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61. 发明公开

KR1020060123898A 에칭 조성물 有权
标题翻译：蚀刻组合物
公开(公告)号：KR1020060123898A
公开(公告)日：2006-12-05
申请号：KR1020050045545
申请日：2005-05-30
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이기범 , 조삼영 , 신현철 , 김남서
IPC分类号： C09K13/04
摘要： Provided are an etching composition for a thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD) device which improves etching uniformity and profile without undercut, and a method for preparing a TFT-LCD device by using the composition. The etching composition comprises 40-80 wt% of phosphoric acid; 2-15 wt% of nitric acid; 3-20 wt% of acetic acid; 0.01-5 wt% of a phosphate; 0.001-1 wt% of an anionic surfactant; and the balance of water. Preferably the phosphate is at least one selected from the group consisting of NaH2PO4, Na2HPO4, Na3PO4, NH4H2PO4, (NH4)3PO4, KH2PO4, K2HPO4, K3PO4, Ca(H2PO4)2, Ca2HPO4 and Ca3PO4; and the anionic surfactant is ammonium fluoroalkyl sulfonimide or ammonium perfluorooctane-1-sulfonate. Preferably the TFT-LCD device is a gate film (Al-Nd/Mo dual layer or Mo-Al-Nd/Mo triple layer) of a TFT-LCD.
摘要翻译：提供了一种用于薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）器件的蚀刻组合物，其提供了没有底切的蚀刻均匀性和轮廓，以及通过使用该组合物制备TFT-LCD器件的方法。蚀刻组合物包含40-80重量％的磷酸; 2-15重量％的硝酸; 3-20重量％的乙酸; 0.01-5wt％的磷酸盐; 0.001-1重量％的阴离子表面活性剂; 和水的平衡。优选地，磷酸盐是选自NaH 2 PO 4，Na 2 HPO 4，Na 3 PO 4，NH 4 H 2 PO 4，（NH 4）3 PO 4，KH 2 PO 4，K 2 HPO 4，K 3 PO 4，Ca（H 2 PO 4）2，Ca 2 HPO 4和Ca 3 PO 4中的至少一种; 阴离子表面活性剂为氟烷基磺酰胺铵或全氟辛烷-1-磺酸铵。优选TFT-LCD器件是TFT-LCD的栅极膜（Al-Nd / Mo双层或Mo-Al-Nd / Mo三重层）。

62. 发明公开

KR1020060033335A 크롬 식각용 에천트 有权
标题翻译： ETCHANT FOR ETCHING CR
公开(公告)号：KR1020060033335A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：KR1020040082379
申请日：2004-10-14
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이기범 , 조삼영 , 윤재석 , 이민건 , 유지용
IPC分类号： C09K13/06
摘要： 본 발명은 크롬 식각용 에천트에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 a) Ceric Ammonium Nitrate(Ce(NH
4 )
2 (NO
3 )
6 ), b) 질산(HNO
3 ) 또는 과염소산(HClO
4 ), c) Fe
3+ 를 함유하는 염, NO
3
- 를 함유하는 염 또는 Cl
- 를 함유하는 염 및 d) 물을 포함하여 OLED, TFT-LCD, 컬러 필터(Color Filter) 등 평판디스플레이용 표시장치의 크롬(Cr)막 에칭공정에 사용되는 크롬 식각용 에천트 및 이를 이용한 금속박막의 패턴 형성방법에 관한 것이다.
본 발명의 크롬 식각용 에천트 및 이를 이용한 금속박막의 패턴 형성방법은 크롬 에칭시 잔사 발생현상을 줄일 수 있고, 경사각이 좋아지게 하며 우수한 프로파일(Profile)을 가질 수 있게 하는 효과가 있다.
크롬 식각용 에천트, 크롬막

63. 发明公开

KR1020050091306A 분광기를 이용한 오염물 제거용 클리너 조성물 관리 방법및 장치 有权
标题翻译：使用光谱仪控制清洁剂组合物的方法和装置
公开(公告)号：KR1020050091306A
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：KR1020040016657
申请日：2004-03-11
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이기범 , 박미선 , 김종민 , 이민건 , 강철우 , 박경호 , 이재구
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： G01J3/42 , H01L21/67242
摘要： 반도체소자, 액정표시장치소자 등의 제조 공정에서, 웨이퍼나 유리 기판의 오염물을 제거하기 위하여 사용되는 클리너 조성물 성분을 분광기를 이용하여 실시간으로 자동 분석하여, 오염물 클리닝 공정 및 클리너 조성물을 관리하는 방법 및 장치가 개시된다. 상기 관리 장치는 반도체 또는 액정표시장치 제조 공정의 클리너 조성물 저장 탱크에 연결되어 있으며, 상기 클리너 조성물 저장 탱크 내의 클리너 성분 농도를 분석하기 위한 분광기를 포함하는 분석시스템; 및 상기 분석시스템의 분석 결과에 따라 상기 클리너 조성물 저장 탱크 내의 클리너 성분을 보충하기 위한 클리너 성분 추가장치를 포함한다. 또한 상기 관리 방법은 반도체 또는 액정표시장치 제조 공정의 클리너 조성물 저장 탱크 내에 존재하는 클리너 성분의 각 농도를 분광기를 이용하여 분석하는 단계; 및 상기 분광기의 분석 결과에 따라 부족한 클리너 성분을 클리너 조성물 저장 탱크로 공급하여, 클리너 성분을 조절하는 단계를 포함한다.

64. 发明公开

KR1020050091288A 근적외선 분광기를 이용한 리쏘그래피 공정용 조성물의실시간 제어 시스템 및 제어 방법 有权
标题翻译：使用近红外光谱仪实时控制成像过程的系统和方法
公开(公告)号：KR1020050091288A
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：KR1020040016638
申请日：2004-03-11
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이기범 , 이재구 , 박미선 , 김종민 , 이민건
IPC分类号： G03F7/26
CPC分类号： G01N21/359 , G01N1/2035 , G01N21/05 , G03F7/00 , H01L21/67086 , Y10T436/12
摘要： 반도체 소자, 액정표시장치소자 등을 제조하기 위한 리쏘그래피 공정에 사용되는 감광액, 박리액, 현상액, 식각액, 희석액, 세정액, EBR 등의 다성분 조성물을 근적외선 분광기를 이용하여 실시간으로 자동 제어하는 시스템 및 방법이 개시된다. 상기 리쏘그래피 공정용 조성물의 실시간 제어 시스템은 리쏘그래피 공정에 사용되는 조성물을 수용하는 탱크 내의 조성물을 인출한 다음, 플로우셀을 통하여, 다시 상기 조성물을 수용하는 탱크로 이송하는 조성물 이송 장치; 상기 플로우셀을 통과하는 조성물의 흡광도를 측정하고, 측정된 흡광도를 이용하여 조성물의 각 성분 농도를 계산하는 조성물 분석 장치; 상기 측정된 한 성분의 농도가 소정치 이하일 경우, 부족한 첨가액을 상기 탱크에 첨가하기 위한 부족 성분 추가공급 장치; 및 상기 조성물 분석 장치에서 분석된 조성물의 성분에 따라, 상기 부족 성분 추가공급 장치를 제어하여 조성물의 각 성분 농도를 조절하는 제어부를 포함한다.

65. 发明授权

KR100390553B1 근적외선 분광기를 이용한 금속막 에칭 공정 제어방법 및에쳔트 조성물의 재생방법 有权
标题翻译： 근적외선분광기를이용한금속막에칭공정제어방법에쳔트조성물의재생방근적외
公开(公告)号：KR100390553B1
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020000087141
申请日：2000-12-30
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이기범 , 박미선 , 김종민 , 김병욱 , 오창일
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： G01N21/359 , C23F1/00 , C23F1/46 , G01N21/3577 , G11B23/505 , H01L21/32134
摘要： 본 발명은 반도체소자, 액정표시장치소자 등을 제조하기 위한 리쏘그래피 공정에 사용되는 에쳔트 조성물 성분을 근적외선 분광기를 이용하여 실시간으로 자동 분석하여, 정확한 공정관리를 수행할 뿐만 아니라, 공정시간 및 에쳔트 조성물의 재생 시간을 단축할 수 있는 근적외선 분광기를 이용한 금속막 에칭 공정 제어방법 및 이를 이용한 에쳔트 조성물 재생방법에 관한 것으로서, 반도체 또는 액정표시장치 제조 공정 중, 금속막을 박리한 에쳔트 조성물을 근적외선 분광기를 이용하여 성분분석하는 과정, 상기 성분 분석 결과를 기준값과 대비하여 에쳔트 조성물의 수명을 판별하는 과정, 및 상기 에쳔트 조성물의 수명 판별 결과, 에쳔트 조성물의 수명이 다한 경우에는 사용중인 에쳔트 조성물을 교체하고, 에쳔트 조성물의 수명이 다하지 않은 � �우에는 다음의 금속막 에칭 공정으로 에쳔트 조성물을 이송하는 과정을 포함하는 근적외 선분광기를 이용한 금속막 에칭 공정 제어방법을 제공한다.
摘要翻译：在控制用于制造半导体器件或液晶显示器件的金属层蚀刻工艺的方法中，首先用NIR光谱仪分析用于蚀刻金属层的蚀刻剂的组成。然后通过比较分析的组合物与参考组合物来确定蚀刻剂的状态。如果蚀刻剂的使用寿命结束，蚀刻剂将被替换为新的蚀刻剂。相反，如果留下蚀刻剂的寿命，则将蚀刻剂传送到下一个金属层蚀刻工艺。该分析技术可以以类似的方式应用于蚀刻剂再生过程。

66. 发明公开

KR1020020058996A 근적외선 분광기를 이용한 금속막 에칭 공정 제어방법 및에쳔트 조성물의 재생방법 有权
标题翻译：使用近红外光谱仪控制金属层蚀刻工艺的方法和用于再生ETCHANT组合物的方法
公开(公告)号：KR1020020058996A
公开(公告)日：2002-07-12
申请号：KR1020000087141
申请日：2000-12-30
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이기범 , 박미선 , 김종민 , 김병욱 , 오창일
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： G01N21/359 , C23F1/00 , C23F1/46 , G01N21/3577 , G11B23/505 , H01L21/32134
摘要： PURPOSE: A method for controlling a metal later etch process using a near infrared spectrometer and a method for regenerating compositions of an etchant are provided to manage lifetimes of compositions of an etchant by checking ingredient ratios of the compositions of the etchant and density of metal impurities during a semiconductor fabrication process or an LCD fabrication process. CONSTITUTION: A chemical analysis for compositions of an etchant for etching a metal layer is performed in a semiconductor fabrication process or an LCD fabrication process. The chemical analysis for the compositions of the etchant is performed by using a near infrared spectrometer. Each lifetime of the composition of the etchant is checked by comparing the analyzed valves with reference values. The compositions of the using etchant are exchanged if the lifetimes of the compositions of the etchant are numbered. The compositions of the using etchant is transferred to the next metal layer etch process if the lifetimes of the compositions of the etchant are not numbered.
摘要翻译：目的：提供使用近红外光谱仪控制金属后蚀刻工艺的方法和用于再生蚀刻剂组合物的方法，以通过检查蚀刻剂组成和金属杂质密度的成分比例来控制蚀刻剂组合物的寿命在半导体制造工艺或LCD制造工艺期间。构成：用于蚀刻金属层的蚀刻剂的组成的化学分析在半导体制造工艺或LCD制造工艺中进行。通过使用近红外光谱仪进行蚀刻剂组成的化学分析。通过将分析的阀与参考值进行比较来检查蚀刻剂组成的每一个寿命。如果蚀刻剂的组成的寿命被编号，则交换使用蚀刻剂的组成。如果蚀刻剂的组成的寿命没有编号，则使用蚀刻剂的组成被转移到下一个金属层蚀刻工艺。

67. 发明授权

KR101953215B1 식각 조성물, 금속 배선 및 표시 기판의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101953215B1
公开(公告)日：2019-03-04
申请号：KR1020120110660
申请日：2012-10-05
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 박홍식 , 이왕우 , 김봉균 , 정종현 , 박영우 , 김규포 , 서원국 , 신현철 , 한승연 , 이기범 , 조삼영
IPC分类号： C23F1/16 , H05K3/06

68. 发明授权

KR101776923B1 식각액 조성물, 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 및 표시 기판의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101776923B1
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：KR1020110078297
申请日：2011-08-05
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김인배 , 정종현 , 박지영 , 김선일 , 정재우 , 김상갑 , 김상우 , 이기범 , 이대우 , 조삼영
IPC分类号： C23F1/14 , C23F1/02 , H05K1/09 , H05K3/06
CPC分类号： C23F1/18 , C09K13/08 , C23F1/26 , H01L21/32134 , H01L27/124
摘要： 구리막을식각하는식각액조성물, 이를이용한금속패턴의제조방법및 표시기판의제조방법에서, 식각액조성물은 0.1 중량% 내지 25 중량%의과산화이황산암모늄(ammonium persulfate), 0.1 중량% 내지 25 중량%의유기산, 0.01 중량% 내지 5 중량%의킬레이트제, 0.01 중량% 내지 5 중량%의불화물계화합물, 0.01 중량% 내지 5 중량%의염화물계화합물, 0.01 중량% 내지 2 중량%의아졸계화합물및 여분의물을포함한다. 이에따라, 구리막을안정적으로식각하여금속패턴및 표시기판의제조신뢰성을향상시킬수 있다.

69. 发明授权

KR101619380B1 식각액 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조방법 有权
标题翻译：使用其的阵列基板的蚀刻和方法
公开(公告)号：KR101619380B1
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020090042173
申请日：2009-05-14
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김봉균 , 정종현 , 이병진 , 홍선영 , 박홍식 , 김시열 , 이기범 , 조삼영 , 김상우 , 신현철 , 서원국
IPC分类号： C09K13/08
CPC分类号： C23F1/26 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/458
摘要： 식각액조성물은과산화이황산암모늄((NH)SO, ammonium persulfate) 0.1 내지 30 중량%, 무기산 0.1 내지 10 중량%, 아세테이트염0.1 내지 10 중량%, 불소함유화합물 0.01 내지 5 중량%, 술폰산화합물 0.01 내지 5 중량%, 아졸계화합물 0.01 내지 2 중량% 및여분의물을포함한다. 이에따라, 식각액의안정성을확보하고식각공정상마진을보장하여비용을절감할수 있다.

70. 发明公开

KR1020150045331A 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴 제조방법 审中-实审
标题翻译：蚀刻液组成及其制作方法
公开(公告)号：KR1020150045331A
公开(公告)日：2015-04-28
申请号：KR1020130124924
申请日：2013-10-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 정재우 , 김인배 , 상현정 , 정종현 , 문영민 , 박홍식 , 김규포 , 서원국 , 신현철 , 이기범 , 조삼영 , 한승연
IPC分类号： C23F1/16 , C23F1/18
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/30 , H01L21/32134
摘要： 본발명의일 실시예에따르면, 과산화이황산암모늄 10 중량% 내지 20 중량%; 인산또는아인산화합물 0.1 중량% 내지 10 중량%; 염소산염계화합물 0.1 중량% 내지 5 중량%; 질산또는술폰산화합물 0.1 중량% 내지 5 중량%; 아졸계화합물 0.1 중량% 내지 3 중량%; 불소화합물 0.1 중량% 내지 2 중량%; 및물 55 중량% 내지 89.5 중량%를포함하는식각액조성물을제공한다.
摘要翻译：根据本发明的应用，含有10〜20重量％的过氧化二硫酸铵的蚀刻液; 0.1重量％的磷酸或亚磷酸化合物; 0.1〜5％重量的氯酸型化合物; 0.1〜5重量％的硝酸或磺酸化合物; 0.1〜3重量％的唑类化合物; 0.1〜2重量％的氟化合物; 和55-89.5重量％的水。

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