及该第三汲极系耦合至该第一P+接点,其中,该第一NMOS及PMOS晶体管系于ESD事件期间导通以将第一电流放电至该接地轨,且该电流镜提供第二电流至该第一P+接点以导通该SCR。