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61. 发明公开

EP0009097A1 Verfahren zum Herstellen einer Isolationsstruktur in einem Halbleiterkörper 失效
标题翻译：在半导体本体中制造的隔离结构的方法。
公开(公告)号：EP0009097A1
公开(公告)日：1980-04-02
申请号：EP79102643.8
申请日：1979-07-25
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Brock, Geoffrey Edgar
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/306 , H01L21/24
CPC分类号： H01L21/24 , H01L21/306 , H01L21/76245 , Y10S438/923
摘要： Bei dem Verfahren zur Herstellung einer Isolationsstruktur (9) in einem Halbleiterkörper (1), welche sich von einer Oberfläche des Halbleiterkörpers (1) in diesen hinein erstreckt, wird auf einer Oberfläche des Halbleiterkörpers (1) ein dem Querschnitt der Isolationsstruktur (9) parallel zu dieser Oberfläche entsprechendes Muster (6, 8) aus einem Metall erzeugt. Dann wird erhitzt, bis sich eine metallreiche Schmelze des Halbleitermaterials bildet. Anschließend läßt man die dem Halbleiterkörper (1) zugewandte Oberfläche der Schmelze unter Umwandlung von weiterem Halbleitermaterial in die metallreiche Schmelze in den Halbleiterkörper (1) hineinwandern, indem ein positiver Temperaturgradient in der gewünschten Wanderungsrichtung erzeugt wird.
Die bei dem Migrationsprozeß entstehenden hochdotierten Halbleiterbereiche werden anodisch unter Bildung von porösem Halbleitermaterial geätzt und schließlich wird unter Bildung von porösem Siliciumdioxid oxidiert. Das entstandene dielektrische Material ist homogen. Die erzeugte Isolationsstruktur (9) wird insbesondere dazu verwendet, um Halbleiterbereiche dielektrisch voneinander zu isolieren.
摘要翻译：在生产中在半导体本体中的绝缘结构（9）的制造方法（1）从半导体本体的表面突出（1）延伸到后者中，半导体主体（1），该绝缘结构的横截面（9）平行的表面上的在此表面对应的图案（6,8）产生的由金属构成。然后，将其加热，直到它形成半导体材料的富金属熔体。然后使所述半导体主体（1）的面对熔融，另外的半导体材料的转换在富含金属的熔体，进入半导体主体（1）插入迁移由正温度梯度在期望的迁移方向上产生。在迁移过程中发生的费用，高掺杂的半导体区域是阳极蚀刻，以形成多孔半导体材料，最后氧化，以形成多孔质二氧化硅。将得到的介电材料是均匀的。产生的（9）的绝缘结构是特别用于分离半导体区域dieiektrisch彼此。

62. 发明专利

JP2018029431A パワー半導体モジュール用信号中継基板有权
公开(公告)号：JP2018029431A
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：JP2016160062
申请日：2016-08-17
申请人：富士電機株式会社
发明人：牧野亮平 , 窪内源宜 , 高橋潔
IPC分类号： H02M7/48 , H02M1/08
CPC分类号： H01L21/24 , H01L21/22 , H01L21/288 , H01L25/115 , H01L25/18 , H02M7/003 , H02M7/48 , H05K1/0224 , H05K1/0243 , H05K1/0298 , H05K2201/09063
摘要：【課題】複数のパワー半導体モジュールとこれらを駆動する駆動装置との間の電気的接続を容易に行なうことができるパワー半導体モジュール用信号中継基板を提供する。【解決手段】多層基板部の第1配線層26a、第2配線層26b、第3配線層26c及び第4配線層26dに対して、複数のパワー半導体モジュールの第1半導体デバイスの制御端子に対して制御信号を与える経路となる第1制御配線層Lc1と、複数のパワー半導体モジュールの第1半導体デバイスの低電位側端子に対してグランド電位を与える経路となる第1グランド配線層Lg1と、複数のパワー半導体モジュールの第2半導体デバイスの制御端子に対して制御信号を与える経路となる第2制御配線層Lc2と、複数のパワー半導体モジュールの第2半導体デバイスに対してグランド電位を与える経路となる第2グランド配線層Lg2とを個別に割り当てている。【選択図】図6

63. 发明专利

JPWO2016084205A1 柱状半導体装置と、その製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2016084205A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2015512405
申请日：2014-11-27
申请人：ユニサンティスエレクトロニクスシンガポールプライベートリミテッドUnisantis Electronics Singapore Pte Ltd. , ユニサンティスエレクトロニクスシンガポールプライベートリミテッドUnisantis Electronics Singapore Pte Ltd.
发明人：舛岡　富士雄 , 富士雄舛岡 , 原田　望 , 望原田
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/092 , H01L29/41 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66666 , H01L21/225 , H01L21/24 , H01L21/26513 , H01L21/28518 , H01L21/28531 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/768 , H01L21/76805 , H01L21/823437 , H01L21/823487 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/41741 , H01L29/42356 , H01L29/42392 , H01L29/7827
摘要： Si柱(6)の中間位置の外周部にゲート絶縁層、ゲート導体層の開口部を形成し、この開口部の外周部にNi膜、ドナー又はアクセプタ不純物原子御を含んだポリSi層、SiO2層(17a、17b)を各2つ重ねた積層層を形成し、熱処理を行い、ポリSi層のシリサイド化を行い、このシリサイド化により突き出てSi柱(6)側面に接触したNiSi層(20a、20b)からSi柱(6)内へのドナー又はアクセプタ不純物原子の拡散によりSGTのソースまたはドレインとなるN+領域(2a)及びP+領域(3a)を形成する。

64. 发明专利

JP5841696B1 柱状半導体装置と、その製造方法有权
标题翻译：的柱状半导体器件，制造同样的方法
公开(公告)号：JP5841696B1
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：JP2015512405
申请日：2014-11-27
申请人：ユニサンティスエレクトロニクスシンガポールプライベートリミテッド , Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd.
发明人：舛岡富士雄 , 原田望
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L21/225 , H01L21/24 , H01L21/26513 , H01L21/28518 , H01L21/28531 , H01L21/768 , H01L21/76805 , H01L21/823437 , H01L21/823487 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/41741 , H01L29/42356 , H01L29/66666
摘要： Si柱(6)の中間位置の外周部にゲート絶縁層、ゲート導体層の開口部を形成し、この開口部の外周部にNi膜、ドナー又はアクセプタ不純物原子御を含んだポリSi層、SiO 2 層(17a、17b)を各2つ重ねた積層層を形成し、熱処理を行い、ポリSi層のシリサイド化を行い、このシリサイド化により突き出てSi柱(6)側面に接触したNiSi層(20a、20b)からSi柱(6)内へのドナー又はアクセプタ不純物原子の拡散によりSGTのソースまたはドレインとなるN + 領域(2a)及びP + 領域(3a)を形成する。
摘要翻译：栅极在Si柱（6）的中间位置的外周部的绝缘层，以形成栅极导体层上的开口部的外周部的开口，Ni层，含有您的施主或受主杂质原子，二氧化硅的多晶Si层层（17A，17B），以形成两个重叠的层压层，进行热处理，在与Si柱（6）侧突出此硅化（20a相接触进行多晶硅层，硅化镍层的硅化以形成由从20b）的与Si柱（6）在（2a上的施主或受主杂质原子的扩散用作源或SGT的漏极的N +区）和P +区（图3a）。

65. 发明专利

JPS5946090B2 JPS5946090B2 - 失效
公开(公告)号：JPS5946090B2
公开(公告)日：1984-11-10
申请号：JP50026479
申请日：1979-11-26
申请人： Western Electric Co
发明人： SUEI-YUEN LIEN
IPC分类号： H01L21/208 , C30B13/02 , H01L21/228 , H01L21/24
CPC分类号： C30B13/02 , H01L21/24

66. 发明专利

JP6103122B1 パワー半導体モジュール用信号中継基板有权
公开(公告)号：JP6103122B1
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：JP2016160062
申请日：2016-08-17
申请人：富士電機株式会社
发明人：牧野亮平 , 窪内源宜 , 高橋潔
IPC分类号： H02M1/08 , H02M7/48
CPC分类号： H01L21/24 , H01L21/22 , H01L21/288 , H01L25/18 , H02M7/48
摘要：【課題】複数のパワー半導体モジュールとこれらを駆動する駆動装置との間の電気的接続を容易に行なうことができるパワー半導体モジュール用信号中継基板を提供する。【解決手段】多層基板部の第1配線層26a、第2配線層26b、第3配線層26c及び第4配線層26dに対して、複数のパワー半導体モジュールの第1半導体デバイスの制御端子に対して制御信号を与える経路となる第1制御配線層Lc1と、複数のパワー半導体モジュールの第1半導体デバイスの低電位側端子に対してグランド電位を与える経路となる第1グランド配線層Lg1と、複数のパワー半導体モジュールの第2半導体デバイスの制御端子に対して制御信号を与える経路となる第2制御配線層Lc2と、複数のパワー半導体モジュールの第2半導体デバイスに対してグランド電位を与える経路となる第2グランド配線層Lg2とを個別に割り当てている。【選択図】図6

67. 发明专利

JP2015099946A LEDおよびLEDの組立方法审中-公开
标题翻译： LED和组装LED的方法
公开(公告)号：JP2015099946A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：JP2015039913
申请日：2015-03-02
申请人：フィリップスルミレッズライティングカンパニーリミテッドライアビリティカンパニー
发明人：スティーブン・ディー・レスター
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/007 , H01L33/22 , H01L21/24
摘要：【課題】LEDの発生光の外部への結合効率を効率的に改善する。【解決手段】基板112上に堆積した半導体材料の第1の層13と共にp−nダイオードを形成する前記半導体材料の第2の層14と、第1と第2の層の間にあって、光を発生する発光領域18と、第2の層に堆積した第1の電極15と、第1の層に電気的に接続された第2の電極16が含まれている。基板112の上部表面に、光を散乱または回折するための突出部118及び/または陥凹部119が設けられる。第2の層の上部表面の粗面化も用いることができる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：有效地提高由LED产生的光与外部的耦合效率。解决方案：LED包括：形成pn二极管的半导体材料的第二层14和沉积的半导体材料的第一层13 在基板112上; 设置在第一和第二层之间并产生光的发光区域18; 沉积在第二层上的第一电极15; 以及与第一层电连接的第二电极16。用于散射或衍射光的突起118和/或凹陷119设置在基板112的上表面上。也可以使用第二层的上表面的粗糙表面。

68. 发明专利

JP2010219565A Led, and method of assembling led 审中-公开
标题翻译： LED和组装LED的方法
公开(公告)号：JP2010219565A
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：JP2010152901
申请日：2010-07-05
申请人： Philips Lumileds Lightng Co Llc , フィリップスルミレッズライティングカンパニーリミテッドライアビリティカンパニー
发明人： STEVEN D LESTER
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/025 , H01L21/24 , H01L33/007 , H01L33/22
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently improve efficiency of coupling of light emitted by an LED to the outside.
SOLUTION: The LED includes a second layer 14 of a semiconductor material which forms a p-n diode along with a first layer 13 of the semiconductor material deposited on a substrate 112, a light emitting region 18 disposed between the first and second layers and emitting light, a first electrode 15 deposited on the second layer, and a second electrode 16 electrically connected to the first layer. On an upper surface of the substrate 112, projection portions 118 and/or recessed portions 119 for scattering or diffracting the light are provided. Roughening of an upper surface of the second layer may be employed.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：有效地提高LED发射的光与外部的耦合效率。解决方案：LED包括半导体材料的第二层14，其与沉积在衬底112上的半导体材料的第一层13一起形成pn二极管，布置在第一层和第二层之间的发光区18和发光，沉积在第二层上的第一电极15和与第一层电连接的第二电极16。在基板112的上表面设置用于散射或衍射光的突出部118和/或凹部119。可以使用第二层的上表面的粗化。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

69. 发明专利

JPS5772322A Method of generating alloyed metallic contact layer to surface of semiconductor 失效
标题翻译：将合金金属接触层生成到SEMICONDUCTOR表面的方法
公开(公告)号：JPS5772322A
公开(公告)日：1982-05-06
申请号：JP13254981
申请日：1981-08-24
申请人： Siemens Ag
发明人： FUUBERUTO PATARONGU , EBAAHARUTO EFU KURINMERU
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/24 , H01L21/263 , H01L21/268 , H01L21/285 , H01L29/45
CPC分类号： H01L21/28512 , H01L21/24 , H01L21/2636 , H01L21/268 , H01L21/28518 , H01L29/456

70. 发明公开

KR1020160009824A 쇼트키 다이오드 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：肖特基二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160009824A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：KR1020140090126
申请日：2014-07-17
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 김용성
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/24 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/47 , H01L29/66143 , H01L29/872 , H01L21/24 , H01L21/326 , H01L29/86
摘要： 쇼트키다이오드와그 제조방법이개시된다. 상기쇼트키다이오드는, 기판의표면부위에형성된제1 도전형을갖는드리프트영역과, 상기기판상에형성되며상기드리프트영역을노출시키는개구를갖는절연막과, 상기개구에의해노출된상기드리프트영역상에형성된티타늄실리사이드막을포함한다.
摘要翻译：公开了一种肖特基二极管及其制造方法。肖特基二极管包括形成在基板的表面上的具有第一导电类型的漂移区域，形成在基板上并具有用于使漂移区域露出的开口的绝缘层和形成在漂移区域上的硅化钛层暴露在开口处。

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