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81. 发明授权

KR100546393B1 자기정렬 콘택 패드 형성 공정을 포함하는 반도체 소자의제조방법 失效
标题翻译：一种制造半导体器件的方法，包括形成自对准接触焊盘的工艺
公开(公告)号：KR100546393B1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：KR1020030078897
申请日：2003-11-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황재희 , 이정윤 , 김태룡 , 박용현
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L27/10888 , H01L21/31144 , H01L21/76897 , H01L27/10855
摘要： 게이트 전극 스택의 식각 마스크 역할을 하는 하드 마스크의 높이를 낮출 수 있는 SAC 패드 형성공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 반도체 기판 상에 게이트 전극 스택 및 스페이서를 포함하는 게이트 전극 구조물과 소스/드레인 영역을 형성한 다음, 반도체 기판 상에 게이트 전극 구조물의 상면 보다 높은 높이를 가지는 제1 층간절연막을 형성하고, 그 위에 게이트 전극 구조물이 연장된 방향으로 신장되어 있고 게이트 전극 구조물과 오버레이되어 있는 식각 유도 및 포커싱 마스크를 형성한다. 그리고, 제1 층간절연막 상에 제2 층간절연막을 형성하고, 그 위에 SAC홀 식각을 위한 포토레지스트 패턴을 형성한다. 그리고, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 식각 공정을 실시하여 SAC홀을 형성하고, 여기에 도전 물질을 매립하여 SAC 패드를 형성한다.
반도체, 메모리, 자기정렬 콘택, 하드 마스크, 콘택 패드

82. 发明公开

KR1020050116285A 노광 차단 영역을 갖는 포토 마스크 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：具有暴露阻塞区的光电子体及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050116285A
公开(公告)日：2005-12-12
申请号：KR1020040041440
申请日：2004-06-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장일용 , 최성운 , 문성용 , 이정윤 , 장성훈
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/144 , G03F7/70441 , G03F7/70508 , H01J37/3174
摘要： 노광 차단 영역을 갖는 포토 마스크 및 그 제조 방법을 제공한다. 회로 패턴들 및 보조 패턴들이 배치되는 위치를 규정하는 포토 마스크의 설계 데이터를 준비한 후, 상기 설계 데이터를 이용하여 보정된 노광 데이터를 준비한다. 이후, 상기 보정된 노광 데이터를 이용하여 노광 공정을 실시한다. 상기 보정된 노광 데이터는 조사를 차단하는 노광 차단 패턴의 위치와 패턴 밀도를 보정하는 밀도 보정 패턴들의 위치를 규정하는 정보를 포함하도록 준비된다.

83. 发明授权

KR100500582B1 마스크 가공 장치 失效
标题翻译：制造面罩的装置
公开(公告)号：KR100500582B1
公开(公告)日：2005-07-12
申请号：KR1020030039207
申请日：2003-06-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장일용 , 이정윤 , 문성용
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 포토 마스크 상의 박막을 균일하게 식각할 수 있는 마스크 가공 장치가 개시된다. 소정의 박막이 형성된 포토 마스크는 챔버 내부로 제공되고, 챔버 내부의 공정 가스는 플라즈마로 여기된다. 상기 플라스마에 의하여 포토 마스크 상의 박막은 식각되어 소정의 패턴이 형성된다. 이 경우, 포토 마스크 주변부에는 상하가 관통되고 측벽이 아치형으로 형성된 포커스 부재가 배치되어 공정 가스로부터 생성된 반응 부산물은 포토 마스크 상에 골고루 분포된다. 포커스 부재의 측벽을 아치형으로 형성함으로써 포토 마스크 상의 일 영역에 반응 부산물이 집중되는 것을 방지할 수 있으며, 포토 마스크 상의 박막은 균일하게 식각될 수 있다.

84. 发明公开

KR1020050044984A 자기정렬 콘택 패드 형성 공정을 포함하는 반도체 소자의제조방법 失效
标题翻译：制造包含形成自对准接触垫的工艺的半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020050044984A
公开(公告)日：2005-05-16
申请号：KR1020030078897
申请日：2003-11-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황재희 , 이정윤 , 김태룡 , 박용현
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L27/10888 , H01L21/31144 , H01L21/76897 , H01L27/10855
摘要： 게이트 전극 스택의 식각 마스크 역할을 하는 하드 마스크의 높이를 낮출 수 있는 SAC 패드 형성공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 반도체 기판 상에 게이트 전극 스택 및 스페이서를 포함하는 게이트 전극 구조물과 소스/드레인 영역을 형성한 다음, 반도체 기판 상에 게이트 전극 구조물의 상면 보다 높은 높이를 가지는 제1 층간절연막을 형성하고, 그 위에 게이트 전극 구조물이 연장된 방향으로 신장되어 있고 게이트 전극 구조물과 오버레이되어 있는 식각 유도 및 포커싱 마스크를 형성한다. 그리고, 제1 층간절연막 상에 제2 층간절연막을 형성하고, 그 위에 SAC홀 식각을 위한 포토레지스트 패턴을 형성한다. 그리고, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 식각 공정을 실시하여 SAC홀을 형성하고, 여기에 도전 물질을 매립하여 SAC 패드를 형성한다.

85. 发明公开

KR1020040108285A 마스크 가공 장치 失效
标题翻译：具有ARCH类型边框的聚焦成员的掩模加工设备
公开(公告)号：KR1020040108285A
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：KR1020030039207
申请日：2003-06-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장일용 , 이정윤 , 문성용
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: A mask processing apparatus is provided to etch uniformly a thin film on a photo-mask by using a focus member with arch type sidewalls. CONSTITUTION: A mask processing apparatus includes a reaction chamber, a holder, a gas supply member and a focus member. The reaction chamber is used for performing a predetermined process on a mask(100). The holder is installed at a bottom of the chamber to support the mask. The gas supply member(130) is prolonged downward into the chamber to supply a process gas. The focus member(120) surrounds a periphery of the mask in the chamber. The focus member includes a plurality of arch type sidewalls for distributing uniformly the process gas on the mask.
摘要翻译：目的：提供一种掩模处理装置，通过使用具有拱型侧壁的聚焦构件来均匀地对光掩模上的薄膜进行蚀刻。构成：掩模处理装置包括反应室，保持器，气体供给构件和聚焦构件。反应室用于对掩模（100）进行预定的处理。保持器安装在腔室的底部以支撑面罩。气体供给构件（130）向下延伸到室中以供给处理气体。聚焦构件（120）围绕腔室中的掩模的周边。聚焦构件包括多个拱形侧壁，用于将处理气体均匀地分布在掩模上。

86. 发明公开

KR1020020082580A 플라즈마 에칭 챔버 및 이를 이용한 포토마스크 제조 방법 失效
标题翻译：等离子体蚀刻室和使用其制造照片掩模的方法
公开(公告)号：KR1020020082580A
公开(公告)日：2002-10-31
申请号：KR1020010022068
申请日：2001-04-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정윤 , 김진민 , 정해영 , 노영화 , 윤상준 , 조성용
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32724 , G03F1/80 , H01J37/32009 , H01J2237/2001
摘要： PURPOSE: A plasma etching chamber and a method for fabricating a photo mask using the same are provided to form a pattern of a shielding layer having a uniform CD(Critical Dimension) distribution on all areas of a photo mask substrate by improving a structure of the plasma etching chamber. CONSTITUTION: A plasma etching chamber(10) is formed with a chamber wall(12), a TCP(Transformer Coupled Plasma) coil(14) installed on an upper portion of the chamber wall(12), and the first power source(16) for applying RF power to the TCP coil(14). An electrode(30) is installed on a bottom portion of the inside of the chamber wall(12). The electrode(30) is used for supporting a photo mask substrate(20). The electrode(30) has a support side(32) for supporting the photo mask substrate(20) and an upper side(34) for surrounding the support side(32) around the support side(32). A sidewall(36) is extended between the upper side(34) and the support side(32). The support side(32) has a steppe portion. The second power source(18) is connected with a lower portion of the chamber wall(12). A heat transfer element(40) is installed around an edge of the support side(32). The heat transfer element(40) is connected with a heater(50).
摘要翻译：目的：提供等离子体蚀刻室和使用其的光掩模的制造方法，以通过改善光掩模基板的结构来形成具有均匀的CD（临界尺寸）分布的屏蔽层的图案等离子体蚀刻室。构造：等离子体蚀刻室（10）形成有室壁（12），安装在室壁（12）的上部的TCP（变压耦合等离子体）线圈（14））和第一电源（16）），用于向所述TCP线圈（14）施加RF功率。电极（30）安装在室壁（12）内部的底部。电极（30）用于支撑光掩模基板（20）。电极（30）具有用于支撑光掩模基板（20）的支撑侧（32）和围绕支撑侧（32）围绕支撑侧（32）的上侧（34）。侧壁（36）在上侧（34）和支撑侧（32）之间延伸。支撑侧（32）具有草原部分。第二电源（18）与室壁（12）的下部连接。传热元件（40）安装在支撑侧（32）的边缘周围。传热元件（40）与加热器（50）连接。

87. 发明公开

KR1020020051674A 반도체 소자의 반사 방지막 식각방법 无效
标题翻译：用于蚀刻反射预防半导体器件层的方法
公开(公告)号：KR1020020051674A
公开(公告)日：2002-06-29
申请号：KR1020000081138
申请日：2000-12-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정윤
IPC分类号： H01L21/306
摘要： PURPOSE: An etch method of a reflection preventing layer of semiconductor devices is provided to selectively remove an organic reflection preventing layer by relatively delaying an etching speed of a photoresist due to a mixed N2 gas and to prevent a notching and a bridge phenomena by restraining photoresist losses. CONSTITUTION: An etched layer(12) is firstly formed on a semiconductor substrate(10). Then, an organic reflection preventing layer(14) is secondly formed on the entire surface of the resultant structure. After depositing and patterning a photoresist, a photoresist pattern(16a) is thirdly formed on the resultant structure. The organic reflection preventing layer(14) is lastly etched using the photoresist pattern(16a) as a mask. At this time, the etching gas of the organic reflection preventing layer(14) is made of an O2 gas and an N2 gas in the ratio of 1:4 or 1:10.
摘要翻译：目的：提供半导体器件的反射防止层的蚀刻方法，通过相对延迟由于混合的N 2气体引起的光致抗蚀剂的蚀刻速度来选择性地去除有机反射防止层，并且通过抑制光致抗蚀剂来防止开槽和桥接现象损失。构成：首先在半导体衬底（10）上形成蚀刻层（12）。然后，在所得结构的整个表面上二次形成有机防反射层（14）。在沉积和图案化光致抗蚀剂之后，在所得结构上第三次形成光致抗蚀剂图案（16a）。最后使用光致抗蚀剂图案（16a）作为掩模蚀刻有机防反射层（14）。此时，有机反射防止层（14）的蚀刻气体以1:4或1:10的比例由O 2气体和N 2气体构成。

88. 发明公开

KR1019990069452A 질소가스를사용하여반도체소자의비아홀을형성하는방법 失效
标题翻译：一种使用氮气形成半导体器件的通孔的方法
公开(公告)号：KR1019990069452A
公开(公告)日：1999-09-06
申请号：KR1019980003721
申请日：1998-02-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정윤 , 이세형
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 본 발명은 반도체소자의 비아홀 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상에 하부 금속배선을 형성하는 단계와, 하부 금속배선이 형성된 결과물 전면에 금속층간 절연막을 형성하는 단계와, 금속층간 절연막의 소정영역을 반응가스 및 질소가스를 사용하여 식각함으로써 하부 금속배선의 소정영역을 노출시키는 비아홀을 형성하는 단계와, 비아홀의 측벽에 형성된 다중합체를 제거하는 단계를 포함한다.

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