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71. 发明专利

TWI478334B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI478334B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW098113468
申请日：2009-04-23
申请人：國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CPRPORATION TOHOKU UNIVERSITY , 財團法人國際科學振興財團 , FOUNDATION FOR ADVANCEMENT OF INTERNATIONAL SCIENCE
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 黑田理人 , KURODA, RIHITO
IPC分类号： H01L29/36 , H01L27/092
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L27/0883 , H01L27/092 , H01L29/045 , H01L29/458 , H01L29/78654 , H01L29/78696

73. 发明专利

TW201421717A 於基板上直接形成太陽能發電薄膜之太陽能電池审中-公开
简体标题：于基板上直接形成太阳能发电薄膜之太阳能电池
公开(公告)号：TW201421717A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102138590
申请日：2009-02-11
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：若山惠英 , WAKAYAMA, YOSHIHIDE , 茂山和基 , MOYAMA, KAZUKI , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/0216 , E04D13/18
CPC分类号： H01L31/048 , H01L31/02167 , Y02B10/12 , Y02E10/50
摘要：本發明所揭示之太陽能電池，係包含形成於基材上之半導體薄膜、形成於半導體薄膜上之透明導電膜、及覆蓋透明導電膜的上面之氮化物系之水分擴散防止膜。水分擴散防止膜較佳係由氮化矽膜與碳氮化矽膜之至少一者所構成。
简体摘要：本发明所揭示之太阳能电池，系包含形成于基材上之半导体薄膜、形成于半导体薄膜上之透明导电膜、及覆盖透明导电膜的上面之氮化物系之水分扩散防止膜。水分扩散防止膜较佳系由氮化硅膜与碳氮化硅膜之至少一者所构成。

74. 发明专利

TWI418030B 半導體裝置失效
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI418030B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW095145043
申请日：2006-12-04
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY , 財團法人國際科學振興財團 , FOUNDATION FOR ADVANCEMENT OF INTERNATIONAL SCIENCE
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L29/772 , H01L21/8228 , H01L27/088
CPC分类号： H01L27/1211 , H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L21/845 , H01L29/045 , H01L29/785 , H01L2029/7857

75. 发明专利

TWI404134B 半導體裝置之製造方法及半導體表面上之微型粗糙度之降低方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体表面上之微型粗糙度之降低方法
公开(公告)号：TWI404134B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW096103652
申请日：2007-02-01
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY , 財團法人國際科學振興財團 , FOUNDATION FOR ADVANCEMENT OF INTERNATIONAL SCIENCE
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 森永均 , MORINAGA, HITOSHI
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/02074

76. 发明专利

TWI403657B 調整閥裝置失效
简体标题：调整阀设备
公开(公告)号：TWI403657B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW099107631
申请日：2010-03-16
申请人：富士金股份有限公司 , FUJIKIN INCORPORATED , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：池田信一 , IKEDA, NOBUKAZU , 山路道雄 , YAMAJI, MICHIO , 谷川毅 , TANIGAWA, TSUYOSHI , 金子裕是 , KANEKO, HIROSHI , 八木靖司 , YAGI, YASUSHI , 小野裕司 , ONO, YUJI , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 白井泰雪 , SHIRAI, YASUYUKI
IPC分类号： F16K31/122 , F16K51/02 , C23C14/24
CPC分类号： F16K31/126 , F16K31/1268 , F16K41/10

78. 发明专利

TWI380745B 含有磁性體之絕緣體及使用此絕緣體的電路基板與電子設備 INSULATOR CONTAINING MAGNETIC MATERIAL AND CIRCUIT BOARD AND ELECTRONIC APPARATUS USING THE SAME 失效
简体标题：含有磁性体之绝缘体及使用此绝缘体的电路基板与电子设备 INSULATOR CONTAINING MAGNETIC MATERIAL AND CIRCUIT BOARD AND ELECTRONIC APPARATUS USING THE SAME
公开(公告)号：TWI380745B
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：TW095109570
申请日：2006-03-21
申请人：國立大學法人東北大學
发明人：大見忠弘 , 森本明大
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K1/0373 , H05K1/0233 , H05K2201/0215 , H05K2201/0266 , H05K2201/086 , Y10T428/2495
摘要：提供一種含有磁性體之絶緣體及使用此磁性體之電路基板及電子零件，磁性體之混合濃度並不較大而可得到磁導率增加之效果，藉由將由此得到之含有磁性體之絶緣體應用於電路基板，能提高特性阻抗，並得到低耗電化之效果。
含有磁性體之絶緣體10包含多數磁性體粒子1a、1b及保持該多數磁性體粒子1a、1b之絶緣體2，該磁性體粒子群至少由多數粒徑構成。
简体摘要：提供一种含有磁性体之绝缘体及使用此磁性体之电路基板及电子零件，磁性体之混合浓度并不较大而可得到磁导率增加之效果，借由将由此得到之含有磁性体之绝缘体应用于电路基板，能提高特性阻抗，并得到低耗电化之效果。含有磁性体之绝缘体10包含多数磁性体粒子1a、1b及保持该多数磁性体粒子1a、1b之绝缘体2，该磁性体粒子群至少由多数粒径构成。

79. 发明专利

TW201230888A 電漿處理裝置及電漿處理方法（二）审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法（二）
公开(公告)号：TW201230888A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100124856
申请日：2011-07-14
申请人：國立大學法人東北大學 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： H05H , H01J
CPC分类号： C23C16/509 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , H01J37/32082 , H01J37/32229 , H01J37/32541
摘要：本發明之課題係提供一種電漿處理裝置,可對傳輸於導波管(形成在電極處)之高頻進行控制。該電漿處理裝置係具備有:真空容器,其內部具有載置基板之載置台以及於該載置台上方產生電漿之電漿空間;複數電極對,係分離於第1電極部與第2電極部這2個電極部,於真空容器內部隔著間隔而配置排列;以及複數同軸管,係以橫越2個電極部的方式設置,對真空容器內部供給用以激發電漿之高頻;複數同軸管之內部導體係連接於2個電極部當中之一者,外部導體係連接於另一者,從複數同軸管所供給之高頻在傳輸於形成在2個電極部間之導波管之後,再從設置於導波管之介電體板的電漿露出面釋放至真空容器而激發電漿。
简体摘要：本发明之课题系提供一种等离子处理设备,可对传输于导波管(形成在电极处)之高频进行控制。该等离子处理设备系具备有:真空容器,其内部具有载置基板之载置台以及于该载置台上方产生等离子之等离子空间;复数电极对,系分离于第1电极部与第2电极部这2个电极部,于真空容器内部隔着间隔而配置排列;以及复数同轴管,系以横越2个电极部的方式设置,对真空容器内部供给用以激发等离子之高频;复数同轴管之内部导体系连接于2个电极部当中之一者,外部导体系连接于另一者,从复数同轴管所供给之高频在传输于形成在2个电极部间之导波管之后,再从设置于导波管之介电体板的等离子露出面释放至真空容器而激发等离子。

80. 发明专利

TW201134330A 電漿處理裝置及印刷電路板之製造方法 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING A PRINTED CIRCUIT BOARD 审中-公开
简体标题：等离子处理设备及印刷电路板之制造方法 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING A PRINTED CIRCUIT BOARD
公开(公告)号：TW201134330A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099124920
申请日：2010-07-28
申请人：國立大學法人東北大學 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
IPC分类号： H05K , C23C
CPC分类号： H05K3/16 , C23C14/022 , C23C14/024 , C23C14/046 , C23C14/165 , C23C14/352 , C23C14/568 , H05K3/381 , H05K3/388 , H05K2203/095 , H05K2203/1572
摘要：本發明之目的在於提供一種電路板電漿處理裝置,其在電路板的製造步驟中採用濺鍍處理程序,以提高產能並降低運轉成本。本發明之電路板電漿處理裝置,在同一電漿處理室內,具備電漿源,並具備對被處理基板進行前處理的表面處理部,以及形成由複數膜層所構成之種晶層的複數濺鍍成膜部。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种电路板等离子处理设备,其在电路板的制造步骤中采用溅镀处理进程,以提高产能并降低运转成本。本发明之电路板等离子处理设备,在同一等离子处理室内,具备等离子源,并具备对被处理基板进行前处理的表面处理部,以及形成由复数膜层所构成之种晶层的复数溅镀成膜部。

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