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1. 发明公开

KR1020130104447A 고순도 탄화규소 분말의 제조방법 有权
标题翻译：用于制造具有高纯度的SIC粉末的方法
公开(公告)号：KR1020130104447A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020120025947
申请日：2012-03-14
申请人： 한국과학기술연구원 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 박상환 , 한경섭 , 윤성호 , 양진오 , 조경선 , 염미래 , 조영철
IPC分类号： C01B31/36 , C01B33/12
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/956 , C01B33/12
摘要： PURPOSE: A production method of silicon carbide powder is provided to control the size and the crystalline of the silicon carbide powder by adjusting the heat processing temperature and time, and changing the composition of a gaseous silicon source and a solid carbon source. CONSTITUTION: A production method of silicon carbide powder comprises the following steps: mixing and drying metallic silicon, silica powder, and a thermoplastic resin to obtain a starting raw material for producing a gaseous silicon source; locating the starting raw material for producing the gaseous silicon source on the bottom of a graphite crucible, locating a graphite separator on the upper side of the starting raw material for producing the gaseous silicon source, and locating a solid carbon source on the upper side of the graphite separator before closing a lid of the graphite crucible to form a reaction system to produce the silicon carbide powder; and heat processing the reaction system under the argon atmosphere.
摘要翻译：目的：提供碳化硅粉末的制造方法，通过调节热处理温度和时间，改变气态硅源和固体碳源的组成来控制碳化硅粉末的尺寸和结晶。构成：碳化硅粉末的制造方法包括以下步骤：将金属硅，二氧化硅粉末和热塑性树脂混合干燥，得到气态硅源的制造原料，将用于生产气态硅源的起始原料定位在石墨坩埚的底部，将石墨隔板定位在用于生产气态硅源的起始原料的上侧，并将固体碳源定位在在石墨坩埚盖上关闭石墨隔板，形成碳化硅粉末的反应体系; 并在氩气氛下热处理反应体系。

2. 发明授权

KR101413653B1 고순도 탄화규소 분말의 제조방법 有权
标题翻译：一种高纯度SiC粉末的制造方法
公开(公告)号：KR101413653B1
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020120025947
申请日：2012-03-14
申请人： 한국과학기술연구원 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 박상환 , 한경섭 , 윤성호 , 양진오 , 조경선 , 염미래 , 조영철
IPC分类号： C01B31/36 , C01B33/12
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/956
摘要： 본 발명은 고순도 탄화규소 분말의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 금속 규소와 이산화규소 분말로 이루어진 출발원료로부터 발생하는 기상 규소원과 고상의 탄소원을 원료로 사용하여 진공 분위기 또는 아르곤(Ar) 분위기 하에서 고온 열처리하는 공정으로 진행되며, 기상의 규소원과 고상의 탄소원의 조성변화, 열처리 온도 및 시간 조절을 통하여 탄화규소 분말의 크기 및 결정상을 제어하는 것이 용이한 고순도 탄화규소 분말의 제조방법에 관한 것이다.

3. 发明授权

KR101152628B1 탄화규소/카본 복합분말과 그 복합분말을 이용하여 제조된 고순도 및 고강도의 반응소결 탄화규소 有权
标题翻译： SiC / C复合粉末和高纯度高强度反应结合SiC使用
公开(公告)号：KR101152628B1
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：KR1020090034685
申请日：2009-04-21
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 박상환 , 정훈 , 김규미 , 조경선 , 조영철
IPC分类号： C01B31/36 , C04B35/573 , C04B35/565
摘要： 본발명이제조하는반응소결탄화규소는고순도및 고강도특성을동시에갖고있으므로차세대반도체고온공정용반응소결탄화규소(RBSC) 치구류, 고온진공장치용부품및 반도체공정용히터소재등으로다양하게적용된다.

4. 发明授权

KR101116755B1 졸-젤 공정으로 제조된 탄화규소/카본/실리카 복합분말과, 이 복합분말을 사용한 고순도 및 고강도의 반응소결 탄화규소의 제조방법 有权
标题翻译：采用溶胶 - 凝胶法制备的SiC / C / SiO2复合粉末及其纯度高，强度高的反应结合碳化硅制造方法
公开(公告)号：KR101116755B1
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：KR1020090047381
申请日：2009-05-29
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 박상환 , 정훈 , 조경선 , 김규미 , 조영철
IPC分类号： C04B35/565 , C01B31/36 , C04B35/14 , C04B35/56
摘要： 본 발명은 졸-젤 공정으로 제조된 탄화규소/카본/실리카 복합분말과, 이 복합분말을 사용한 고순도 및 고강도의 반응소결 탄화규소의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명이 제조하는 반응소결 탄화규소는 고순도 및 고강도 특성을 동시에 갖고 있으므로 차세대 반도체 고온 공정용 반응소결 탄화규소(RBSC) 치구류, 고온 진공장치용 부품 및 반도체 공정용 히터 소재 등으로 다양하게 적용된다.
복합분말, 반응소결, 탄화규소, 고순도, 고강도

5. 发明公开

KR1020100115992A 탄화규소/카본 복합분말과 그 복합분말을 이용하여 제조된 고순도 및 고강도의 반응소결 탄화규소 有权
标题翻译： SIC / C复合粉末和高纯度高强度反应结合使用SIC
公开(公告)号：KR1020100115992A
公开(公告)日：2010-10-29
申请号：KR1020090034685
申请日：2009-04-21
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 박상환 , 정훈 , 김규미 , 조경선 , 조영철
IPC分类号： C01B31/36 , C04B35/573 , C04B35/565
CPC分类号： C01B32/956 , C01B32/05 , C01P2006/10 , C01P2006/80 , C01P2006/90 , C04B35/573
摘要： PURPOSE: Silicon carbide/carbon composite powder and high purity and high strength reaction bonded silicon carbide using the same are provided to be used in a reaction bonded silicon carbide jig for a next generation semiconductor high temperature process, components for a high temperature vacuum device, and heater components for a semiconductor process. CONSTITUTION: A method for manufacturing silicon carbide/carbon composite powder comprises the following steps. Silicon and carbon are mixed by alcohol solvent so that a mole ratio of one carbon element is 1.6~4.5 based on one mole of silicon element. A hydrolysis catalyst of 0.05~0.14 mole ratio based on one silicon mole is added to the mixture. The mixture is made gel or solid.
摘要翻译：目的：将碳化硅/碳复合粉末和高纯度高强度反应接合的碳化硅用于下一代半导体高温工艺的反应接合碳化硅夹具，用于高温真空装置的部件，和用于半导体工艺的加热器部件。构成：制造碳化硅/碳复合粉末的方法包括以下步骤。硅和碳通过醇溶剂混合，使得一个碳元素的摩尔比基于1摩尔的硅元素为1.6〜4.5。将基于一个硅摩尔的0.05〜0.14摩尔比的水解催化剂加入到混合物中。混合物制成凝胶或固体。

6. 发明授权

KR101084711B1 고순도 베타상 탄화규소 미세 분말의 저온 제조 방법 有权
标题翻译：一种在低温下制备高纯度SiC微粉的方法
公开(公告)号：KR101084711B1
公开(公告)日：2011-11-22
申请号：KR1020090034686
申请日：2009-04-21
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 박상환 , 조경선 , 김규미 , 정훈 , 조영철
IPC分类号： C01B31/36 , C04B35/565
摘要： 본 발명은 액상의 규소 화합물과 탄소 화합물을 혼합, 교반하여 젤(gel)화시키고, 생성된 젤을 분말 형태로 만들어 젤 분말을 얻은 후, 규소 분말 또는 덩어리(ingot)를 첨가하여 열처리하는 고순도 탄화규소 분말의 저온 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 고순도 베타상 탄화규소 미세 분말 제조 공정에 의하여 제조된 1 ㎛ 이하 크기의 탄화규소 분말은 반도체 고온 공정용 치구로 사용할 수 있는 고순도 소결 탄화규소(sintered SiC) 치구 및 반응소결 탄화규소(reaction bonded SiC) 제조용 원료 분말 등으로 사용될 수 있으리라 기대된다.
탄화규소, 미세 분말, 저온제조, 고순도

7. 发明公开

KR1020100128777A 졸-젤 공정으로 제조된 탄화규소/카본/실리카 복합분말과, 이 복합분말을 사용한 고순도 및 고강도의 반응소결 탄화규소의 제조방법 有权
标题翻译： SIC / C / SIO2由SOL-GEL工艺制成的复合粉末，以及使用它们的高纯度和高强度的反应结合的碳化硅的制造方法
公开(公告)号：KR1020100128777A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：KR1020090047381
申请日：2009-05-29
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 박상환 , 정훈 , 조경선 , 김규미 , 조영철
IPC分类号： C04B35/565 , C01B31/36 , C04B35/14 , C04B35/56
CPC分类号： C01B32/956 , C01B32/05 , C01B33/18 , C04B35/573 , C04B2235/3418 , C04B2235/3826 , C04B2235/422
摘要： PURPOSE: An SiC/C/SiO2 composite powder is provided to lower fabrication costs of reaction bonded silicon carbide with high purity and high strength. CONSTITUTION: An SiC/C/SiO2 composite powder comprises a beta phase silicon carbide(β-SiC/C) powder, a carbon powder produced by pyrolysis of carbon source, and silica powder left in a unreacted state after the reaction of liquid silicon and carbon source.
摘要翻译：目的：提供SiC / C / SiO2复合粉末，以降低高纯度和高强度的反应结合碳化硅的制造成本。构成：SiC / C / SiO 2复合粉末包括β相碳化硅（β-SiC / C）粉末，通过碳源热分解产生的碳粉末，以及在液态硅和碳源。

8. 发明公开

KR1020100115993A 고순도 베타상 탄화규소 미세 분말의 저온 제조 방법 有权
标题翻译：一种低温高纯度SIC微粉的制备方法
公开(公告)号：KR1020100115993A
公开(公告)日：2010-10-29
申请号：KR1020090034686
申请日：2009-04-21
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 박상환 , 조경선 , 김규미 , 정훈 , 조영철
IPC分类号： C01B31/36 , C04B35/565
CPC分类号： C01B32/956 , C01P2004/64 , C04B35/565
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing β phase silicon carbide micro powder with high purity at low temperature is provided to use silicon carbide powder under 1 micrometer in a jig for a high temperature process for a semiconductor. CONSTITUTION: A method for manufacturing β phase silicon carbide micro powder with high purity at low temperature comprises the following steps. Silicon compound liquid and carbon compound are mixed to make a mole ratio be in the range of 2.0 to 5.0. And a water solution is added to the mixture. The mixture is stirred to be gel or powder. Silicon carbon precursor micro powder is obtained by heating gel powder. Silicon powder or silicon ingot is added to the silicon carbon precursor micro powder. The silicon carbon precursor micro powder is heated at 1250~1600°C to obtain silicon carbon micro powder.
摘要翻译：目的：提供在低温下制备高纯度的β相碳化硅微粉的方法，在用于半导体的高温工艺的夹具中使用1微米的碳化硅粉末。构成：在低温下制备高纯度的β相碳化硅微粉的方法包括以下步骤。混合硅化合物液体和碳化合物使摩尔比在2.0至5.0的范围内。并向混合物中加入水溶液。将混合物搅拌成凝胶或粉末。通过加热凝胶粉末获得硅碳前体微粉末。将硅粉或硅锭加入硅碳前体微粉中。硅碳前驱体微粉末在1250〜1600℃下加热得到硅碳微粉末。

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