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71. 发明申请

WO2017142089A1 化合物及び発光材料审中-公开
标题翻译：复合和发光材料
公开(公告)号：WO2017142089A1
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：PCT/JP2017/006002
申请日：2017-02-17
申请人：住友化学株式会社 , 国立大学法人佐賀大学
发明人：内藤　翔太 , 江良　正直
IPC分类号： C07C211/63 , C09K11/61 , C09K11/66 , C01G21/16 , C07F7/24
CPC分类号： C07C211/63 , C01G21/16 , C07F7/24 , C09K11/61 , C09K11/66
摘要：高い発光強度を持つペロブスカイト構造を有する化合物及び前記化合物を含む発光材料の提供。Ａ、Ｂ、Ｘ、及びＭを成分とし、Ｍの量をＭ及びＢの合計量で除したモル比［Ｍ／（Ｍ＋Ｂ）］の値が０．７以下である、ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物。（Ａはぺロブスカイト型結晶構造においてＢを中心とする６面体の各頂点に位置する１価の陽イオン。Ｂは鉛イオン。Ｍはぺロブスカイト型結晶構造においてＢの一部を置換する２価又は３価の金属イオンであって、且つ６配位でのイオン半径が０．９Å以上１．５Å以下の金属イオンから選択される陽イオン。Ｘはぺロブスカイト型結晶構造においてＢを中心とする８面体の各頂点に位置する成分を表し、Ｃｌ－、Ｂｒ－、Ｆ－、Ｉ－及びＳＣＮ－からなる群より選ばれる１種以上のイオンであり、Ｘとして塩化物イオン又は臭化物イオンを少なくとも含む。）
摘要翻译：
提供了化合物和包含具有具有高的发光强度的钙钛矿结构的所述化合物的发光材料。 A，B，X，和M是一个组件，通过将M的量M和B [M /（M + B）]的总量得到的摩尔比为0.7以下，具有钙钛矿晶体结构化合物。（A是二价的价阳离子.B铅离子.M代B的一部分是位于在钙钛矿型晶体结构中的B为中心的六面体的每个顶点的钙钛矿型晶体结构或三价金属离子，和在6-配位阳离子的离子半径.X从1.5A以下金属离子中比0.9A在钙钛矿型晶体结构中B为中心表示位于每个顶点八面体部件，氯^{- ，溴^{- F ^{- ，我^{- 和SCN ^{- 是一个或选自下组中选择的多种离子，至少含有氯或溴离子作为X）}}}}}

72. 发明申请

WO2016121823A1 蛍光体、発光装置及び蛍光体の製造方法审中-公开
标题翻译：荧光灯，发光器件和制造荧光体的方法
公开(公告)号：WO2016121823A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：PCT/JP2016/052360
申请日：2016-01-27
申请人：デンカ株式会社
发明人：江本　秀幸 , 田中　基 , 伊藤　和弘
IPC分类号： C09K11/61 , C09K11/08 , C09K11/66 , C09K11/67 , H01L33/50
CPC分类号： C09K11/61 , C09K11/55 , C09K11/57 , C09K11/616 , C09K11/617 , C09K11/66 , C09K11/677 , G02B5/003 , H01L33/50
摘要：　一般式：Ａ 2 ＭＦ 6 ：Ｍｎで表される蛍光体である。元素Ａはアルカリ金属元素であり、元素ＭはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆから選ばれる一種以上の四価の金属元素である。波長３００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下に現れる光吸収率の極小値が６７％以下である。波長４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下での最大の光吸収率が６５％以上である。Ｍｎ含有量が０．３質量％以上１．５質量％以下である。
摘要翻译：本发明是由以下通式表示的荧光团：A2MF6：Mn。元素A是碱金属元素。元素M是选自Si，Ge，Sn，Ti，Zr和Hf中的至少一种四价金属元素。在300nm至350nm的波长处出现的最小吸光度为67％以下。波长400nm至500nm处的最大吸光度至少为65％。 Mn含量为0.3质量％〜1.5质量％。

73. 发明申请

WO2016006444A1 発光装置审中-公开
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：WO2016006444A1
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：PCT/JP2015/068170
申请日：2015-06-24
申请人：シャープ株式会社
发明人：幡　俊雄 , 増田　昌嗣 , 北野　雅陽 , 小野　高志 , 大沼　宏彰 , 長田　清史 , 稲田　順史 , 植村　豊徳
IPC分类号： H01L33/50 , C09K11/54 , C09K11/59 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/66 , C09K11/67
CPC分类号： C09K11/54 , C09K11/59 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/66 , C09K11/67 , H01L33/50 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , Y02B20/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：　発光装置（１００）は、３６０ｎｍ以上４３０ｎｍ以下の波長範囲内に発光ピーク波長を有する光を放射する紫外線又は紫色発光素子（１０）と、４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長範囲内に発光ピーク波長を有する光を放射する青色発光素子（２０）と、少なくとも紫外線又は紫色発光素子（１０）から放射された光によって励起され、５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の波長範囲内に蛍光ピーク波長を有する光を発生させる第１緑色蛍光体（４１）と、少なくとも青色発光素子（２０）から放射された光によって励起され、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の波長範囲内に蛍光ピーク波長を有する光を発生させる第１赤色蛍光体（５１）とを少なくとも備える。
摘要翻译：发光装置（100）至少至少包括：紫外线或紫外发光元件（10），其发射具有在360-430nm的波长范围内的发光峰值波长的光，蓝光 - 发光元件（20），其发射在430-480nm的波长范围内具有发光峰值波长的光;第一绿色荧光体（41），其至少被从紫外线或紫外线发射的光辐射，发光元件（10），并且产生在500-580nm的波长范围内具有荧光峰值波长的光，以及至少被从至少蓝色荧光体发射的光激发的第一红色荧光体（51）发光元件（20），并且产生在600-670nm的波长范围内具有荧光峰值波长的光。

74. 发明申请

WO2015189004A1 VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN EINER KRISTALLSCHICHT BEI NIEDRIGEN TEMPERATUREN, INSBESONDERE EINER PHOTOLUMINESZIERENDEN IV-IV-SCHICHT AUF EINEM IV-SUBSTRAT, SOWIE EIN EINE DERARTIGE SCHICHT AUFWEISENDES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR晶体层在低温下，特别是光致发光的IV-IV层上的IV SUBSTRATE AND SUCH表现出光电子器件的层分离
公开(公告)号：WO2015189004A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：PCT/EP2015/060881
申请日：2015-05-18
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
发明人： GRÜTZMACHER, Detlev , WIRTHS, Stephan , BUCA, Dan Mihai , MANTL, Siegfried
IPC分类号： C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/52 , C30B29/40 , C30B29/48 , C23C16/455 , H01L21/02
CPC分类号： C30B25/10 , C09K11/66 , C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/10 , C30B29/52 , C30B29/68 , G02B6/12 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02452 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/02535 , H01L21/0262 , H01L31/02322 , H01S5/021 , H01S5/042 , H01S5/3027 , H01S5/3054
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum monolithischen Abscheiden einer einkristallinen, bei Anregung leuchtenden, aus mehreren Elementen der IV-Haupt-gruppe bestehende IV-IV-Schicht, insbesondere einer GeSn oder Si-GeSn Schicht mit einer Versetzungsdichtekleiner 6cm -2 auf einem IV-Substrat, insbesondere einem Silizium-oder Germanium-Substrat mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Hydrids eines ersten IV-Elementes (A) beispielsweise Ge 2 H 6 oder Si 2 H 6 ; Bereitstellen eines Halogenids eines zweiten IV-Elementes (B) beispielsweise SnCl 4 ; Aufheizen des Substrates auf eine Substrattemperatur, die geringer ist als die Zerlegungstemperatur des reinen Hydrids oder eines daraus gebildeten Radikals und ausreichend hoch ist, dass Atome des ersten Elementes (A) und des zweiten Elementes (B) in kristalliner Ordnung in die Oberfläche eingebaut werden, wobei die Substrattemperatur insbesondere in einem Bereich zwischen 300° C und 475° C liegt; Erzeugen eines Trägergasstroms aus einem inerten Trägergas, insbesondere N 2 , Ar, He, welches insbesondere kein H 2 ist; Transportieren des Hydrids und des Halogenids sowie daraus entstandene Zerfallsprodukte zur Oberfläche bei einem Totaldruck von maximal 300 mbar; Abscheiden der IV-IV-Schicht oder einer aus gleichartigen IV-IV-Schichten bestehende Schichtenfolge mit einer Dicke von mindestens 200 nm, wobei die abgeschiedene Schicht insbesondere eine Si y Ge 1-x-y Sn-Schicht ist, mit x > 0,08 und y ≤1.
摘要翻译：本发明涉及一种用于单片沉积单晶，从多个现有IV-IV层的IV主族元素的激发照明，特别是GeSn或Si-GeSn层IV基板上具有小于6厘米-2的位错密度，特别是硅或锗衬底，包括以下步骤：提供元件的第一氢化物IV（a）中，例如，Si2的H6或Ge2H6; 提供第二IV族元素（B）的卤化物，例如，四氯化锡; 加热衬底被安装在晶序中的衬底温度的表面，该表面比纯氢化物或由其形成的基团的分解温度较低，并且是足够高，使得原子，所述第一元件（A）和第二元件（B），其中，所述衬底温度最好在300℃和475℃之间的范围内; 产生的惰性载气的载气流，特别是N 2，氩，氦，这是特别不H2; 在最大300毫巴的总压输送氢化物和卤化物以及由此产生的任何降解产物的表面上; 沉积IV-IV-层或由类似的IV-IV层的层序列的具有厚度至少为200纳米，其中所述沉积的层是特别是SiyGe1-X-YSN层，其中x> 0.08和y≤ 第一

75. 发明申请

WO2013040365A2 HIGHLY LUMINESCENT SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS 审中-公开
标题翻译：高亮度半导体纳米晶体
公开(公告)号：WO2013040365A2
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：PCT/US2012055432
申请日：2012-09-14
申请人： MASSACHUSETTS INST TECHNOLOGY , HARRIS DANIEL , BAWENDI MOUNGI G
发明人： HARRIS DANIEL , BAWENDI MOUNGI G
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02
CPC分类号： C09K11/7492 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/62 , C09K11/66 , C09K11/74 , H01L21/024 , H01L21/02521 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/02322
摘要： A method of making a semiconductor nanocrystal can include contacting an M- containing compound with an X donor having the formula X(Y(R)3)3, where X is a group V element and Y is a group IV element.
摘要翻译：制备半导体纳米晶体的方法可以包括使含M化合物与具有式X（Y（R）3）3的X供体接触，其中X是V族元素，Y是IV族元素。

76. 发明申请

WO2011147522A1 COMPOSITIONS COMPRISING QUANTUM DOTS 审中-公开
标题翻译：包含量子的组合物
公开(公告)号：WO2011147522A1
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：PCT/EP2011/002127
申请日：2011-04-28
申请人： MERCK PATENT GMBH , PAN, Junyou , SCHULTE, Niels , EBERLE, Thomas , HILARIUS, Volker
发明人： PAN, Junyou , SCHULTE, Niels , EBERLE, Thomas , HILARIUS, Volker
IPC分类号： C09K11/06 , C09K11/56 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/66 , C09K11/88
CPC分类号： C09K11/06 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/344 , C08G2261/411 , C08G2261/5222 , C08G2261/5242 , C08G2261/95 , C08K5/0008 , C08L25/18 , C08L65/00 , C09K11/56 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/66 , C09K11/88 , C09K2211/10 , C09K2211/14 , C09K2211/18 , H01L51/5016 , H01L51/502 , H01L51/5036
摘要： A composition is provided, including one or more quantum dots and at least one organic emitter. Further, a formulation including the composition, a use of the formulation and a device comprising the composition or formulation is provided.
摘要翻译：提供了包括一个或多个量子点和至少一个有机发射体的组合物。此外，提供包含组合物，制剂的用途以及包含该组合物或制剂的装置的制剂。

77. 发明申请

WO2017043871A1 X선 디텍터 审中-公开
标题翻译： X射线探测器
公开(公告)号：WO2017043871A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：PCT/KR2016/010041
申请日：2016-09-07
申请人： 주식회사 레이언스 , (주)바텍이우홀딩스
发明人： 허성근 , 신동희 , 김태우 , 윤민석
IPC分类号： G01T1/24 , C09K11/88 , C09K11/66 , C09K11/56 , C09J133/14 , G01T1/02 , A61B6/14 , C09K3/10 , H01L31/08
CPC分类号： A61B6/14 , C09J133/14 , C09K3/10 , C09K11/56 , C09K11/66 , C09K11/88 , G01T1/02 , G01T1/24 , H01L31/08
摘要： 본 발명은 기판 상의 제1전극과; 상기 제1전극 상의 페로브스카이트(perovskite) 물질을 사용한 광전물질을 포함하는 반도체구조물과; 상기 반도체구조물 상의 제2전극을 포함하는 직접 변환방식의 X선 디텍터를 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及使用直接转换方法的X射线检测器，该X射线检测器包括：基底上的第一电极; 半导体结构，其设置在所述第一电极上并且包括使用钙钛矿材料的光电材料; 和半导体结构上的第二电极。

78. 发明申请

WO2009047995A1 半導体ナノ粒子审中-公开
标题翻译： SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE
公开(公告)号：WO2009047995A1
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：PCT/JP2008/067647
申请日：2008-09-29
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 西川久美子 , 相宮拓司
发明人：西川久美子 , 相宮拓司
IPC分类号： C09K11/59 , C01B33/02 , C09K11/08 , C09K11/66
CPC分类号： C01B33/02 , C09K11/025 , C09K11/59 , C09K11/66
摘要：　分散性に優れ、発光強度の再現性に優れる半導体ナノ粒子は、気相法で作製した半導体ナノ粒子の表面末端が水素原子で覆われていることを特徴とする。
摘要翻译：具有优异的分散性和发光强度重复性的半导体纳米粒子的特征在于，通过气相法制造的半导体纳米粒子的表面末端被氢原子覆盖。

79. 发明申请

WO2009034778A1 ナノ粒子の製造方法、及びそれを用いて製造された蛍光体ナノ粒子审中-公开
标题翻译：生产过程生产的纳米颗粒和磷纳米管的方法
公开(公告)号：WO2009034778A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/JP2008/062922
申请日：2008-07-17
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 相宮拓司 , 西川久美子
发明人：相宮拓司 , 西川久美子
IPC分类号： C09K11/08 , C01B33/02 , C01G17/00 , C09K11/59 , C09K11/66
CPC分类号： C09K11/59 , C09K11/66
摘要：　元素の周期表における１４族元素を含有し、かつ発光極大波長が３００～６００ｎｍであるナノ粒子をマイクロ流路を利用して高生産性で製造する製造方法、及びそれを用いて製造された蛍光体ナノ粒子を提供する。特に、毒性が低く、環境負荷の小さい材料とされるシリコン又はゲルマニウムを構成成分とする蛍光体ナノ粒子の高生産性の製造方法を提供する。本発明のナノ粒子の製造方法は、元素の周期表における１４族元素を含有し、かつ発光極大波長が３００～６００ｎｍであるナノ粒子の製造方法であって、界面活性剤を含む有機溶媒と当該ナノ粒子の原料を含む溶液とを混合してなる逆ミセル溶液（Ｉ）と、還元剤を含む溶液（II）とをマイクロ流路を利用して混合し、還元反応をさせる工程を有することを特徴とする。
摘要翻译：本发明提供了一种生产纳米粒子的方法，该纳米粒子含有元素周期表中第14族元素，并且具有300-600nm的发射最大波长，利用高生产率的微流通道和通过该方法生产的荧光体纳米粒子。特别地，提供了一种生产荧光体纳米颗粒的方法，其包括被认为是低毒和环境友好的材料的硅或锗。生产纳米颗粒的方法是一种生产含有元素周期表第14族元素并具有300-600nm发射最大波长的纳米颗粒的方法，其特征在于包括将反胶束溶液（I），通过将含表面活性剂的有机溶剂与含有纳米颗粒的原料的溶液混合，使用含有还原剂的溶液（II）利用微流通道进行还原反应。

80. 发明申请

WO2009034777A1 蛍光体ナノ粒子の製造方法、及びそれを用いて製造された蛍光体ナノ粒子审中-公开
标题翻译：生产磷酸盐纳米微粒的工艺和工艺生产的磷纳米管
公开(公告)号：WO2009034777A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/JP2008/062921
申请日：2008-07-17
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社 , 相宮拓司 , 堀田繁郎
发明人：相宮拓司 , 堀田繁郎
IPC分类号： C09K11/08 , B01J19/00 , C01B33/02 , C01G17/00 , C09K11/59 , C09K11/66
CPC分类号： C09K11/59 , B22F1/0018 , B22F9/24 , B22F2999/00 , B82Y30/00 , C09K11/66 , C22B41/00 , B22F2203/11 , B22F2202/11 , B22F2202/03
摘要：　発光半値幅の狭い蛍光体ナノ粒子製造方法、及びそれを用いて製造された蛍光体ナノ粒子を提供することである。特に、毒性が低く、環境負荷の小さい材料とされるシリコン又はゲルマニウムを構成成分とする蛍光体ナノ粒子であって、発光半値幅が狭い蛍光体ナノ粒子の製造方法を提供する。本発明の蛍光体ナノ粒子の製造方法は、外部の加熱手段から加熱されるマイクロ流路内で反応液を加熱することにより蛍光体粒子を生成する蛍光体ナノ粒子の製造方法であって、前記マイクロ流路壁の壁厚さが０．０５～０．２０ｍｍであり、かつ前記マイクロ流路の流路内を流れる反応液の昇温速度が１５０°C／秒以上であることを特徴とする。
摘要翻译：本发明提供一种制造荧光半值宽的窄荧光体纳米颗粒的方法，以及通过该方法生产的荧光体纳米粒子。特别地，提供了一种制造荧光体纳米颗粒的方法，其包括被认为是低毒和环境友好的材料并且具有窄的荧光半值宽度的硅或锗。生产工艺包括加热由外部加热装置加热的微流通道内的反应液体，以产生荧光体颗粒，其特征在于微流道壁的厚度为0.05至0.20mm，流过的反应液体的升温速率微流道中的流路不小于150℃/秒。

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