基本信息:
- 专利标题： パワー半導体モジュール用信号中継基板
- 专利标题（英）：JP2018029431A - Power semiconductor module for signal relay board
- 申请号：JP2016160062 申请日：2016-08-17
- 公开(公告)号：JP2018029431A 公开(公告)日：2018-02-22
- 发明人： 牧野 亮平 , 窪内 源宜 , 高橋 潔
- 申请人： 富士電機株式会社
- 申请人地址： 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号
- 专利权人： 富士電機株式会社
- 当前专利权人： 富士電機株式会社
- 当前专利权人地址： 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号
- 代理人： 廣瀬 一; 田中 秀▲てつ▼
- 主分类号： H02M7/48
- IPC分类号： H02M7/48 ; H02M1/08
摘要：
【課題】複数のパワー半導体モジュールとこれらを駆動する駆動装置との間の電気的接続を容易に行なうことができるパワー半導体モジュール用信号中継基板を提供する。 【解決手段】多 層基板 部の第1配線層26a、第2配線層26b、第3配線層26c及び第4配線層26dに対して、複数のパワー半導体モジュールの第1半導体デバイスの制御端子に対して制御信号を与える経路となる第1制御配線層Lc1と、複数のパワー半導体モジュールの第1半導体デバイスの低電位側端子に対してグランド電位を与える経路となる第1グランド配線層Lg1と、複数のパワー半導体モジュールの第2半導体デバイスの制御端子に対して制御信号を与える経路となる第2制御配線層Lc2と、複数のパワー半導体モジュールの第2半導体デバイスに対してグランド電位を与える経路となる第2グランド配線層Lg2とを個別に割り当てている。 【選択図】図6
公开/授权文献:
- JP6103122B1 パワー半導体モジュール用信号中継基板 公开/授权日：2017-03-29
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H02 | 发电、变电或配电 |
| ----H02M | 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节 |
| ------H02M7/00 | 交流功率输入变换为直流功率输出；直流功率输入变换为交流功率输出 |
| --------H02M7/02 | .不可逆的交流功率输入变换为直流功率输出 |
| ----------H02M7/44 | ..利用静态变换器的 |
| ------------H02M7/48 | ...应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件的 |