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71. 发明专利

JP5857986B2 炭化珪素単結晶および炭化珪素単結晶の製造方法有权
标题翻译：用于制造碳化硅单晶和碳化硅单晶的制造方法
公开(公告)号：JP5857986B2
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：JP2013031239
申请日：2013-02-20
申请人：株式会社デンソー
发明人：近藤宏行 , 恩田正一 , 木藤泰男 , 渡辺弘紀
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B29/36 , C01B31/36 , C30B23/00 , C30B23/025

72. 发明专利

JP5826405B2 ナノシリコン炭素複合材料及びその調製方法有权
标题翻译：纳米硅碳复合材料及其制备方法
公开(公告)号：JP5826405B2
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：JP2014540308
申请日：2012-11-09
申请人：ジェネラルリサーチインスティテュートフォアノンフェラスメタルス
发明人：ルシガン , ヤンズァンユー , ワンシンミン , ディンハイヤン , ガオジェフォン
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/587 , H01M10/052 , C01B31/36 , H01M10/0566 , H01M4/38
CPC分类号： H01M4/364 , C01B31/36 , C25B1/006 , H01M10/0525 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M4/483 , H01M4/58 , H01M4/583 , H01M4/587 , B82Y30/00 , H01M10/052 , H01M4/0438 , H01M4/1393 , H01M4/1395

73. 发明专利

JP2015137223A セラミック構造体审中-公开
标题翻译：陶瓷结构
公开(公告)号：JP2015137223A
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：JP2014011786
申请日：2014-01-24
申请人：イビデン株式会社
发明人：高木俊 , 丸山久明
IPC分类号： G21C3/06 , G21C3/324 , C04B35/565 , C04B35/626
CPC分类号： C01B31/36 , C04B35/565 , C04B35/62281 , G21C3/07
摘要：【課題】長期信頼性のあるセラミック構造体を提供する。【解決手段】セラミック構造体1は、被覆管2等に適用され、炭素と、天然存在比に比較して 28 Siが濃縮された珪素とからなる炭化珪素(SiC)から構成され、炭化珪素における 28 Siの濃縮度は99%以上であり、SiC焼結体、CVD−SiC、SiC繊維、SiC/SiC複合材のいずれかのうちの少なくとも一つの形態で構成される。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供具有长期可靠性的陶瓷结构。解决方案：应用于包壳管2等的陶瓷结构体1由碳和硅组成的碳化硅（SiC）构成，其中Si被冷凝与天然丰度比进行比较，并且碳化硅中Si的冷凝度等于或大于99％，并且由选自SiC烧结体，CVD-SiC，SiC纤维和SiC中的任何一种形式 / SiC复合材料。

74. 发明专利

JP2015074565A 球状炭化ケイ素粉及びその製造方法审中-公开
标题翻译：球形碳化硅粉及其制造方法
公开(公告)号：JP2015074565A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：JP2013209896
申请日：2013-10-07
申请人：信濃電気製錬株式会社
发明人：望月正裕 , 清水孝明
IPC分类号： C04B35/573 , C01B31/36
CPC分类号： C04B35/64 , C01B31/36 , C04B35/573 , C04B35/6261 , C04B35/62675 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/16 , C04B2235/3418 , C04B2235/3834 , C04B2235/48 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/762 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , Y10T428/2982
摘要：【課題】本発明の目的は、粒径が小さく内部が緻密な球状の結晶質炭化ケイ素粉及びその製造方法を提供することである。【解決手段】本発明の球状の結晶質炭化ケイ素粉は、平均粒径が0.5〜5μmで、孔径0.003μm以上0.1μm以下の内部細孔体積が0.000007cc/g以上0.01cc/g以下で、比表面積が0.5m 2 /g以上8.0m 2 /g以下であることを特徴とする。この球状結晶質炭化ケイ素粉は、球状合成樹脂粉とシリカ粉を球状合成樹脂粉/シリカ粉の重量比が1.10〜1.70となるように配合し、球状合成樹脂粉を非酸化性雰囲気下、800〜1200℃で仮焼した後に、1600〜2300℃でシリカ粉と反応焼成させて製造することができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种粒径小的结晶碳化硅粉末，其内部具有致密的球形并提供其制造方法。解决方案：提供一种具有平均粒子的球形结晶碳化硅粉末尺寸为0.5〜5μm，孔径为0.003μm以上且0.1μm以下，内孔体积为0.000007cc / g以上且0.01cc / g以下，比表面积为0.5m 2 / g，更多和8.0m / g以下。球状结晶碳化硅粉末可以通过混合球形合成树脂粉末和二氧化硅粉末来制备，使得球形合成树脂粉末与二氧化硅粉末的重量比为1.10至1.70，并将球形合成树脂粉末在800至1200℃下煅烧在非氧化性气氛中，然后在1600〜2300℃下用二氧化硅粉末进行反应烧成。

75. 发明公开

KR1020150123806A 탄화규소의 제조방법 및 탄화규소 审中-实审
标题翻译：生产碳化硅和碳化硅的方法
公开(公告)号：KR1020150123806A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：KR1020157022660
申请日：2014-01-30
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 , 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 호시,료지 , 마츠모토,스구루 , 아오키,요시타카 , 마츠이,치나미
IPC分类号： C01B31/36 , C30B15/14 , C30B29/06 , C30B29/36
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/956 , C30B15/14 , C30B29/06 , C30B29/36
摘要： 본발명은, 실리콘결정제조장치내에탄소재히터를배설하고, 비산화성분위기하에서상기탄소재히터에의해가열된용기내에수용된실리콘멜트로부터실리콘결정을제조할때, 부차적으로, 상기탄소재히터의표면에탄화규소를형성시키고, 이부차적인탄화규소를회수함으로써탄화규소를제조하는탄화규소의제조방법을제공한다. 이에따라, 저비용, 저에너지로탄화규소를제조할수 있는방법이제공된다.

76. 发明公开

KR1020140081784A 탄화규소 분말 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：硅橡胶粉及其生产方法
公开(公告)号：KR1020140081784A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020147004174
申请日：2012-08-23
申请人： 다이헤이요 세멘토 가부시키가이샤
发明人： 마스다,켄타 , 이치쓰보,코우키 , 카와노,코헤이 , 스즈키,마사카즈 , 쿠마사카,아츠시 , 타나카,히데아키
IPC分类号： C01B31/36
CPC分类号： C01B31/36 , B82Y30/00 , C01B32/956 , C04B35/573 , C04B35/62695 , C04B2235/3418 , C04B2235/422 , C04B2235/424 , C04B2235/425 , C04B2235/5427 , C04B2235/5454 , C04B2235/549 , C04B2235/72 , C04B2235/727
摘要： 고순도의 탄화규소 분말 및 저렴하고도 대량으로, 게다가 안전하게 고순도의 탄화규소 분말을 제조할 수 있는 방법을 제공한다.
불순물의 함유율이 500ppm 이하인 탄화규소 분말. 상기 탄화규소 분말은, 규산질 원료와 탄소질 원료를 혼합하여 이루어진 탄화규소 제조용 원료이며, 탄소질 원료와 규산질 원료의 혼합 몰비(C/SiO
2 )가 2.5~4.0인 한편, 불순물의 함유율이 120ppm 이하의 탄화규소 제조용 원료(1)을 애치슨로(4)의 발열체(2)로 가열함으로써 얻을 수 있다.

77. 发明公开

KR1020130104447A 고순도 탄화규소 분말의 제조방법 有权
标题翻译：用于制造具有高纯度的SIC粉末的方法
公开(公告)号：KR1020130104447A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020120025947
申请日：2012-03-14
申请人： 한국과학기술연구원 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 박상환 , 한경섭 , 윤성호 , 양진오 , 조경선 , 염미래 , 조영철
IPC分类号： C01B31/36 , C01B33/12
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/956 , C01B33/12
摘要： PURPOSE: A production method of silicon carbide powder is provided to control the size and the crystalline of the silicon carbide powder by adjusting the heat processing temperature and time, and changing the composition of a gaseous silicon source and a solid carbon source. CONSTITUTION: A production method of silicon carbide powder comprises the following steps: mixing and drying metallic silicon, silica powder, and a thermoplastic resin to obtain a starting raw material for producing a gaseous silicon source; locating the starting raw material for producing the gaseous silicon source on the bottom of a graphite crucible, locating a graphite separator on the upper side of the starting raw material for producing the gaseous silicon source, and locating a solid carbon source on the upper side of the graphite separator before closing a lid of the graphite crucible to form a reaction system to produce the silicon carbide powder; and heat processing the reaction system under the argon atmosphere.
摘要翻译：目的：提供碳化硅粉末的制造方法，通过调节热处理温度和时间，改变气态硅源和固体碳源的组成来控制碳化硅粉末的尺寸和结晶。构成：碳化硅粉末的制造方法包括以下步骤：将金属硅，二氧化硅粉末和热塑性树脂混合干燥，得到气态硅源的制造原料，将用于生产气态硅源的起始原料定位在石墨坩埚的底部，将石墨隔板定位在用于生产气态硅源的起始原料的上侧，并将固体碳源定位在在石墨坩埚盖上关闭石墨隔板，形成碳化硅粉末的反应体系; 并在氩气氛下热处理反应体系。

78. 发明公开

KR1020130000854A 실리콘 카바이드 파우더의 제조방법 审中-实审
标题翻译：制造碳化硅粉的方法
公开(公告)号：KR1020130000854A
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：KR1020110061629
申请日：2011-06-24
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 김병숙 , 한정은
IPC分类号： C01B31/36 , C04B35/565
CPC分类号： C01B31/36 , B82Y30/00 , C01B32/956 , C04B35/573 , C04B2235/3418 , C04B2235/3834 , C04B2235/424 , C04B2235/428 , C04B2235/48 , C04B2235/52 , C04B2235/528 , C04B2235/5288 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/72 , Y10T428/2982 , C04B35/565
摘要： PURPOSE: A fabricating method of silicon carbide powder is provided to synthesize silicon carbide powder with desired particle sizes, specifically 10 um or more, and high purity at low temperatures. CONSTITUTION: A fabricating method of silicon carbide powder includes a process for mixing silicon carbide source with silicon containing silicon source, solid carbon source, or organic compound containing carbon source to form a mixture(ST10); and a process for reacting the mixture(ST20). The average particle size of the silicon carbide source is 1-10 um. The silicon carbide source has β-type crystallinity. The silicon source is selected from a group including silica sol, silicon dioxide, fine silica, and quartz powder. The solid carbon source is selected form a group including carbon black, carbon nanotubes, and fullerene. The organic carbon compound is selected from a group including a phenol resin, a fran resin, a xylene resin, polyimide, polyacrylonitrile, polyvinyl alcohol, cellulose, pitch, tar, and sugars. [Reference numerals] (ST10) Mixture forming step; (ST20) Mixture reacting step
摘要翻译：目的：提供碳化硅粉末的制造方法，以合成具有所需粒度的碳化硅粉末，特别是10微米或更高，并且在低温下具有高纯度。构成：碳化硅粉末的制造方法包括将碳化硅源与含硅硅源，固体碳源或含碳源的有机化合物混合以形成混合物的方法（ST10）; 和使混合物反应的方法（ST20）。碳化硅源的平均粒径为1-10μm。碳化硅源具有β型结晶度。硅源选自硅溶胶，二氧化硅，细二氧化硅和石英粉末。选自碳黑，碳纳米管和富勒烯的固体碳源。有机碳化合物选自酚醛树脂，法兰树脂，二甲苯树脂，聚酰亚胺，聚丙烯腈，聚乙烯醇，纤维素，沥青，焦油和糖类。（标号）（ST10）混合物形成工序; （ST20）混合反应步骤

79. 发明公开

KR1020120012287A 볼을 사용한 탄화규소 소결체 제조 방법 有权
标题翻译：使用球的硅碳化硅制造方法
公开(公告)号：KR1020120012287A
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：KR1020100074353
申请日：2010-07-30
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 김영남 , 김민성 , 김명정
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/10 , C04B35/48
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/956 , C04B35/573 , C04B2235/3217 , C04B2235/3244 , C04B2235/3826 , C04B2235/3873 , C04B2235/528
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a silicon carbide sintered body using balls is provided to improve the purity and the density of the silicon carbide sintered body without a sinter aiding agent by selecting efficient balls for a mixing process. CONSTITUTION: A method for manufacturing a silicon carbide sintered body using balls includes the following: silicon carbide powder(10), a resin, and balls(20) are mixed; the mixed material is dried; and the dried material is introduced into a mold and is sintered. The balls are one or more Teflon balls, silicon carbide balls, silicon nitride balls, alumina balls, and zirconia balls. The diameters of the balls are in a range between 10 and 50mm.
摘要翻译：目的：提供使用滚珠制造碳化硅烧结体的方法，通过选择用于混合过程的有效球，来提高无烧结助剂的碳化硅烧结体的纯度和密度。构成：使用球的制造碳化硅烧结体的方法包括以下：将碳化硅粉末（10），树脂和球（20）混合; 混合物干燥; 将干燥的材料引入模具中并烧结。球是一个或多个特氟隆球，碳化硅球，氮化硅球，氧化铝球和氧化锆球。球的直径在10和50mm之间的范围内。

80. 发明专利

JP2017524744A ポリカルボシランの触媒による転位の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017524744A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2016556258
申请日：2014-06-28
申请人：中国科学院化学研究所
发明人：李永明 , 楊瀟淦 , 徐彩虹 , 賀麗娟
IPC分类号： C08G77/60
CPC分类号： C08G77/60 , C01B31/36 , C01B32/956
摘要：本発明は、微量(1wt%未満)のホウ素含有触媒の触媒作用で、環状シラン化合物または鎖状ポリシランの裂解—転位によりポリカルボシランを製造し得る方法であり、ポリジメチルシラン(polydimethylsilane、PDMS)またはその熱分解物、即ち、液体のシランーカルボシラン化合物(LPS)を原料とし、1wt%(前記原料の用量に対して)未満のホウ素含有触媒を添加し、その後、常圧または高圧条件で徐々に反応温度まで昇温させ熱分解/転位反応を行い、固体で、やや高いセラミック生成率を有するポリカルボシラン(PCS)を獲得する。本発明は、反応時間が短く、合成率が高く、生成物の品質が高く、設備がシンプルで、操作が安全な方法である。製造されたポリカルボシランは、SiC前駆体ポリマーであり、SiC繊維とSiC基複合材料の製造に用いることができる。

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