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    • 71. 发明授权
    • 운용자 정보를 통합관리하기 위한 네트워크 시스템 및 그방법
    • 操作员信息整合管理的系统和方法
    • KR100487125B1
    • 2005-05-03
    • KR1020020074925
    • 2002-11-28
    • 삼성전자주식회사
    • 김봉철
    • G06F15/00
    • 본 발명은 운용자 정보를 통합관리하기 위한 네트워크 시스템 및 그 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 운용자 정보를 통합관리하기 위한 네트워크 시스템은 엘리먼트 관리 시스템과 네트워크 엘리먼트를 구비하며; 엘리먼트 관리 시스템은 간이 망 관리 프로토콜(SNMP) 관리자를 포함하고; 상기 SNMP 관리자를 통해 로그인 된 다수의 운용자들이 SNMP 메시지를 이용하여 해당 동작을 명령하고, 네트워크 엘리먼트는 해당 명령에 응답하여 관리 동작을 수행하는 SNMP 대리인, 운용자 인터페이스인 명령어 인터페이스, 및 상기 엘리먼트 관리 시스템을 운용하는 운용자들과 상기 명령어 인터페이스를 운용하는 운용자들의 정보를 통합하여 관리하기 위한 관리정보베이스 테이블을 포함하며, SNMP 메시지를 사용하는 네트워크 시스템에서 EMS 운용자와 CLI 운용자 정보를 MIB 테이블을 이용하여 통합하여 관리할 수 있기 때문에, EMS와 CLI간의 운용자 정보를 일치시킬 수 있고, 운용자의 세션 관리를 통해 동일 운용자의 이중 로그 인을 방지함으로써, 적합하지 않은 운용자가 네트워크 시스템에 접근하는 것을 근본적으로 차단할 수 있다.
    • 72. 发明公开
    • 미세 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법
    • 使用该方法形成微细图案的半导体器件的制造方法和获得具有100NM以下的CD(关键尺寸)的精细光电子图案
    • KR1020040081865A
    • 2004-09-23
    • KR1020030016434
    • 2003-03-17
    • 삼성전자주식회사
    • 변성환이대엽김봉철
    • H01L21/027
    • G03F7/40Y10S438/949
    • PURPOSE: A method for forming a fine pattern and a manufacturing method of a semiconductor device using the same are provided to overcome resolution limit and to obtain a fine photoresist pattern having CD(Critical Dimension) of 100§^ and below. CONSTITUTION: A mask layer is formed on a substrate(100) having an insulating layer(120). The first mask pattern with a space of the first size is formed by patterning the mask layer, wherein the first size is larger than a predetermined size(DL). The second mask pattern with a space of the second size smaller than the first size is formed by annealing the first mask pattern. A polymer layer is formed on the second mask pattern. The third mask pattern(146) with same space as the predetermined size is formed by reacting the second mask pattern to the polymer layer.
    • 目的:提供一种用于形成精细图案的方法和使用其的半导体器件的制造方法以克服分辨率极限,并获得具有100(s)及以下的CD(临界尺寸)的精细光致抗蚀剂图案。 构成:在具有绝缘层(120)的基板(100)上形成掩模层。 具有第一尺寸的空间的第一掩模图案通过对掩模层进行图案化而形成,其中第一尺寸大于预定尺寸(DL)。 通过退火第一掩模图案形成具有小于第一尺寸的第二尺寸的空间的第二掩模图案。 聚合物层形成在第二掩模图案上。 通过使第二掩模图案与聚合物层反应而形成具有与预定尺寸相同的空间的第三掩模图案(146)。