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61. 发明授权

KR101910975B1 트렌치 게이트를 포함한 파워 모스 트랜지스터 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101910975B1
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：KR1020120111385
申请日：2012-10-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 성웅제 , 엄창용 , 신재광
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/088 , H01L21/0455 , H01L21/0475 , H01L21/049 , H01L21/8213 , H01L21/8232 , H01L29/7827
摘要： 트렌치게이트를포함한파워모스트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된파워모스트랜지스터는제1형불순물로도핑된반도체기판상에서상기제1형불순물로도핑되며그 상면에트렌치가형성된드리프트층과, 상기드리프트층에서상기트렌치의바닥에제2형불순물로도핑된우물과, 상기우물의표면에서상기제1형불순물로도핑된소스영역과, 상기트렌치상에형성된게이트절연층과, 상기트렌치의측벽에서상기게이트절연층상으로상기소스영역의일부영역위로연장된게이트전극과, 상기게이트전극과이격되며상기소스영역상의소스전극과, 상기기판하부상의드레인전극을포함한다.

62. 发明授权

KR101854185B1 수직 자기 이방성 물질의 자유 자성층을 포함하는 스토리지 노드, 이를 포함하는 자기 메모리 소자 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101854185B1
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：KR1020110107058
申请日：2011-10-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김기원 , 김광석 , 정우인 , 신재광 , 피웅환 , 이성철
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L27/115
摘要： 수직자기이방성물질을포함하는자기메모리소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 본발명의일 실시예에의한자기메모리소자의스토리지노드는하부자성층, 상기하부자성층상에형성된터널배리어및 상기터널배리어상에형성되고, 스핀전류에의해자화방향이스위칭되는자유층을포함한다. 상기자유층은수직자기이방성물질층을포함하고, 그아래에형성된물질층을감싸는캡(cap) 구조를갖는다.

63. 发明公开

KR1020170034850A 채널길이를 줄인 고 전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법 无效
标题翻译：具有减小的沟道长度的电子迁移率晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170034850A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：KR1020170034888
申请日：2017-03-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황인준 , 김종섭 , 신재광 , 오재준 , 최혁순 , 홍기하
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/772
摘要： 채널길이를줄인고 전자이동도트랜지스터및 그제조방법에관해개시되어있다. 일실시예에의한 HEMT에서상기게이트전극의일부는상기소스전극과겹치고, 상기소스전극과상기게이트전극사이에절연층이존재하고, 상기게이트전극은상기절연층상에형성되어있다. 상기게이트전극의유효게이트길이는상기게이트전극의형성에적용될수 있는최소선폭보다작다.
摘要翻译：公开了具有减小的通道长度的电子迁移率晶体管及其制造方法。在一个实施例中，栅电极的一部分与源电极重叠，绝缘层存在于源电极和栅电极之间，并且栅电极形成在绝缘层上。栅电极的有效栅极长度小于可用于形成栅电极的最小线宽。

64. 发明授权

KR101718077B1 멀티 채널을 갖는 고 전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有多通道的高电子迁移率晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR101718077B1
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：KR1020100072098
申请日：2010-07-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황인준 , 신재광 , 오재준 , 김종섭 , 최혁순 , 홍기하
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 고전자이동도트랜지스터및 그제조방법에관해개시되어있다. 일실시예에의한개시된 HEMT는소스전극, 게이트전극및 드레인전극을포함하고, 상기소스전극과상기드레인전극사이에수직으로적층된복수의채널을포함하는적층물이존재하고, 상기복수의채널은이격되어있고, 상기복수의채널각각은 2DEG 채널을포함할수 있다. 소스전극은오믹접촉되고, 드레인전극은쇼트키접촉된다.
摘要翻译：公开了高电子迁移率晶体管及其制造方法。 HEMT公开根据一个实施例包括源电极，栅电极和漏电极，包括多个信道的竖直堆叠的源极电极和漏极电极之间的层叠体是存在的，并且所述多个信道的并且多个频道中的每一个可以包括2DEG频道。源电极被欧姆接触，并且漏电极被做成肖特基接触。

65. 发明公开

KR1020170025417A CS-ALD 장치의 샤워헤드 审中-实审
标题翻译： CS-ALD组合空间原子层沉积装置的喷头
公开(公告)号：KR1020170025417A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150121830
申请日：2015-08-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 선우문욱 , 김용성 , 신재광 , 양우영
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4412 , C23C16/45544
摘要： CS-ALD(Combinatorial Spatial Atomic Layer Deposition) 장치의샤워헤드에관해개시되어있다. 개시된 CS-ALD 장치의샤워헤드는복수의샤워블록을포함하고, 상기복수의샤워블록은각각복수의단위모듈을포함한다. 상기샤워블록과상기단위모듈은독립적으로제어되는개체이고, 상기복수의단위모듈은각각소스가스분사노즐, 퍼지가스분사노즐, 반응가스분사노즐및 상기분사노즐들사이에배출영역을포함한다. 상기복수의샤워블록은서로이격될수 있다. 상기분사노즐들의가스분사영역은상기배출영역과이격될수 있다.
摘要翻译：可以提供组合空间原子层沉积（CS-ALD）装置的喷头。 CS-ALD装置的喷头可以包括多个淋浴块。每个淋浴块可以包括多个单元模块。每个淋浴块和每个单元模块可以彼此独立地控制。多个单元模块中的每一个可以包括源气体喷射喷嘴，吹扫气体喷射喷嘴，反应气体喷射喷嘴和喷射喷嘴之间的排气区域。多个淋浴块可以彼此分离。注射喷嘴的气体注入区域可以与排气区域分离。

66. 发明授权

KR101696410B1 이미지 센서 및 그 동작 방법 有权
标题翻译：图像传感器及其操作方法
公开(公告)号：KR101696410B1
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：KR1020090108660
申请日：2009-11-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김호정 , 정우인 , 신재광 , 김선일 , 송이헌 , 김창정 , 전상훈
IPC分类号： H04N5/335
CPC分类号： H04N9/045 , H01L27/14643 , H04N5/3745
摘要： 본발명은이미지센서및 그동작방법에관한것으로, 복수의픽셀(pixel)들을포함하는픽셀어레이(array)를포함하고, 복수의픽셀들의각각은입사광의에너지에따라전압-전류특성이변화하고, 입사광의에너지에의해결정되는감지전류를생성하는광 감지부, 복수의픽셀들중 적어도하나의픽셀을리셋(reset)하는리셋신호에따라활성화되어기준전류를생성하는리셋부, 및감지전류및 기준전류를전압으로변환하여감지전압및 기준전압을생성하는변환부를포함한다.
摘要翻译：图像传感器及其操作方法。图像传感器包括包括多个像素的像素阵列。多个像素中的每一个包括光电传感器，其电压 - 电流特性根据入射光的能量而变化，并且产生由入射光的能量确定的感测电流; 根据用于复位所述多个像素中的至少一个的复位信号，被激活以产生参考电流的复位单元; 以及转换单元，其将感测电流和参考电流分别转换为感测电压和参考电压。

67. 发明公开

KR1020160150085A ＬＤＤ 영역을 갖는 고 전자 이동도 트랜지스터(ＨＥＭＴ) 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：具有轻掺杂漏区的高电子迁移率晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160150085A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：KR1020160173794
申请日：2016-12-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황인준 , 김종섭 , 신재광 , 오재준 , 최혁순 , 홍기하
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/786 , H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/20
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H01L29/78621
摘要： LDD를갖는고 전자이동도트랜지스터(HEMT) 및그 제조방법에관해개시되어있다. 개시된 HEMT는소스전극, 게이트전극및 드레인전극을포함하고, 적어도 2DEG 채널을형성시키는채널공급층, 상기채널공급층에의해적어도 2DEG 채널이형성되는채널형성층을포함하며, 상기채널공급층은분극률이서로다른복수의반도체층을포함하고, 상기채널공급층의일부영역은리세스(recess)되어있고, 상기복수의반도체층에서최상층아래의반도체중 하나는채널공급층이면서식각버퍼층이다.

68. 发明授权

KR101547328B1 강유전체 메모리 소자 및 그 동작 방법 有权
标题翻译：铁电存储器件和操作方法相同
公开(公告)号：KR101547328B1
公开(公告)日：2015-08-25
申请号：KR1020090091360
申请日：2009-09-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍기하 , 김종섭 , 신재광
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： G11C11/22 , G11C11/223 , H01L21/28291 , H01L27/11597 , H01L27/1203 , H01L29/1606 , H01L29/78391
摘要： 강유전체메모리소자및 그동작방법이개시된다. 강유전체메모리소자는, 완전히공핍된채널과, 게이트전극층과, 채널과게이트전극층사이에위치하는강유전체층을포함하는강유전체메모리셀들의낸드배열을가진다. 낸드배열을가지는강유전체메모리소자의복수의강유전체메모리셀들의데이터는비트라인및 공통소오스라인에제1소거전압을인가하고, 스트링선택라인과접지선택라인에제2소거전압을인가하여지워진다.

69. 发明公开

KR1020140042472A 질화물 반도체 기반의 파워 변환 장치 审中-实审
标题翻译：基于氮化物半导体的功率转换器件
公开(公告)号：KR1020140042472A
公开(公告)日：2014-04-07
申请号：KR1020120109274
申请日：2012-09-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전우철 , 이백우 , 신재광 , 오재준
IPC分类号： H01L27/00 , H01L21/768
CPC分类号： H01L29/205 , H01L21/2654 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L29/0642 , H01L29/2003 , H01L29/7786 , H01L29/86 , H01L29/94
摘要： A nitride semiconductor based power converting device is disclosed. The disclosed nitride semiconductor based power converting device includes a nitride semiconductor based power transistor and at least one passive element of a nitride semiconductor. The passive element and the power transistor include each channel layer which includes a first nitride semiconductor formed in the same vertical position, and a channel supply layer which includes a second nitride semiconductor on the channel layer and induces a two-dimensional electron gas in the channel layer. The passive element may be a resistor, an inductor, or a capacitor.
摘要翻译：公开了一种基于氮化物半导体的电力转换装置。所公开的基于氮化物半导体的功率转换器件包括氮化物半导体功率晶体管和氮化物半导体的至少一个无源元件。无源元件和功率晶体管包括每个沟道层，其包括形成在相同垂直位置的第一氮化物半导体，以及沟道供应层，其在沟道层上包括第二氮化物半导体，并在沟道中诱导二维电子气层。无源元件可以是电阻器，电感器或电容器。

70. 发明公开

KR1020140042470A 노멀리 오프 고전자이동도 트랜지스터 审中-实审
标题翻译：正常关闭高电子移动晶体管
公开(公告)号：KR1020140042470A
公开(公告)日：2014-04-07
申请号：KR1020120109267
申请日：2012-09-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전우철 , 박영환 , 오재준 , 김경연 , 김준용 , 박기열 , 신재광 , 황선규
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/778 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/42316 , H01L29/7786
摘要： A normally off high electron mobility transistor is disclosed. The disclosed normally off high electron mobility transistor includes a channel layer which includes a first nitride semiconductor, a channel supply layer which includes a second nitride semiconductor and induces a 2D electron gas on the channel layer, a source electrode and a drain electrode in both sides of the channel supply layer, a depletion formation layer which forms a depletion region in the 2D electron gas on the channel supply layer and has at least two thicknesses, a gate insulating layer on the depletion formation layer, and a gate electrode which touches the depletion formation layer on the gate insulating layer.
摘要翻译：公开了常闭高电子迁移率晶体管。所公开的常关高电子迁移率晶体管包括沟道层，其包括第一氮化物半导体，包括第二氮化物半导体的沟道供应层，并且在沟道层上引入2D电子气体，在两侧引入源电极和漏电极的沟道供应层，耗尽层形成层，其在沟道供应层上的2D电子气中形成耗尽区，并且具有至少两个厚度，在耗尽层上的栅极绝缘层，以及接触耗尽层的耗尽层栅极绝缘层上的形成层。

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