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61. 发明申请

WO2018077957A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：制造光电子半导体元件和光电子半导体元件的方法
公开(公告)号：WO2018077957A1
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：PCT/EP2017/077326
申请日：2017-10-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： OTTO, Isabel , PFEUFFER, Alexander F. , GÖÖTZ, Britta , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/50 , H01L27/15
摘要： In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die folgenden Schritte: - Bereitstellen einer Primärlichtquelle (2) mit einem Träger (21) und einer darauf angebrachten Halbleiterschichtenfolge (22) zur Erzeugung von Primärlicht (B), wobei die Halbleiterschichtenfolge (22) in eine Vielzahl von elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbaren Bildpunkten (24) strukturiert wird und der Träger (21) eine Vielzahl von AnSteuereinheiten (23) zur Ansteuerung der Bildpunkte (24) umfasst, - Bereitstellen einer Konversionseinheit (3, 4), die dazu eingerichtet ist, das Primärlicht (B) in Sekundärlicht (G, R) umzuwandeln, wobei die Konversionseinheit (3, 4) zusammenhängend aus einem Halbleitermaterial (31, 41) gewachsen wird, - Strukturieren der Konversionseinheit (3, 4), wobei Teilgebiete des Halbleitermaterials (31, 41) entsprechend den Bildpunkten (24) entfernt werden, und - Aufbringen der Konversionseinheit (3, 4) auf die Halbleiterschichtenfolge (22), sodass das verbleibende Halbleitermaterial (31, 41) einem Teil der Bildpunkte (24) eindeutig zugeordnet wird.
摘要翻译：
在一个示例性导航用途货币形式，用于生产光电半导体部件的方法（1）被布置并包括以下步骤： - 提供一个主BEAR rlichtquelle（2）与Tr的AUML; GER（21）和一个安装在其上，用于产生初级BEAR rlicht（B），其中，所述半导体层序列（22）为多个电独立地BEAR单独彼此寻址的像素（24）和Tr的AUML的构造的半导体层序列（22）; GER（21）的多个驱动器单元（23），用于控制所述像素（24）， - 提供适于将所述初级光（B）转换成次级光（G，R）的转换单元（3,4），其中所述转换单元，4）zusammenh承受半导体材料（31 ngend，41）生长， - 图案化所述转换单元（3，4），其特征在于，对应于所述图像元素（24）N的半导体材料（31，41）的子区域以及 - 将转换单元（3,4）施加到半导体层序列（22），使得剩余的半导体材料（31,41）被唯一地分配给像素（24）的一部分，

62. 发明申请

WO2017045996A1 TRÄGER FÜR EIN BAUELEMENT, BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES TRÄGERS ODER EINES BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：支持用于生产载体或组件的组件，Component和方法
公开(公告)号：WO2017045996A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：PCT/EP2016/071206
申请日：2016-09-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/56
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/44 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
摘要： Es werden ein Träger (10) und ein optoelektronisches Bauelement (100) mit dem Träger (10) angegeben, wobei der Träger (10) einen Formkörper (5), zumindest einen Durchkontakt (41, 42) und eine Mehrzahl von Verstärkungsfasern (52) aufweist, wobei der Formkörper (5) aus einem elektrisch isolierenden Formkörpermaterial (53) gebildet ist, der Durchkontakt (41, 42) aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet ist, und die Verstärkungsfasern (52) eine mechanische Verbindung zwischen dem Formkörper (5) und dem Durchkontakt (41, 42) vermitteln, indem die Verstärkungsfasern (52) jeweils bereichsweise in dem Formkörper (5) und bereichsweise in dem Durchkontakt (41, 42) angeordnet sind. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines Trägers oder eines Bauelements mit einem solchen Träger angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种载体（10）和与所述支撑件（10）的光电元件（100），所述载体（10）的成型体（5），通孔（41，42）和多个加强纤维中的至少一个（52），其特征在于，电绝缘模制体材料（53）的模制体（5）被形成时，通过（41，42）是由导电材料形成，和增强纤维（52）的成型体之间的机械连接（5）和通孔（41，42）传送，由增强纤维（52）的每个部分中的模制体（5）和部分地位于经由被布置（41,42）。此外，产生载体的方法或部件由这样的载体表示。

63. 发明申请

WO2017045995A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND 3D-DRUCKER DAMIT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件和3D打印机，
公开(公告)号：WO2017045995A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：PCT/EP2016/071202
申请日：2016-09-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GMEINWIESER, Nikolaus , VON MALM, Norwin
IPC分类号： B29C67/00 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y70/00 , H01L27/15 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01S5/026
CPC分类号： B33Y30/00 , B29C64/129 , H01L27/156 , H01L33/382 , H01L33/46
摘要： Es umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (5) sowie eine Vielzahl von einzeln ansteuerbaren, im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) Strahlung (R) emittierenden Bildpunkten (20). Dabei sind die Bildpunkte (20) aus einem Halbleitermaterial gebildet und auf dem Träger (5) angebracht. Das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) enthält eine Vielzahl von Transportkanälen (3), die zu einem Transport eines Gases und/oder einer Flüssigkeit durch das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) hindurch in Richtung quer zu und, innerhalb des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1), hin zu einer Strahlungsaustrittsseite (10) eingerichtet sind. Ferner sind die Bildpunkte (20) dazu bestimmt, Strahlung (R) mit einer Wellenlänge maximaler Intensität von 470 nm oder weniger zu emittieren.
摘要翻译：光电子半导体器件（1）包括支撑件（5）和所述光电子半导体器件（1）辐射（R）发光象素（20）的操作期间的多个独立可控的。这里，图像元素（20）的载体（5）上的半导体材料形成。的光电子半导体器件（1）包含多个传输信道（3），从而导致气体和/或由所述光电子半导体器件的液体（1）穿过其中的输送的方向横向于和光电子半导体器件（1）内，朝辐射出射侧（10）被布置。此外，图像的点（20）意在辐射（R），用470纳米或更小的最大强度的波长发射。

64. 发明申请

WO2015189347A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS SOWIE LICHTQUELLE MIT EINEM OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件，方法用于制造光电半导体器件和光源的光电子半导体器件
公开(公告)号：WO2015189347A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：PCT/EP2015/063093
申请日：2015-06-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/54 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L33/58
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (9) angegeben, umfassend - ein Leuchtdiodenbauteil (1) mit zumindest einem Leuchtdiodenchip (11) und einer Deckfläche (la), die dem Leuchtdiodenchip (11) in einer Abstrahlrichtung (Z) nachgeordnet ist, - ein Konversionselement (2), das dem Leuchtdiodenbauteil (1) in Abstrahlrichtung (Z) nachgeordnet ist, - einen Rahmenkörper (3) und - einen Deckkörper (4), der aus einem strahlungsdurchlässigen Material gebildet ist, wobei - der Rahmenkörper (3) alle Seitenflächen (2c) des Konversionselementes (2) rahmenartig umschließt, - der Deckkörper (4) dem Konversionselement (2) in Abstrahlrichtung (Z) nachgeordnet ist und das Konversionselement (2) an seiner dem Leuchtdiodenchip (11) abgewandten Deckfläche (2a) überdeckt.
摘要翻译：它是被指定的光电子半导体器件（9），包括： - 发光元件（1），具有至少一个发光二极管芯片（11）和一个顶面（LA），其面对在发射方向上的LED芯片（11）（Z）布置在下游， - 一个转换元件（ 2），其被布置在下游（在发射方向（Z LED组件1））， - 一个框体（3），以及 - 一个盖主体（4），其辐射可透过的材料形成，其特征在于， - 所述框架主体（3），所有侧表面（2c的）转换元件（2）的包围的框状， - 在发射方向（Z帽体（4）（在转换元件2））被设置成下游表面和顶表面，（2）的面向从（LED芯片11）远离所述转换元件（2a）的覆盖。

65. 发明申请

WO2015154958A1 LICHT EMITTIERENDE VORRICHTUNG UND VERFARHEN ZUR HERSTELLUNG EINER LICHT EMITTIERENDEN VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：发光器件和VERFARHEN用于产生光发射装置
公开(公告)号：WO2015154958A1
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：PCT/EP2015/055702
申请日：2015-03-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： STOLL, Ion , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/50 , C09K11/02 , H01L27/32
CPC分类号： H01L33/504 , C09K11/02 , C09K11/06 , H01L27/322 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L51/5268 , H01L51/5281 , H01L51/56 , H01L2251/303 , H01L2251/5369 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/0091
摘要： Es wird eine Licht emittierende Vorrichtung angegeben, die ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (1), das im Betrieb erstes Licht in einem ersten Wellenlängenbereich emittiert, und im Strahlengang des ersten Lichts angeordnet ein Wellenlängenkonversionselement (2), das das erste Licht zumindest teilweise in zweites Licht in einem zweiten vom ersten Wellenlängenbereich verschiedenen Wellenlängenbereich umwandelt, aufweist, wobei das Wellenlängenkonversionselement (2) Nanopartikel (3) aufweist, die organische lumineszierende Moleküle (31) in einem Grundmaterial (30), das aus einem SiO 2 -basierten Material gebildet wird, enthalten. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung angegeben.
摘要翻译：提供了一种包括一个发光半导体组件（1），其发射在操作在第一波长范围内和在所述第一光的光束路径中的第一光的波长变换元件的发光装置（2），使得第一光至少部分地进入第二光转换在从所述第一波长范围的波长范围的第二不同的，所述波长转换元件（2）纳米颗粒（3），含有在基体材料（30），这是基于SiO 2的材料形成的有机发光分子（31）。此外，提供了一种制造发光器件的方法。

66. 发明申请

WO2015124464A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件
公开(公告)号：WO2015124464A1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：PCT/EP2015/052761
申请日：2015-02-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HERRMANN, Siegfried , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/075 , H01L25/50 , H01L33/0095 , H01L33/486 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) angegeben, umfassend ein Bereitstellen eines Trägers (1) mit zumindest einer Montagefläche (11), ein Erzeugen von zumindest zwei Durchkontaktierungen (4) in dem Träger (1) mit in den Durchkontaktierungen (4) verlaufenden elektrisch leitenden Kontakten (12, 13), ein Bereitstellen zumindest eines Licht emittierenden Halbleiterchips (2), wobei der Halbleiterchip (2) ein Aufwachssubstrat (10) und eine darauf epitaktisch gewachsene Schichtenfolge (7) umfasst, ein Montieren des zumindest einen Halbleiterchips (2) auf die zumindest eine Montagefläche (11) des Trägers (1), wobei der Halbleiterchip (2) beim Montieren auf die Montagefläche (11) im selben Verfahrensschritt elektrisch leitend mit den Kontakten (12, 13) verbunden wird, ein Vereinzeln des Trägers (1) entlang von Vereinzelungslinien (V), wobei eine Vereinzelungslinie (V) durch zumindest eine der Durchkontaktierungen (4) verläuft, so dass nach dem Vereinzeln die Kontakte (12, 13) Kontaktflächen (5) an zumindest einer Seitenfläche (la) des Trägers (1) bilden, wobei die Seitenfläche (la) senkrecht zur Montagefläche (11) des Trägers (1) ist, und eine Montage des Trägers (1) mit den Kontaktflächen (5) auf einer Anschlussplatte (8), wobei die Montagefläche (11) senkrecht zu der Anschlussplatte (8) steht.
摘要翻译：提供了一种方法用于制造光电子组件（100），包括提供一个载体（1），具有至少一个安装表面（11），产生在所述支承件（1）与（在通孔中的至少两个通孔（4） 4）延伸的导电触点（12，13），提供至少一个发光半导体芯片（2），其中所述半导体芯片（2），包括在生长衬底（10）和随后的外延生长层序列（7），安装所述至少一个半导体芯片（2）到所述载体（1）的至少一个安装表面（11），其中所述半导体芯片（2）在同一工艺步骤中的安装表面（11）上安装时，导电连接到接触件（12，13）连接，一个切单该载体（1）沿着切割线（V），其特征在于，分离线（V）通过通孔（4）中的至少一个，从而使后分离所述触点（12,13）的接触表面（5）上的支架（1）的至少一个侧表面（LA），其特征在于，垂直于所述载体（1）的安装面（11）的侧表面（LA），和载体的组件（1）用在连接板（8）的接触表面（5），其中所述安装表面（11）垂直于所述连接板（8）。

67. 发明申请

WO2014139849A1 ANZEIGEVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：WO2014139849A1
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：PCT/EP2014/054275
申请日：2014-03-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： VON MALM, Norwin , MARTIN, Alexander
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/44 , H01L33/40
CPC分类号： H01L25/167 , H01L23/5386 , H01L27/156 , H01L29/78672 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Anzeigevorrichtung (1) mit zumindest einem Halbleiterkörper, der eine Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist und eine Mehrzahl von Bildpunkten (2a, 2b) bildet, aufweist und mit einer Ansteuerschaltung (54), wobei - die Ansteuerschaltung eine Mehrzahl von Schaltern (55) aufweist, die jeweils zur Steuerung von zumindest einem Bildpunkt (2a, 2b) vorgesehen sind; - zwischen der Ansteuerschaltung und dem Halbleiterkörper eine erste Metallisierungsschicht und eine von der ersten Metallisierungsschicht elektrisch isolierte zweite Metallisierungsschicht angeordnet sind; - die erste Metallisierungsschicht und/oder die zweite Metallisierungsschicht mit zumindest einem der Bildpunkte elektrisch leitend verbunden ist; und - die erste Metallisierungsschicht und die zweite Metallisierungsschicht so miteinander überlappend angeordnet sind, dass die Ansteuerschaltung in Aufsicht auf die Anzeigevorrichtung an jeder Stelle, die mit einem der Bildpunkte überlappt oder zwischen zwei benachbarten Bildpunkten angeordnet ist, mit zumindest einer der Metallisierungsschichten bedeckt ist.
摘要翻译：一种显示装置（1）与具有半导体层序列（2）至少一个半导体主体具有用于产生辐射有源区（20）和多个像素（2A，2B），并设置有一个驱动电路（54），其中， - 所述控制电路包括多个开关（55），每个用于控制至少一个像素（2A，2B）设置; - 被设置在驱动电路和半导体本体中的第一金属化层，并从所述第一金属化层第二金属化层电绝缘之间; - 第一金属化层和/或所述第二金属化导电地连接到所述像素中的至少一者; 以及 - 所述第一金属化部和第二金属化层被布置成彼此重叠，使得所述驱动电路覆盖有鉴于显示装置的每个位置处，其被重叠在图像点中的一个或位于两个相邻像素之间的金属化层中的至少一个。

68. 发明申请

WO2013045399A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件及其制造方法的光电子半导体器件
公开(公告)号：WO2013045399A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/068783
申请日：2012-09-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , PLÖßL, Andreas , VON MALM, Norwin , LINKOV, Alexander , HÖPPEL, Lutz , KÖLPER, Christopher
发明人： SABATHIL, Matthias , PLÖßL, Andreas , VON MALM, Norwin , LINKOV, Alexander , HÖPPEL, Lutz , KÖLPER, Christopher
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/58 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/48 , H01L31/0232 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/486 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (1) und einem optischen Element (2) angegeben, wobei zwischen dem Halbleiterchip (1) und dem optischen Element (2) eine Verbindungsschicht (3) mit einem transparenten Oxid angeordnet ist, die an den Halbleiterchip (1) und das optische Element (2) jeweils unmittelbar angrenzt und das optische Element (2) auf dem Halbleiterchip (1) befestigt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一个光电子半导体芯片（1）和光学元件的光电子半导体器件（2），其中所述半导体芯片（1）和光学元件（2）的粘接层（3）之间设置有一个透明的氧化物，其在半导体芯片（1）和光学元件（2）分别紧邻和光学元件（2）在半导体芯片（1）上。此外，用于制造光电子半导体器件的方法中给出。

69. 发明申请

WO2012146459A1 METHOD FOR THE PRODUCING OF A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP, METHOD FOR THE PRODUCTION OF A CONVERSION DIE AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：用于生产发光半导体芯片的方法，用于生产转换晶片和发光半导体芯片的方法
公开(公告)号：WO2012146459A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/EP2012/055722
申请日：2012-03-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin , RAUKAS, Madis , KUNDALIYA, Darshan
发明人： VON MALM, Norwin , RAUKAS, Madis , KUNDALIYA, Darshan
IPC分类号： H05B33/10 , H01L33/00
CPC分类号： H05B33/10 , H01L27/156 , H01L2933/0041
摘要： A light-emitting semiconductor chip is provided, the semiconductor chip comprising a semiconductor body having a pixel region with at least two electrically isolated sub-regions, each sub-region comprising an active layer, which generates electromagnetic radiation of a first wavelength range during operation, a separately manufactured ceramic conversion die over a radiation emission area of at least one sub-region, said conversion die being configured to convert radiation of the first wavelength range into electromagnetic radiation of a second wavelength range, wherein a width of the conversion die does not exceed 100 pm. Further, a method for the production of a light-emitting semiconductor chip and method for the production of a conversion die are provided.
摘要翻译：提供了一种发光半导体芯片，所述半导体芯片包括具有至少两个电隔离子区域的像素区域的半导体本体，每个子区域包括有源层，其在操作期间产生第一波长范围的电磁辐射，在至少一个子区域的辐射发射区域上的单独制造的陶瓷转换管芯，所述转换管芯被配置为将第一波长范围的辐射转换成第二波长范围的电磁辐射，其中转换管芯的宽度不超过100点。此外，提供了一种制造发光半导体芯片的方法和用于制造转换晶片的方法。

70. 发明申请

WO2012130900A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012130900A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/EP2012/055555
申请日：2012-03-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin
发明人： VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/38 , H01L27/15 , H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01S5/042
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L31/02019 , H01L31/02327 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (100), angegeben, mit einem Träger (10) für eine optoelektronische Struktur, mit einem elektrisch isolierenden Trägerelement (1), das eine Montageseite (11) aufweist; zumindest einer elektrisch leitfähigen n-Verdrahtungsschicht (3); einer strukturierten, elektrisch leitfähigen Kontaktschicht (2), welchezumindest einen p-seitigen Kontaktbereich (21) und zumindest einem n-seitigen Kontaktbereich (22) aufweist; zumindest einem Isolationsbereich (4); zumindest einer elektrisch isolierenden Abstandsschicht (5), wobei der n-seitige Kontaktbereich (22) und die n-Verdrahtungsschicht (3) elektrisch leitend miteinander verbunden sind, und der p-seitige Kontaktbereich (21) und die Abstandschicht (5) den n-seitigen Kontaktbereich (22) in lateraler Richtung (L) vollständig umranden; zumindest einer optoelektronischen Struktur (7), die elektrisch leitend und mechanisch fest mit dem Träger (10) verbunden ist.
摘要翻译：它是一种光电子半导体芯片（100）被指定，具有包括电绝缘支承元件的光电子结构的支撑体（10）（1），具有安装侧（11）; 至少一个导电的n布线层（3）; 图案化的导电接触层（2）具有至少一个p侧接触区（21）和至少一个n侧接触区（22）; 至少一个隔离区域（4）; 至少一个电绝缘间隔层（5）中，n侧接触区（22）和（3）导电地相互连接的n布线层，以及p侧接触区（21）和隔离层（5）在n 在横向方向（L）完全边缘侧的接触区域（22）; 该导电连接和机械固定地连接至所述载体（10）的至少一个光电子结构（7）。

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