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81. 发明申请

WO2005019900A1 KOHÄRENZMINDERER MIT STUFENSPIEGEL UND HERSTELLUNGSVERFAHREN EINES KOHÄRENZMINDERERS 审中-公开
标题翻译：与STAGES镜像一致性监管机构和一致性减速方法
公开(公告)号：WO2005019900A1
公开(公告)日：2005-03-03
申请号：PCT/EP2004/008118
申请日：2004-07-20
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , MENCK, Alexander
发明人： MENCK, Alexander
IPC分类号： G02B27/48
CPC分类号： G03F7/70075 , G02B27/123 , G02B27/144 , G02B27/48 , G03F7/70583
摘要： Es wird ein Kohärenzminderer mit einem Stufenspiegelelement (2), bereitgestellt, wobei das Stufenspiegelelement (2) eine Mehrzahl von im wesentlichen parallel zueinander angeordneten Stäben (6) mit reflektiven Endflächen (8) umfasst und die reflektiven Endflächen (8) in Längsrichtung der Stäbe (6) zueinander versetzt angeordnet sind.
摘要翻译：它是一个阶梯式反射镜元件（2）的相干降低装置被提供，其中，所述阶梯反射镜元件（2）包括基本上相互平行的杆（6）与所述反射端面的多个（8）和（反射端面（8）在所述杆的纵向方向上 6）被布置成彼此错开。

82. 发明申请

WO2005017604A1 KOHÄRENZMINDERER 审中-公开
标题翻译：稠度调节
公开(公告)号：WO2005017604A1
公开(公告)日：2005-02-24
申请号：PCT/EP2004/008353
申请日：2004-07-26
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , PESCH, Alexander , UHLENDORF, Kristina , KUSCHNERUS, Peter , DEPARNAY, Arnaud
发明人： PESCH, Alexander , UHLENDORF, Kristina , KUSCHNERUS, Peter , DEPARNAY, Arnaud
IPC分类号： G02B27/48
CPC分类号： G03F7/70583 , G03F7/70075
摘要： Es wird ein Kohärenzminderer für einen Strahl mit einer vorbestimmten zeitlichen Kohärenzlänge bereitgestellt, der beispielsweise als Michelson-Interferometer ausgebildet sein kann, bei dem zumindest ein 0°-Spiegel durch einen teiltransparenten Spiegel und einen weiteren Spiegel ersetzt ist, deren optischer Abstand mindestens der halben zeitlichen Kohärenzlänge entspricht.
摘要翻译：提供了一种用于具有预定的时间相干长度的光束，其可以被形成为例如迈克尔逊干涉仪，其中，至少一个0°反射镜是由部分透明镜和另一反射镜，其光学距离的至少一半的时间更换的相干减速器相干长度相对应。

83. 发明申请

WO2005008335A2 VERFAHREN ZUR ANALYSE VON OBJEKTEN IN DER MIKROLITHOGRAPHIE 审中-公开
标题翻译：程序对物体在微光刻分析
公开(公告)号：WO2005008335A2
公开(公告)日：2005-01-27
申请号：PCT/EP2004/007267
申请日：2004-07-03
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , SEITZ, Holger , WINDPASSINGER, Roman
发明人： SEITZ, Holger , WINDPASSINGER, Roman
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/84 , G03F1/70 , G03F7/70666
摘要： Verfahren zur Analyse von Objeckten in der Mikrolithographie, vorzugsweise von Masken, mittels eines Aerial Image Measurement Systems (AIMS), das aus mindestens zwei Abbildungsstufen besteht, wobei das detektierte Bild mittels eines Korrekturfilters bezüglich des Übertragungsverhaltens der zweiten oder weiterer Abbildungsstufen korrigiert wird und die Beleuchtung des Objekts in Auf und/oder Durchlicht erfolgt, wobei die Korrektur derart erfolgt, dass die korrigierten Ausgangsgrössen der Abbildung eines Photolithographie-Steppers oder Scanners entsprechen, wobei die Korrektur durch eine Rückfaltung erfolgt und für die Korrektur gemessene oder errechnete Korrekturwerte herangezogen werden.
摘要翻译：一种用于在微光刻分析Objeckten，优选的掩模，通过空间像测量系统（AIMS），其由至少两个成像透镜阶段，由此通过相对于所述第二或另外的映射步骤的传输特性的校正滤波器的装置所检测到的图像被校正和照明的手段方法呈现和/或透射的光，其中，被执行使得光刻步进或扫描仪的图像的校正后的输出值对应的校正，其中，所述校正是通过重折叠进行，并且测得的或计算出的校正值的校正被用于代替对象的。

84. 发明申请

WO2014125000A1 METHOD FOR ASCERTAINING DISTORTION PROPERTIES OF AN OPTICAL SYSTEM IN A MEASUREMENT SYSTEM FOR MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：用于微观测量的测量系统中光学系统的失真特性的方法
公开(公告)号：WO2014125000A1
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：PCT/EP2014/052776
申请日：2014-02-13
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , SEIDEL, Dirk , TÖPFER, Susanne , HIMMELHAUS, Michael
发明人： SEIDEL, Dirk , TÖPFER, Susanne , HIMMELHAUS, Michael
IPC分类号： G03F1/84 , G03F7/20 , G01B11/02
CPC分类号： G03F7/70433 , G01B11/02 , G01N2021/95676 , G03F1/84 , G03F7/70425 , G03F7/70483 , G03F7/705 , G03F7/70525 , G03F7/706 , G03F7/70616 , G03F7/70625 , G03F7/70666
摘要： The invention relates to a method for ascertaining distortion properties of an optical system in a measurement system for microlithography, wherein the optical system images at least one structure to be measured into a measurement image. In accordance with one aspect, a method according to the invention comprises the following steps: measuring the field-dependent image aberrations of the optical system; determining a first distortion pattern present in the first image field generated by the optical system during measurement of at least one predefined structure; carrying out an optical forward simulation for the predefined structure taking account of the field-dependent image aberrations measured previously, with a second image field being generated; determining a second distortion pattern for the second image field generated previously; and ascertaining the structure-independent distortion properties of the optical system by calculating a third distortion pattern as the difference between the first distortion pattern and the second distortion pattern.
摘要翻译：本发明涉及一种用于确定微光刻测量系统中的光学系统的变形特性的方法，其中光学系统将要测量的至少一个结构图像成测量图像。根据一个方面，根据本发明的方法包括以下步骤：测量光学系统的场依赖图像像差; 确定在测量至少一个预定结构期间由光学系统产生的第一图像场中存在的第一失真模式; 考虑到先前测量的与场相关的图像像差，在产生第二图像场的情况下对预定结构执行光学正向模拟; 确定先前产生的第二图像场的第二失真模式; 以及通过计算第三失真图案作为第一失真图案和第二失真图案之间的差异来确定光学系统的与结构无关的失真特性。

85. 发明申请

WO2012163518A1 APPARATUS AND METHOD FOR INVESTIGATING AN OBJECT 审中-公开
标题翻译：用于调查对象的装置和方法
公开(公告)号：WO2012163518A1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：PCT/EP2012/002276
申请日：2012-05-25
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , BAUR, Christof , EDINGER, Klaus , HOFMANN, Thorsten , BARALIA, Gabriel , BUDACH, Michael
发明人： BAUR, Christof , EDINGER, Klaus , HOFMANN, Thorsten , BARALIA, Gabriel , BUDACH, Michael
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/244 , H01J37/304 , G01Q10/00
CPC分类号： G01B15/00 , B82Y35/00 , G01Q30/02 , G06K7/0004 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J37/3045 , H01J2237/2817 , H01J2237/2818 , H01J2237/2826 , H01J2237/30444
摘要： The present invention refers to an apparatus and a method for investigating an object with a scanning particle microscope (120) and at least one scanning probe microscope (140) with a probe, wherein the scanning particle microscope (120) and the at least one scanning probe microscope (140) are spaced with respect to each other in a common vacuum chamber (102) so that a distance between the optical axis of the scanning particle microscope (120) and the measuring point (195) of the scanning probe microscope (140) in the direction perpendicular to the optical axis of the scanning particle microscope (120) is larger than the maximum field of view of both the scanning probe microscope (140) and the scanning particle microscope (120), wherein the method comprises the step of determining the distance between the measuring point (195) of the scanning probe microscope (140) and the optical axis of the scanning particle microscope (120).
摘要翻译：本发明涉及一种用扫描粒子显微镜（120）和至少一个具有探针的扫描探针显微镜（140）来检查物体的装置和方法，其中扫描微粒显微镜（120）和至少一个扫描探针显微镜（140）在公共真空室（102）中相对于彼此间隔开，使得扫描显微镜（120）的光轴与扫描探针显微镜（140）的测量点（195）之间的距离）与扫描型微粒显微镜（120）的光轴垂直的方向大于扫描型显微镜（140）和扫描型微粒显微镜（120）的最大视野，其特征在于，包括以下步骤：确定扫描探针显微镜（140）的测量点（195）与扫描粒子显微镜（120）的光轴之间的距离。

86. 发明申请

WO2012146647A3 METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE WITH A FOCUSSED PARTICLE BEAM 审中-公开
公开(公告)号：WO2012146647A3
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/EP2012/057621
申请日：2012-04-26
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , BRET, Tristan , SPIES, Petra , HOFMANN, Thorsten
发明人： BRET, Tristan , SPIES, Petra , HOFMANN, Thorsten
IPC分类号： H01J37/304 , H01J37/305 , G03F1/74
摘要： The invention relates to a method for processing a substrate with a focussed particle beam which incidents on the substrate, the method comprising the steps of: (a) generating at least one reference mark on the substrate using the focused particle beam and at least one processing gas, (b) determining a reference position of the at least one reference mark, (c) processing the substrate using the reference position of the reference mark, and (d) removing the at least one reference mark from the substrate.

87. 发明申请

WO2012110602A1 APPARATUS AND METHOD FOR ANALYZING AND MODIFYING A SPECIMEN SURFACE 审中-公开
标题翻译：用于分析和修改样本表面的装置和方法
公开(公告)号：WO2012110602A1
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：PCT/EP2012/052693
申请日：2012-02-16
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , BAUR, Christof , EDINGER, Klaus , HOFMANN, Thorsten , BARALIA, Gabriel
发明人： BAUR, Christof , EDINGER, Klaus , HOFMANN, Thorsten , BARALIA, Gabriel
IPC分类号： G01Q70/06 , G01Q80/00 , G03F1/00
CPC分类号： G01Q10/00 , G01Q70/06 , G01Q80/00 , G03F1/72 , G03F1/82
摘要： The invention refers to a probe assembly (310) for a scanning probe microscope (100) which comprises at least one first probe (315, 320) adapted for analyzing a specimen (120, 620), at least one second probe (325, 330, 335) adapted for modifying the specimen(120, 620) and at least one motion element (370) associated with the probe assembly (310) and adapted for scanning one of the probes (315, 320) being in a working position across a surface of the specimen (120, 620) so that the at least one first probe (315, 320) interacts with the specimen (120, 620) whereas the at least one second probe (325, 330, 335) is in a neutral position in which it does not interact with the specimen (120, 620) and to bring the at least one second probe (325, 330, 335) into a position so that the at least one second probe can modify a region of the specimen (120, 620) analyzed with the at least one first probe (315, 320).
摘要翻译：本发明涉及用于扫描探针显微镜（100）的探针组件（310），其包括适于分析样本（120,620）的至少一个第一探针（315,320），至少一个第二探针（325,330 ，335），其适于修改所述样本（120,620）和与所述探针组件（310）相关联的至少一个运动元件（370），并且适于扫描处于处于工作位置的探针（315,320）中的一个使得所述至少一个第一探针（315,320）与所述样本（120,620）相互作用，而所述至少一个第二探针（325,330,335）处于中间位置其中它不与样本（120,620）相互作用并且使至少一个第二探针（325,330,335）进入到使得至少一个第二探针可以修改样本的区域（120）的位置，620）用所述至少一个第一探针（315,320）分析。

88. 发明申请

WO2012080008A2 METHOD AND APPARATUS FOR CORRECTING ERRORS ON A WAFER PROCESSED BY A PHOTOLITHOGRAPHIC MASK 审中-公开
标题翻译：用于校正由光刻掩模处理的晶片上的错误的方法和设备
公开(公告)号：WO2012080008A2
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/EP2011/071654
申请日：2011-12-02
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , CARL ZEISS SMS LTD. , BEYER, Dirk , DMITRIEV, Vladimir , SHARONI, Ofir , WERTSMAN, Nadav
发明人： BEYER, Dirk , DMITRIEV, Vladimir , SHARONI, Ofir , WERTSMAN, Nadav
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F1/72 , G03F1/84 , G03F7/7035 , G03F7/70466 , G03F7/70625 , G03F7/70633
摘要： The invention relates to a method for correcting at least one error on wafers processed by at least one photolithographic mask, the method comprises:(a) measuring the at least one error on a wafer at a wafer processing site,and (b) modifying the at least one photolithographic mask by introducing at least one arrangement of local persistent modifications in the at least one photolithographic mask.
摘要翻译：本发明涉及一种用于校正由至少一个光刻掩模处理的晶片上的至少一个误差的方法，该方法包括：（a）在晶片加工处测量晶片上的至少一个误差（b）通过在所述至少一个光刻掩模中引入局部持久修饰的至少一种布置来修改所述至少一个光刻掩模。

89. 发明申请

WO2010063418A1 METHOD AND DEVICE FOR MEASURING THE RELATIVE LOCAL POSITION ERROR OF ONE OF THE SECTIONS OF AN OBJECT THAT IS EXPOSED SECTION BY SECTION 审中-公开
标题翻译：用于测量部分暴露部分的部分之一的相对本地位置错误的方法和装置
公开(公告)号：WO2010063418A1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：PCT/EP2009/008483
申请日：2009-11-28
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , ARNZ, Michael , BEYER, Dirk , HARNISCH, Wolfgang , SCHERÜBL, Thomas
发明人： ARNZ, Michael , BEYER, Dirk , HARNISCH, Wolfgang , SCHERÜBL, Thomas
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/00 , H01J37/317 , H01J37/304
CPC分类号： G03F7/70633 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/84 , G03F7/70616 , H01J37/3174
摘要： A method for measuring the relative local position error of one of the sections of an object that is exposed section by section, in particular of a lithography mask or of a wafer, is provided, each exposed section having a plurality of measurement marks, wherein a) a region of the object which is larger than the one section is imaged in magnified fashion and is detected as an image, b) position errors of the measurement marks contained in the detected image are determined on the basis of the detected image, c) corrected position errors are derived by position error components which are caused by the magnified imaging and detection being extracted from the determined position errors of the measurement marks, d) the relative local position error of the one section is derived on the basis of the corrected position errors of the measurement marks.
摘要翻译：提供了一种用于测量逐段暴露的物体的一个部分，特别是光刻掩模或晶片的相对局部位置误差的方法，每个暴露部分具有多个测量标记，其中）以放大方式成像大于该部分的对象的区域，并且被检测为图像，b）基于检测到的图像确定检测图像中包含的测量标记的位置误差，c）校正位置误差是通过由放大的成像和检测引起的位置误差分量从确定的测量标记的位置误差中提取导出的，d）基于校正位置导出一个部分的相对局部位置误差测量标记的误差。

90. 发明申请

WO2010031566A1 METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING STRUCTURES ON PHOTOLITHOGRAPHY MASKS 审中-公开
标题翻译：用于测量光刻胶掩模结构的方法和装置
公开(公告)号：WO2010031566A1
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：PCT/EP2009/006752
申请日：2009-09-18
申请人： CARL ZEISS SMS GMBH , STROESSNER, Ulrich , KLOSE, Gerd , TOTZECK, Michael
发明人： STROESSNER, Ulrich , KLOSE, Gerd , TOTZECK, Michael
IPC分类号： G03F1/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/84 , G03F7/70141
摘要： The invention relates to a method for measuring structures on masks (1) for photolithography, wherein firstly the mask (1) is mounted on a spatially movable platform (2). The position of the platform (2) is controlled in this case. The structure on the mask (1) is illuminated with illumination light from an illumination light source which emits coherent light. The light coming from the mask (1) is imaged onto a detection device (6) by an imaging optical unit (4) and detected. The detected signals are evaluated in an evaluation device (7) and the positions and dimensions of the structures are determined. The invention also relates to an apparatus by which these method steps, in particular, can be carried out. In this case, the accuracy of the position and dimension determination is increased by the properties of the illumination light being coordinated with the structure to be measured. For this purpose, the illumination device (3, 3') has setting means for coordinating the properties of the illumination light with the structure to be measured.
摘要翻译：本发明涉及一种用于测量用于光刻的掩模（1）上的结构的方法，其中首先将掩模（1）安装在空间上可移动的平台（2）上。在这种情况下，控制平台（2）的位置。掩模（1）上的结构被发出相干光的照明光源的照明光照射。来自掩模（1）的光通过成像光学单元（4）成像到检测装置（6）上并进行检测。在评估装置（7）中评估检测到的信号，并确定结构的位置和尺寸。本发明还涉及一种可以进行这些方法步骤的装置。在这种情况下，通过与要测量的结构协调的照明光的特性来增加位置和尺寸确定的精度。为此，照明装置（3,3'）具有用于使照明光的特性与被测量结构协调的设定装置。

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