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71. 发明专利

JP2016062949A SiCのスライス方法有权
标题翻译： SiC的切片方法
公开(公告)号：JP2016062949A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014187496
申请日：2014-09-16
申请人：株式会社ディスコ
发明人：平田和也 , 西野曜子
IPC分类号： B23K26/53 , B28D5/00 , H01L21/304
CPC分类号： B23K26/0057 , B23K26/0006 , B23K26/082 , B23K26/53 , B23K26/702 , B28D5/0005 , B23K2201/40 , B23K2203/52 , B23K2203/56
摘要：【課題】SiCインゴットからSiC基板を効率よくスライスできるようにする。【解決手段】レーザー光線の集光点Pを分離予定面4に沿ってSiCインゴット1の端面2に平行に走査させ、端面2から離間した位置に分離層5を形成する初期分離層形成工程と、該初期分離層形成工程の後、該分離層5からSiC板の厚みDと同じ距離ずつ集光点Pを端面2側に移動させ該端面2に平行に走査させ、分離層5の形成を繰返し行い複数の分離層5を形成する繰返し工程と、該繰返し工程によって形成された複数の分離層5に外力を与えて分離層5を起点に剥離させて複数枚のSiC板6を取得する分離工程とを実施する。SiCインゴット1の端面においてレーザー光線を入射しやすくするための鏡面加工の回数を低減でき、SiCインゴット1から複数枚のSiC板6を効率よく取得できる。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：有效地从SiC锭切割SiC衬底。解决方案：切片方法包括：初始分离层形成步骤，在与SiC锭1的端面2分离的位置处形成单独的层5，沿着预定的分离面4与端面2平行地扫描激光束的会聚点P. 重复步骤，迭代地形成分离层5，以通过与端面2平行地扫描会聚点P，同时使会聚点P从分离层5更靠近端面2移动而形成多个分离层5 在初始分离层形成步骤之后等距于SiC板的厚度D的距离单位; 以及分离步骤，通过向在所述重复步骤中形成的多个分离层5施加外力，以分离层5作为原点剥离多个SiC板6。可以减少用于使激光束容易入射到SiC锭1的端面上的镜面加工次数，并且可以有效地从SiC锭1获得多个SiC板6.选择的图：图5

72. 发明专利

JP2016058432A ウエーハの分割方法审中-公开
标题翻译：波浪分割方法
公开(公告)号：JP2016058432A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014181163
申请日：2014-09-05
申请人：株式会社ディスコ
发明人：平田和也 , 武田昇
IPC分类号： B23K26/53 , B23K26/361 , H01L21/301
摘要：【課題】ウエーハを分割する際に、チップに欠けが発生しないようにする。【解決手段】ウエーハ1の一方の面にアブレーション加工して分割予定ライン3に沿って面取り部9aを形成する面取り部形成工程と、ウエーハ1の内部に分割起点となるレーザー加工層8aを形成する内部加工工程と、分割ブレードで分割予定ライン3に沿って面取り部9aを押圧してレーザー加工層8aを起点に分割する分割工程とから構成し、ウエーハ1を個々のチップに分割する際にチップの角部が接触することを防止し、チップに欠けが発生するのを防ぐ。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：为了防止在分割晶片时在芯片中发生裂纹。解决方案：晶片的划分方法由倒角形成步骤构成，该倒角形成步骤用于沿着分割部分在晶片1的一侧上形成倒角部分9a 线3，用于形成激光处理层8a成为晶片1中的分割开始点的内部处理步骤，以及分割步骤，用于通过沿着切割部分9a按压倒角部分9a作为起点将激光加工层8a分割分割线3通过分割刀片。当将晶片1分成单个芯片时，通过防止芯片角部的接触来防止芯片中的裂纹的发生。图3

73. 发明专利

JP2015217503A ツルーイング装置、ツルーイング方法及び加工方法有权
标题翻译：研究装置，研究方法和加工方法
公开(公告)号：JP2015217503A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：JP2014105116
申请日：2014-05-21
申请人：株式会社ディスコ
发明人：平田和也 , 森數洋司
IPC分类号： B23K26/364 , B23K26/082 , B23K26/00 , B24B53/00
摘要：【課題】バリの発生防止や加工効率の向上のため、切削加工や研削加工に用いる砥石に溝を形成する。【解決手段】被加工物に砥石を接触させることにより被加工物を加工する加工装置10で用いられる砥石21をツルーイングするツルーイング装置40に、被加工物に接触する砥石21の接触面にレーザー光を照射するレーザー光照射部41と、レーザー光照射部41から照射されるレーザー光を接触面に集光する集光レンズ42と、砥石21が装着され装着された砥石21を回転させる回転手段とを備え、回転手段が砥石21を回転させるとともに、回転する砥石21の接触面にレーザー光を照射することにより砥石21に溝を形成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：在用于切割和研磨的磨石中形成凹槽，以防止毛刺产生并提高加工效率。解决方案：修整装置40将研磨石21整理成用于加工装置10中以用于磨石21与工件接触，以便加工工件。修整装置40包括：激光束照射部41，其用激光束照射研磨石21与工件接触的接触面; 聚光透镜42，用于将从激光束照射部41施加的激光束聚光在接触面上; 旋转装置安装有研磨石21并旋转磨石21.旋转装置使研磨石21旋转，并且用激光束照射旋转的研磨石21的接触表面，以在研磨石21中形成凹槽。

74. 发明专利

JP2015213952A レーザー加工装置有权
标题翻译：激光加工设备
公开(公告)号：JP2015213952A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2014098429
申请日：2014-05-12
申请人：株式会社ディスコ
发明人：平田和也 , 藤原誠司 , 村澤尚樹 , 芳野知輝
IPC分类号： B23K26/53 , B23K26/073
摘要：【課題】レーザー光の照射によるウェーハの加工において、ウェーハ表面におけるレーザー光の反射を抑える。【解決手段】レーザー照射手段14に、レーザー光481を放射するレーザー発光部141と、レーザー光481をビーム断面が円環状のリングレーザー光482に変換するリングレーザー形成手段142と、リングレーザー光482の偏光状態をラジアル偏光に変換するラジアル偏光器143と、ラジアル偏光されたリングレーザー光483をウェーハ20の内部に集光させる集光レンズ144と、ウェーハ20の屈折率に応じて集光レンズ144によってウェーハ20の内部に集光されるリングレーザー光がウェーハ20に入射する入射角を変更する入射角変更手段145とを備えることで、ラジアル偏光されたリングレーザー光をブリュースター角でウェーハに入射させることが可能となり、ウェーハ20の表面における反射がほとんど無くなる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：通过照射激光来抑制晶片加工中的激光在晶片表面上的反射。解决方案：激光照射装置14包括：用于照射激光481的激光发射部141; 环形激光形成装置142，用于将激光481转换成环形激光482，其中光束横截面是环形的; 用于将环形激光482的偏振状态转换为径向偏振的径向偏振器143; 用于在晶片20内部聚集径向偏振环形激光483的聚光透镜144和用于根据聚光透镜144的折射率改变由聚光透镜144聚集在晶片20内的环形激光的入射角的入射角度改变装置145 晶片20进入晶片20.从而，径向偏振环形激光可以以布鲁斯特角入射到晶片中，并且晶片20的表面上的反射基本消失。

75. 发明专利

JP2015196240A 研削装置有权
标题翻译：研磨装置
公开(公告)号：JP2015196240A
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：JP2014077272
申请日：2014-04-03
申请人：株式会社ディスコ
发明人：平田和也
IPC分类号： B24B41/06 , B24B47/26 , B24B7/04 , B24B41/047 , H01L21/304 , B24B1/00
摘要：【課題】研削装置の製造コストの上昇を抑制しつつ、硬度の高い被加工物に対して効率的な研削加工を施すこと。【解決手段】板状ワーク(W)を保持するチャックテーブル(2)と、研削砥石(311)を環状に配列させた研削ホイール(31)を有する研削手段(3)と、板状ワークに接触する研削砥石(311)の接触面(311a)にレーザーを照射させるレーザー照射手段(5)とを備える研削装置(1)において、発光部(51)から放射され板状ワークを透過したレーザー光線を、板状ワークの被保持面を保持する保持面(22)の一部で反射させて研削砥石の接触面に照射し、接触面をレーザー加工すると共に研削砥石で板状ワークの機械加工を実施する構成とした。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够有效地研磨具有高硬度的工件的研磨装置，同时抑制研磨装置的制造成本的增加。解决方案：研磨装置（1）包括：夹持台（2），用于保持板样工件（W）; 研磨装置（3）具有包括环形布置的砂轮（311）的砂轮（31）; 以及激光照射装置（5），用于用激光束照射与板状工件接触的砂轮（311）的接触表面（311a）。已经从发光部分（51）发射并已经透过板状工件的激光束在保持板状工件的保持表面的保持表面（22）的一部分处被反射，并被辐射到磨石的接触表面，因此接触表面被激光加工，并且板状工件由砂轮加工。

76. 发明专利

JP2015160251A 加工装置有权
标题翻译：加工设备
公开(公告)号：JP2015160251A
公开(公告)日：2015-09-07
申请号：JP2014034868
申请日：2014-02-26
申请人：株式会社ディスコ
发明人：三浦修 , 鈴木将昭 , 高橋邦充 , 平田和也 , 木川有希子
IPC分类号： B24B53/00
摘要：【課題】加工砥石をドレッシングしながら被加工物を加工すること。【解決手段】本発明の加工装置(1)は、被加工物(W1)を保持するチャックテーブル(2)と、チャックテーブル上の被加工物を加工する加工砥石(34)と、加工砥石の加工面にレーザー光線を照射してドレッシングするドレッシング手段(4)とを備え、被加工物の加工中に、ドレッシング手段によって加工砥石の加工面が被加工物に接触していない箇所に向けて、加工砥石の加工時の回転速度に適した繰返し周波数のレーザー光線を照射する構成にした。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：在加工磨石的同时加工工件。解决方案：本发明的处理装置（1）如下构成。处理装置（1）包括：用于保持工件（W1）的卡盘台（2）; 用于在所述卡盘台上加工所述工件的加工磨石（34）和用于通过将激光束照射到处理砂轮的处理表面进行修整的修整装置（4）。在处理工件期间，修整装置（4）将处理过程中适用于旋转速度的重复频率的激光束照射到处理砂轮的加工表面的工件表面的不接触工件的位置处。

77. 发明专利

JP6976828B2 剥離装置有权
公开(公告)号：JP6976828B2
公开(公告)日：2021-12-08
申请号：JP2017225391
申请日：2017-11-24
申请人：株式会社ディスコ
发明人：日野原和之 , 松尾晴貴 , 平田和也 , 山本涼兵
IPC分类号： B23K26/53 , B23K26/122 , H01L21/304

78. 发明专利

JP2021106186A SiCインゴットの加工方法およびレーザー加工装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021106186A
公开(公告)日：2021-07-26
申请号：JP2019235949
申请日：2019-12-26
申请人：株式会社ディスコ
发明人：平田和也
IPC分类号： B23K26/53 , B23K26/03 , B23K26/00 , H01L21/304
摘要：【課題】SiCインゴットに適正な剥離帯を形成することができるSiCインゴットの加工方法を提供する。【解決手段】SiCインゴット86の端面の電気抵抗値を計測する工程と、計測した電気抵抗値に対応してレーザー光線の出力を調整する出力調整工程と、SiCインゴットの端面に対してc面が傾きSiCインゴットの端面とc面とでオフ角αが形成される方向に直交する方向をX軸方向としX軸方向に直交する方向をY軸方向として、生成すべきウエーハの厚みに対応する深さにSiCインゴットに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を位置づけてレーザー光線を照射しながらSiCインゴットと集光点とをX軸方向に相対的に加工送りし、SiCがSiとCとに分離した部分からc面に沿ってクラックが伸長した帯状の剥離帯を形成する工程と、SiCインゴットと集光点FPとをY軸方向に割り出し送りして剥離帯をY軸方向に並設させる工程と、を含む。【選択図】図6

79. 发明专利

JP2021068819A SiCインゴットの加工方法およびレーザー加工装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021068819A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：JP2019193409
申请日：2019-10-24
申请人：株式会社ディスコ
发明人：平田和也 , 田畑晋
IPC分类号： B23K26/53 , B24B7/22 , H01L21/304
摘要：【課題】どの高さにおいてもSiCインゴットに適正な剥離帯を形成することができるSiCインゴットの加工方法を提供する。【解決手段】SiCインゴット86の加工方法は、生成すべきウエーハの厚みに対応する深さにSiCインゴット86に対して透過性を有する波長の加工用レーザー光線をSiCインゴット86に照射しながらX軸方向に相対的に加工送りして、SiCがSiとCとに分離した部分100からc面に沿ってクラック102が伸張した帯状の剥離帯104を形成する剥離帯形成工程と、剥離帯104をY軸方向に並設させる割り出し送り工程と、検査用レーザー光線LB2を剥離帯104に照射してクラック102で反射した反射光の強度を検出する反射光検出工程と、反射光検出工程で検出した反射光の強度が所定範囲内になるように加工用レーザー光線の出力を調整する加工用レーザー光線出力調整工程と、を含む。【選択図】図6

80. 发明专利

JP6858587B2 ウエーハ生成方法有权
公开(公告)号：JP6858587B2
公开(公告)日：2021-04-14
申请号：JP2017027114
申请日：2017-02-16
申请人：株式会社ディスコ
发明人：平田和也 , 山本涼兵
IPC分类号： B23K26/53 , B23K26/08 , B28D5/00 , H01L21/304

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