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61. 发明公开

KR1020150125333A 반도체 장치 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150125333A
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：KR1020140052532
申请日：2014-04-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정영종 , 이정윤 , 신거명 , 신동석 , 이시형 , 정서진
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7848 , B82Y10/00 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/06 , H01L29/0653 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/413 , H01L29/42392 , H01L29/775 , H01L29/78 , H01L29/7851 , H01L29/7853 , H01L29/78696 , H01L29/785 , H01L29/7809 , H01L29/7812
摘要： 소오스/드레인이형성되는다채널액티브패턴의부분을필드절연막및/또는핀 스페이서위로돌출시킴으로써, 돌출된다채널액티브패턴에형성되는소오스/드레인의부피를증가시켜소자특성을향상시킬수 있는반도체장치를제공하는것이다. 상기반도체장치는필드절연막에의해정의되고, 제1 방향으로연장되고, 제1 부분및 제2 부분을포함하는제1 다채널액티브패턴으로, 상기제2 부분은상기제1 부분을중심으로상기제1 방향으로양측에배치되고, 상기제2 부분은상기제1 부분보다리세스되고, 상기제1 부분의상면과상기제2 부분의상면은상기필드절연막의상면보다위로돌출되고, 상기제2 부분의측벽의프로파일은연속되는제1 다채널액티브패턴, 상기제1 방향과다른제2 방향으로연장되고, 상기제1 부분상에형성되는게이트전극, 및상기필드절연막의상면보다위로돌출된상기제2 부분의둘레를따라형성되고, 상기필드절연막과접하는제1 소오스/드레인을포함한다.
摘要翻译：提供了一种半导体器件，其能够通过将多通道有源图案的一部分通过在源极/漏极上的场绝缘膜和/或引脚间隔物投影而增加形成在多通道有源图案中的源极/漏极的体积来改善元件特性，排水。半导体器件包括：由场绝缘膜限定的第一多通道有源图案，沿第一方向延伸，并且包括第一和第二部分; 栅极电极，沿与第一方向不同的第二方向延伸并形成在第一部分上; 以及沿着第二部分的边缘形成并接触该场绝缘膜的第一源极/漏极。第二部分位于第一部分的两侧的第一方向。第二部分比第一部分更凹陷。第一部分的上表面和第二部分的上表面比场绝缘膜的上表面高。第二部分的侧壁的轮廓是连续的。

62. 发明公开

KR1020140090779A 플라즈마 처리 방법과 상기 방법을 이용할 수 있는 장치들 审中-实审
标题翻译：等离子体处理方法和使用该方法的装置
公开(公告)号：KR1020140090779A
公开(公告)日：2014-07-18
申请号：KR1020130002807
申请日：2013-01-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조정현 , 김형준 , 전상진 , 이상헌 , 이정윤 , 전경엽 , 바실리파쉬코프스키
IPC分类号： H05H1/36 , H05H1/46 , H03H7/40
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/321 , H01J37/32165 , H01L21/3065 , H01L21/67017 , H01L21/67069 , H05H1/24
摘要： A method to operate a plasma processing apparatus includes the steps of: outputting a first RF power with a first duty ratio and a first frequency; and outputting a second RF power with a second duty ratio and a second frequency. The second frequency is higher than the first frequency. The second duty ratio is smaller than the first duty ratio. The output point of the first RF power is synchronized with the output point of the second RF power.
摘要翻译：一种操作等离子体处理装置的方法包括以下步骤：输出具有第一占空比和第一频率的第一RF功率; 以及输出具有第二占空比和第二频率的第二RF功率。第二频率高于第一频率。第二占空比小于第一占空比。第一RF功率的输出点与第二RF功率的输出点同步。

63. 发明公开

KR1020130086663A 반도체 소자 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020130086663A
公开(公告)日：2013-08-05
申请号：KR1020120007471
申请日：2012-01-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정윤 , 김무진
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/40 , H01L27/0688 , H01L27/0794
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to improve yield without increase of production costs by forming a protection pattern and a resistance element at the same time. CONSTITUTION: A semiconductor substrate has a capacitor region and a resistance region. A capacitor dielectric and a capacitor electrode are successively laminated on the active area of the capacitor region. A resistance element (70b) is formed on the resistance region. A protection pattern (70a) is formed on the upper surface of the capacitor electrode. The protection pattern is separated from the capacitor electrode.
摘要翻译：目的：提供半导体器件以通过同时形成保护图案和电阻元件来提高产量而不增加生产成本。构成：半导体衬底具有电容器区域和电阻区域。电容器电介质和电容器电极依次层叠在电容器区域的有源区上。电阻元件（70b）形成在电阻区域上。在电容器电极的上表面上形成保护图案（70a）。保护图案与电容器电极分离。

64. 发明授权

KR101080357B1 유기 전계발광 표시장치 제조용 유기물 증발장치 有权
标题翻译：用于蒸发有机电致发光显示装置制造有机物的装置
公开(公告)号：KR101080357B1
公开(公告)日：2011-11-04
申请号：KR1020040100880
申请日：2004-12-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 권오준 , 이정윤 , 황조일
IPC分类号： H05B33/10
摘要： 본발명은유기전계발광표시장치의유기발광층을형성하는유기물을담아증발시키는유기물증발장치에관한것이다. 본발명에따라, 유기전계발광표시장치제조용유기물증발장치가제공되며: 이증발장치는, 주입구를통해유기물을담는용기; 일단부가상기용기내부에삽입되고, 다른단부가상기용기의외부로돌출되어상기유기물을배출하는배출수단; 상기용기와상기배출수단의삽입부에결합되어상기용기를진공상태로유지시키는진공마개; 및상기용기의내부표면에배치되며상기유기물에열 에너지를제공하는가열수단;을구비하며, 상기진공마개는외부에서인가되는회전동력에의해회전한다.

65. 发明公开

KR1020110067567A 반도체 소자 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR1020110067567A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：KR1020090124210
申请日：2009-12-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정윤 , 토카시키켄 , 신경섭 , 윤준호 , 조홍
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32165 , H01J37/32082 , H01J37/32155
摘要： PURPOSE: A semiconductor device fabricating method is provided to reduce the number of an ionized particle having high energy level by synchronizing RF powers which is processed by pulse modulation with each other. CONSTITUTION: In a semiconductor device fabricating method, a source electrode(10) receives an RF source power outputted from an RF source power output unit(30). A bias electrode(20) receives an RF bias power outputted from an RF bias power output unit. The RF source power output unit outputs a pulse modulated RF source power to a source electrode. The RF source power output unit outputs a control signal(CON) including information of the phase of the RF source power to the RF bias power output unit. A source RF generator(38) outputs a source RF signal having a second frequency.
摘要翻译：目的：提供半导体器件制造方法，通过将通过脉冲调制处理的RF功率彼此同步来减少具有高能级的电离粒子的数量。构成：在半导体器件制造方法中，源电极（10）接收从RF源功率输出单元（30）输出的RF源功率。偏置电极（20）接收从RF偏置功率输出单元输出的RF偏置功率。 RF源功率输出单元向源电极输出脉冲调制RF源功率。 RF源功率输出单元将包括RF源功率的相位信息的控制信号（CON）输出到RF偏置功率输出单元。源RF发生器（38）输出具有第二频率的源RF信号。

66. 发明授权

KR101032950B1 유기 전계 발광 소자의 제조방법 有权
标题翻译：制造有机电致发光元件的方法
公开(公告)号：KR101032950B1
公开(公告)日：2011-05-09
申请号：KR1020040097410
申请日：2004-11-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정윤 , 김형식 , 황조일
IPC分类号： H05B33/10
摘要： 본 발명은 생산 단가를 감소시키고, 수명을 연장할 수 있는 유기 전계 발광 소자의 제조방법에 관한 것이다. 이 방법은, 발광 영역이 정의된 투명 기판을 제공하는 단계; 상기 기판의 발광 영역을 제외한 나머지 부위에 열과 행 방향으로 다수개의 지그재그 형태의 보조 전극을 형성하는 단계; 상기 투명 기판의 발광 영역 상에 각각의 보조 전극과 전기적으로 연결되는 투명 전극, 상기 투명 전극의 상하 부위에 라인 형태의 제 1 보조 투명 전극, 및 상기 보조 전극과 상기 투명 전극 사이의 공간에 제 2 보조 투명 전극을 동시에 형성하는 단계; 결과물 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층을 선택적으로 패터닝하여 상기 보조 전극의 중앙 부위를 덮도록 행 방향으로 음극 분리 격벽을 형성하는 동시에, 상기 음극 분리 격벽으로부터 열 방향으로 연장되어 보조 전극과 투명 전극의 일부를 덮는 보조 음극 분리 격벽을 형성하는 단계; 상기 보조 음극 분리 격벽을 선택적으로 패터닝하여 상기 투명 전극을 노출시키고, 상기 보조 전극과 대응되는 부분을 덮는 절연 패턴을 형성하는 단계; 상기 절연 패턴이 구비된 기판 상에 상기 노출된 투명 전극을 덮고, 상기 제 1, 제 2 보조 투명 전극 및 절연 패턴의 일부를 덮는 유기 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 유기 발광층이 구비된 기판 상에 음극 분리 격벽 사이에 배치되는 금속 전극을 형성하는 단계;를 포함한다.

67. 发明授权

KR100961953B1 유기 발광 표시장치 제조방법 有权
标题翻译：制造有机发光显示器的方法
公开(公告)号：KR100961953B1
公开(公告)日：2010-06-08
申请号：KR1020030081981
申请日：2003-11-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정윤 , 강재익 , 황조일
IPC分类号： H05B33/10
摘要： 본 발명은 유기 발광 표시장치(Organic Light Emitting Display) 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 유기 발광 표시장치 제조방법은, ITO 재질의 양극용 투명전극이 형성된 유리기판 전면 상에 포지티브 타입 감광막을 도포하는 단계와, 상기 포지티브 타입 감광막을 소정 형상의 포토마스크를 이용해서 유리기판의 후면으로부터 후면 노광하는 단계와, 상기 후면 노광된 포지티브 타입 감광막을 현상하여 1차로 역사다리꼴 모양의 음극 분리용 격벽을 형성하는 단계와, 상기 기판 결과물을 포스트 베이킹하여 최종적으로 역사다리꼴 모양이면서 측면이 라운드진 음극 분리용 격벽을 형성하는 단계와, 상기 음극 분리용 격벽 및 투명전극 상에 유기발광층과 음극용 금속전극을 차례로 형성하는 단계와, 상기 기판 결과물의 소정 영역을 보호커버로 밀폐시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 음극 분리용 격벽 형성시 그 재료로 포지티브 타입 감광성 수지 또는 폴리이미드를 적용하면서 후면 노광 공정을 적용함으로써, 역사다리꼴 모양이면서 용제와 반응하지 않는 음극 분리용 격벽을 용이하게 형성할 수 있으며, 따라서, 원하는 형태의 음극 분리용 격벽을 형성하면서도 그 신뢰성을 확보할 수 있으므로 유기 발광 표시장치의 신뢰성 및 제조수율을 향상시킬 수 있다.

68. 发明授权

KR100688490B1 설정 조건을 정량화할 수 있는 반도체 제조 장비 失效
标题翻译：半导体制造设备可测量设定条件
公开(公告)号：KR100688490B1
公开(公告)日：2007-03-09
申请号：KR1020010019945
申请日：2001-04-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조성용 , 이정윤
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 설정 조건을 수치로 정량화할 수 있는 반도체 제조 장비에 관해 개시한다. 각 구성 부분에 측정 눈금 및 수평계를 장착함으로써, 공정에 적합한 조건으로 정확하게 장비를 설정할 수 있다. 또한, 설정 조건을 수치로 표시함으로써, 설정 조건에 변동이 발생하는 경우에도 정확하게 확인, 관리할 수 있다.

수평계, 마스크

69. 发明授权

KR100634387B1 위상 쉬프트 마스크의 수리 방법 有权
标题翻译：修复相移掩模的方法
公开(公告)号：KR100634387B1
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：KR1020040057331
申请日：2004-07-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정윤 , 최성운 , 장일용 , 안원석 , 한성재
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/68
CPC分类号： G03F1/82 , G03F1/26 , G03F1/32
摘要： 위상 쉬프트 마스크의 수리 방법을 제공한다. 이 방법은 위상 쉬프트 패턴들이 형성된 위상 쉬프트 마스크에서, 상기 위상 쉬프트 패턴들의 상부면 및 측면을 노출시키고, 상기 노출된 위상 쉬프트 패턴들의 표면에만 선택적으로 보호막을 형성한 후, 상기 보호막이 형성된 위상 쉬프트 마스크를 세정하는 단계를 포함한다.

70. 发明授权

KR100546393B1 자기정렬 콘택 패드 형성 공정을 포함하는 반도체 소자의제조방법 失效
标题翻译：一种制造半导体器件的方法，包括形成自对准接触焊盘的工艺
公开(公告)号：KR100546393B1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：KR1020030078897
申请日：2003-11-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황재희 , 이정윤 , 김태룡 , 박용현
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L27/10888 , H01L21/31144 , H01L21/76897 , H01L27/10855
摘要： 게이트 전극 스택의 식각 마스크 역할을 하는 하드 마스크의 높이를 낮출 수 있는 SAC 패드 형성공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 반도체 기판 상에 게이트 전극 스택 및 스페이서를 포함하는 게이트 전극 구조물과 소스/드레인 영역을 형성한 다음, 반도체 기판 상에 게이트 전극 구조물의 상면 보다 높은 높이를 가지는 제1 층간절연막을 형성하고, 그 위에 게이트 전극 구조물이 연장된 방향으로 신장되어 있고 게이트 전극 구조물과 오버레이되어 있는 식각 유도 및 포커싱 마스크를 형성한다. 그리고, 제1 층간절연막 상에 제2 층간절연막을 형성하고, 그 위에 SAC홀 식각을 위한 포토레지스트 패턴을 형성한다. 그리고, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 식각 공정을 실시하여 SAC홀을 형성하고, 여기에 도전 물질을 매립하여 SAC 패드를 형성한다.
반도체, 메모리, 자기정렬 콘택, 하드 마스크, 콘택 패드

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