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1. 发明公开

CN107134480A 半导体器件和用于形成半导体器件的方法无效
公开(公告)号：CN107134480A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710250808.9
申请日：2017-02-24
申请人：英飞凌科技股份有限公司
发明人： S·巴尔曾
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/24 , H01L21/76838 , H01L23/481 , H01L29/0657 , H01L29/66666 , H01L29/7827
摘要：本发明涉及半导体器件和用于形成半导体器件的方法。一种用于形成半导体器件的方法包括：形成绝缘沟槽结构，所述绝缘沟槽结构包括从半导体衬底的表面延伸到半导体衬底中的绝缘材料。绝缘沟槽结构横向围绕半导体衬底的部分。该方法还包括修改半导体衬底的横向围绕部分以形成包括合金材料的垂直导电结构。合金材料是半导体衬底材料和至少一种金属的合金。

2. 发明公开

CN103548119A SiC半导体器件及其制造方法有权
公开(公告)号：CN103548119A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024155.8
申请日：2012-05-30
申请人：富士电机株式会社
发明人：今井文一
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L29/4975 , H01L21/0485 , H01L21/24 , H01L21/244 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/6606 , H01L29/872
摘要：在SiC衬底(1)上形成包钛和镍的层。通过加热形成含碳化钛的硅化镍层(4)。通过逆溅射来去除所析出的碳层(5)。由此，抑制在后续步骤中形成于硅化镍上的金属层的电极(8)发生剥离。当碳层(5)去除前的硅化镍表面上析出的碳量与碳化钛的碳量之间的关系满足预定条件时，能够进一步提高防止剥离的效果。

3. 发明公开

CN105679653A 硫硅半导体合金叠层太阳能电池的制作方法有权
公开(公告)号：CN105679653A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610052241.X
申请日：2016-01-27
申请人：西南科技大学 , 成都特频微电子科技发展有限公司
发明人：杨永佳 , 胡思福 , 李同彩 , 胡志伟 , 菲利克斯.胡 , 李晓红 , 刘德雄 , 温才 , 唐金龙 , 蒋鑫
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/24 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L21/02381 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02568 , H01L21/02631 , H01L21/24
摘要：本发明为硫硅半导体合金叠层太阳能电池的制作方法，解决在SF6气氛中激光掺硫形成黑硅，半导体非晶硅薄膜层硫元素的掺入量低且不稳定，在厚度到微米量级的非晶层中掺入5×1018-1020/cm3生长周期长，效率低，近红外光波段光电转换效应非常微弱的问题。在商用太阳能电池衬底芯片表面上激光外延生长含S/Si半导体合金层0.5-3.5μm厚度。在N2气氛中利用脉冲宽度为1-800ns脉冲激光，控制能量密度使太阳能电池表面上含硫的Si膜材料温度达到熔点。大约宽1mm×30mm高的带状ns激光，以50-500μm/s速度对其进行扫描，使其表面形成高浓度硫掺杂的具有多晶结构的n+(s)型硫硅半导体合金层，掺硫浓度为5×1018-1020/cm3。n+(s)合金层与衬底电池的掺P的n(p)型层构成n+(s)/n(p)异质结。

4. 发明授权

CN102881571B 有源层离子注入方法及薄膜晶体管有源层离子注入方法失效
公开(公告)号：CN102881571B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210371558.1
申请日：2012-09-28
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：马占洁
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/265 , H01L21/24 , H01L21/2652 , H01L29/66742 , H01L29/66757
摘要：本发明公开了一种有源层离子注入方法及薄膜晶体管有源层离子注入方法，以解决现有技术中利用栅绝缘层进行有源层离子注入时，损伤栅绝缘层薄膜结构，影响栅绝缘层特性的问题。本发明中通过涂覆的光刻胶作为有源层的保护层进行离子注入，保证有源层离子注入时，不破坏有源层，进行后续工艺时，也能保证栅绝缘层的薄膜结构不破坏，确保TFT的特性。

5. 发明公开

CN108074927A 堆叠状半导体结构无效
公开(公告)号：CN108074927A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711147759.2
申请日：2017-11-17
申请人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
发明人： D·富尔曼 , W·古特 , V·科伦科
IPC分类号： H01L27/102 , H01L29/861 , H01L29/88
CPC分类号： H01L29/88 , H01L21/24 , H01L21/308 , H01L25/0756 , H01L31/03046 , H01L31/0687 , H01L31/1844 , H01L2924/12036
摘要：一种堆叠状半导体结构具有：N个相互串联连接的半导体二极管，每个半导体二极管具有一个p-n结，在各两个彼此相继的半导体二极管之间构造隧道二极管，半导体二极管和隧道二极管一起单片式地集成并且共同形成具有上侧和下侧的堆叠，半导体二极管的数目N大于等于2，在以光照射堆叠的情况下堆叠在300K的情况下具有大于2V的源电压，以及在从第一堆叠的上侧朝堆叠的下侧，半导体二极管的p型和n型吸收层的总厚度从最上面的二极管朝最下面的二极管增加，半导体二极管具有相同的带隙，堆叠构造在衬底上，在堆叠的下侧附近构造有环绕的、凸肩状的主级，主级具有出口面，堆叠借助下侧布置在衬底上，衬底包括半导体材料。

6. 发明公开

CN103489932A 一种纳米硅磷浆及其制备方法和应用失效
公开(公告)号：CN103489932A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310397907.1
申请日：2013-09-04
申请人：苏州金瑞晨科技有限公司
发明人：刘国钧 , 万剑 , 沈晓东 , 蒋红彬 , 成汉文 , 沈晓燕 , 杨晓旭
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L21/24 , H01L21/2257 , H01L31/068
摘要：本发明公开了一种纳米硅磷浆的组成及其制备方法，还公开了使用该纳米硅磷浆生产正面接触p型太阳能电池的应用方法以及生产出的太阳能电池的结构；所述纳米硅磷浆用丝网印刷方法印在涂有氮化硅减反射膜的太阳能电池硅片上面，在烧结正面银浆金属电极时，纳米硅磷浆穿透氮化硅（SiNx)减反射膜，使纳米硅直接与硅片基板接触；纳米硅磷浆释放磷原子扩散到硅片中对浆体覆盖区域进行掺杂，增加覆盖区发射极厚度，进一步防止p/n结被烧穿；烧结完成后，纳米硅与银共晶析出，银栅线与硅基板形成良好的欧姆接触，增强银栅线的附着力；所述方法简化太阳能电池生产步骤。

7. 发明授权

CN103548119B SiC半导体器件及其制造方法有权
公开(公告)号：CN103548119B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280024155.8
申请日：2012-05-30
申请人：富士电机株式会社
发明人：今井文一
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L29/4975 , H01L21/0485 , H01L21/24 , H01L21/244 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/6606 , H01L29/872
摘要：在SiC衬底(1)上形成包钛和镍的层。通过加热形成含碳化钛的硅化镍层(4)。通过逆溅射来去除所析出的碳层(5)。由此，抑制在后续步骤中形成于硅化镍上的金属层的电极(8)发生剥离。当碳层(5)去除前的硅化镍表面上析出的碳量与碳化钛的碳量之间的关系满足预定条件时，能够进一步提高防止剥离的效果。

8. 发明公开

CN102881571A 有源层离子注入方法及薄膜晶体管有源层离子注入方法失效
公开(公告)号：CN102881571A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210371558.1
申请日：2012-09-28
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：马占洁
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/265 , H01L21/24 , H01L21/2652 , H01L29/66742 , H01L29/66757
摘要：本发明公开了一种有源层离子注入方法及薄膜晶体管有源层离子注入方法，以解决现有技术中利用栅绝缘层进行有源层离子注入时，损伤栅绝缘层薄膜结构，影响栅绝缘层特性的问题。本发明中通过涂覆的光刻胶作为有源层的保护层进行离子注入，保证有源层离子注入时，不破坏有源层，进行后续工艺时，也能保证栅绝缘层的薄膜结构不破坏，确保TFT的特性。

9. 发明公开

CN1336012A 注入式非相干发射体无效
公开(公告)号：CN1336012A
公开(公告)日：2002-02-13
申请号：CN99815912.3
申请日：1999-07-27
申请人：瓦西里·伊万诺维奇·什韦金
发明人：瓦西里·伊万诺维奇·什韦金
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/24 , H01L27/156 , H01L33/0045 , H01L33/405 , H01L33/46
摘要：本发明涉及注入式非相干发射体,它能减小定向的自发和出射辐射的输出的发散角,同时增加外部效率以及增加能量和照明功率,该发射体包括,在整个异质结构(2)内多层具有位于预定范围内的组分和厚度的层和子层,还包括多层供辐射输出区(7)用的层,本发明还涉及不同异质结构和输出区的改进,他们允许在不同的控制方向内输出辐射,包括垂直于所述的发射体的有源层的方向的输出,本发明还涉及多光束的非相干发射体,包含具有自动控制光束的辐射平面和矩阵控制器。

10. 发明申请

WO1983003710A1 TEMPERATURE GRADIENT ZONE MELTING PROCESS AND APPARATUS 审中-公开
标题翻译：温度梯度熔融工艺和设备
公开(公告)号：WO1983003710A1
公开(公告)日：1983-10-27
申请号：PCT/US1983000478
申请日：1983-04-06
申请人： HUGHES AIRCRAFT COMPANY
发明人： HUGHES AIRCRAFT COMPANY , BROWN, Roger, H. , CHOW, Kuen, R. , GOODWIN, Norman, W. , GRINBERG, Jan
IPC分类号： H01L21/24
CPC分类号： H01L21/24 , C30B13/02
摘要： A process for fabricating a semiconductor device by thermal gradient zone melting, whereby metal-rich droplets (24) such as aluminum migrate through a semiconductor wafer (14) such as silicon to create conductive paths (22). One surface of the wafer (14) is placed intimately adjacent a heating surface (42) to establish a high and uniform thermal gradient through the wafer (14). Heat in the wafer (14) is removed from the other wafer surface. The apparatus for practicing the process comprises a base (40), heating means (44) and heat sink (46) means. Heating means (40) comprises a platform (40) having a generally planar heating surface (42) adapted to receive the entire area of the one surface of at least one wafer (14). The heat sink means (46) is spaced away from the other wafer surface to form a space (48) therebetween, the space being adapted to receive a high heat conductive gas. The heat sink means (46) and the gas cooperatively remove the heat in the wafer (14) to enhance the establishment of the thermal gradient. One surface of the wafer may be provided with a buffer layer (70) thereon, which is placed directly on a heating surface (42). The buffer layer (70) terminates the migration of the droplets to prevent allowing of the droplets with the heating surface (42).
摘要翻译：一种用于通过热梯度区熔化制造半导体器件的方法，其中诸如铝的富金属液滴（24）穿过诸如硅的半导体晶片（14）迁移以产生导电路径（22）。将晶片（14）的一个表面紧密地放置在加热表面（42）附近，以建立穿过晶片（14）的高均匀的热梯度。将晶片（14）中的热量从另一个晶片表面移除。用于实施该方法的装置包括基座（40），加热装置（44）和散热器（46）装置。加热装置（40）包括具有适于接收至少一个晶片（14）的一个表面的整个区域的大致平面加热表面（42）的平台（40）。散热装置（46）与另一个晶片表面间隔开，以在它们之间形成空间（48），该空间适于接收高导热气体。散热装置（46）和气体协同地移除晶片（14）中的热量以增强热梯度的建立。晶片的一个表面可以在其上设置有缓冲层（70），其直接放置在加热表面（42）上。缓冲层（70）终止液滴的迁移，以防止允许具有加热表面（42）的液滴。

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