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61. 发明公开

KR1020140063185A 전력 모듈용 기판 및 그 제조방법과 이를 이용한 전력 모듈 패키지 审中-实审
标题翻译：用于功率模块的基板及其制造方法以及使用该模块的功率模块封装
公开(公告)号：KR1020140063185A
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020120130244
申请日：2012-11-16
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 윤선우 , 이영기 , 김광수 , 손진숙
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/12
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： The present invention relates to a substrate for a power module, a method for manufacturing the same, and a power module package using the same, wherein the substrate for a power module comprises a base substrate which has one surface and the other surface, and includes a V-groove formed with an arbitrary depth from the other surface on an edge region of the other surface; an insulating layer formed on one surface of the base substrate; and a metal layer for a circuit formed on the insulating layer.
摘要翻译：电源模块用基板及其制造方法技术领域本发明涉及功率模块用基板及其制造方法以及使用其的功率模块封装，其特征在于，所述功率模块用基板包括基板，所述基板具有一个表面和另一个表面，并且包括 V形槽，在另一个表面的边缘区域上从另一个表面形成任意深度; 绝缘层，形成在所述基底基板的一个表面上; 以及形成在绝缘层上的用于电路的金属层。

62. 发明公开

KR1020140055017A 전력 반도체 모듈 및 전력 반도체 제조 방법 有权
标题翻译：功率半导体模块及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140055017A
公开(公告)日：2014-05-09
申请号：KR1020120121229
申请日：2012-10-30
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김광수 , 손영호 , 서범석 , 박민규 , 이영기
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L24/25 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49531 , H01L23/49575 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L25/162 , H01L25/165 , H01L25/18 , H01L2224/2101 , H01L2224/2105 , H01L2224/211 , H01L2224/2201 , H01L2224/221 , H01L2224/2402 , H01L2224/24137 , H01L2224/24226 , H01L2224/2501 , H01L2224/25105 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/82105 , H01L2924/00014 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： The present invention relates to a power semiconductor module and a manufacturing method thereof. A power semiconductor module according to an embodiment of the present invention includes a lead frame, a base substrate which comprises a circuit line formed on an insulating layer, a plurality of power semiconductor devices which touch the circuit line, and a multilayer substrate which is formed by stacking a plurality of substrates and electrically connects the lead frame and the power semiconductor devices by using a conductive connect line formed in an inner part.
摘要翻译：功率半导体模块及其制造方法技术领域本发明涉及功率半导体模块及其制造方法。根据本发明的实施例的功率半导体模块包括引线框架，基底基板，其包括形成在绝缘层上的电路线，接触电路线的多个功率半导体器件和形成的多层基板通过堆叠多个基板并且通过使用形成在内部中的导电连接线来将引线框架和功率半导体器件电连接。

63. 发明授权

KR101388737B1 반도체 패키지, 반도체 모듈, 및 그 실장 구조 有权
标题翻译：半导体封装，半导体模块及其安装结构
公开(公告)号：KR101388737B1
公开(公告)日：2014-04-25
申请号：KR1020120037745
申请日：2012-04-12
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김광수 , 이영기 , 서범석 , 엄기주 , 이석호 , 곽영훈
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/36 , H01L23/4334 , H01L23/473 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L25/043 , H01L2224/32221 , H01L2224/32245 , H01L2224/4141 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00 , H01L2224/37099
摘要： 본 발명은 발열로 인해 집적화가 어려운 전력 반도체 소자들의 패키지화 및 모듈화할 수 있는 반도체 패키지와 이를 이용한 반도체 패키지 모듈, 및 그 기판에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지는, 편평한 판 형태로 형성되는 공통 접속 단자; 상기 공통 단자의 양면에 각각 접합되는 제1, 제2 전자 소자; 편평한 판 형태로 형성되어 상기 제1 전자 소자에 접합되는 제1, 제2 접속 단자; 및 편평한 판 형태로 형성되고 상기 제2 전자 소자에 접합되는 제3 접속 단자;를 포함할 수 있다.

64. 发明授权

KR101331724B1 양면 냉각 전력 반도체 모듈 및 이를 이용한 멀티-스택 전력 반도체 모듈 패키지 有权
标题翻译：双面冷却功率半导体模块和多层功率半导体模块封装使用相同
公开(公告)号：KR101331724B1
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：KR1020120038479
申请日：2012-04-13
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김광수 , 이영기 , 박지현 , 서범석
IPC分类号： H01L23/34 , H01L23/535
CPC分类号： H01L23/3735 , H01L23/467 , H01L23/473 , H01L23/4985 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/19105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본 발명의 일 실시 예에 따른 양면 냉각 전력 반도체 모듈은 일면에 두께 방향으로 오목부가 형성된 제1냉각기와, 상기 제1냉각기의 오목부에 실장된 제1반도체칩과, 일면 및 타면을 갖되, 상기 일면이 상기 제1반도체칩과 접하도록 상기 제1냉각기 일면에 형성된 제2냉각기와, 상기 제2냉각기 타면에 형성된 회로기판과, 상기 회로기판상에 실장된 제2반도체칩 및 상기 제1반도체칩과 제2반도체칩을 전기적으로 연결하는 회로층을 갖는 플렉서블 기판을 포함한다.
摘要翻译：本发明公开了一种双面冷却功率半导体模块，包括：第一冷却器，其厚度方向在其一个表面上形成有凹部; 安装在第一冷却器的凹部上的第一半导体芯片; 第二冷却器，其具有一个表面和另一个表面，并形成在第一冷却器的一个表面上，使得其一个表面接触第一半导体芯片; 形成在所述第二冷却器的另一个表面上的电路板; 安装在所述电路板上的第二半导体芯片; 以及具有将第一和第二半导体芯片彼此电连接的电路层的柔性基板。

65. 发明公开

KR1020130101843A 전력 모듈용 기판 无效
标题翻译：电源模块基板
公开(公告)号：KR1020130101843A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：KR1020120022894
申请日：2012-03-06
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김광수 , 이영기 , 서범석 , 윤선우
IPC分类号： H01L23/12 , H01L25/16
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A substrate for a power module is provided to improve adhesion by extending the bonding area between the molding compounds. CONSTITUTION: An insulating layer (120) is formed on a metal base substrate. A circuit layer (130) is formed on the insulating layer. The metal base substrate has at least one inclined surface (111). The inclined surface is formed on a lateral surface combined with the metal base substrate and the insulating layer. The inclined surface consists of a first inclined surface and a second inclined surface.
摘要翻译：目的：提供用于功率模块的基板，以通过延长模塑料之间的粘合面积来提高粘合性。构成：在金属基底基板上形成绝缘层（120）。在绝缘层上形成电路层（130）。金属基底具有至少一个倾斜表面（111）。倾斜表面形成在与金属基底和绝缘层组合的侧表面上。倾斜表面由第一倾斜表面和第二倾斜表面组成。

66. 发明公开

KR1020130059147A 전력 모듈 패키지 有权
标题翻译：电源模块封装
公开(公告)号：KR1020130059147A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：KR1020110125305
申请日：2011-11-28
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김광수 , 곽영훈 , 이영기
IPC分类号： H01L23/46 , H05K7/20
CPC分类号： H01L23/473 , H01L25/072 , H01L25/162 , H01L2224/48091 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A power mobile package is provided to efficiently emit the heat of a semiconductor device by using a cooling passage formed in a heat radiation plate. CONSTITUTION: A first heat radiation plate(110) includes a first passage part(111), a second passage part(112), and a third passage part(113). A second heat radiation plate(120) includes a fourth passage part(121) connected with the second passage part and the third passage part. A semiconductor device mounting groove(122) is formed in one surface of the second heat radiation plate. An insulating layer(130) is formed on the first heat radiation plate and the second heat radiation plate. A metal layer(140) includes a circuit pattern and a connection pad formed on the insulating layer. A semiconductor device(150) is formed on the metal layer.
摘要翻译：目的：通过使用形成在散热板中的冷却通道来提供动力移动封装以有效地发射半导体器件的热量。构成：第一散热板（110）包括第一通道部分（111），第二通道部分（112）和第三通道部分（113）。第二散热板（120）包括与第二通道部分和第三通道部分连接的第四通道部分（121）。半导体器件安装槽（122）形成在第二散热板的一个表面上。绝缘层（130）形成在第一散热板和第二散热板上。金属层（140）包括电路图案和形成在绝缘层上的连接焊盘。半导体器件（150）形成在金属层上。

67. 发明公开

KR1020130046487A 반도체 패키지 无效
标题翻译：半导体封装
公开(公告)号：KR1020130046487A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：KR1020110110915
申请日：2011-10-28
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 임창현 , 허창재 , 이영기 , 박성근
IPC分类号： H01L23/495
CPC分类号： H01L23/36 , H01L23/49531 , H01L23/49537 , H01L23/49811 , H01L2224/48091 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： PURPOSE: A semiconductor package is provided to improve the convenience of design by forming a lead frame in the upper and the lower surface of a substrate. CONSTITUTION: A substrate has a first surface and a second surface. A semiconductor device(121,122) is formed on the first surface of the substrate. A first lead frame(130) is formed at both sides of the first surface. A second lead frame(140) is formed at both sides of a second surface. The first lead frame is separated from the second lead frame according to an insulation distance reference.
摘要翻译：目的：提供半导体封装以通过在衬底的上表面和下表面中形成引线框来提高设计的便利性。构成：衬底具有第一表面和第二表面。半导体器件（121,122）形成在衬底的第一表面上。第一引线框架（130）形成在第一表面的两侧。第二引线框架（140）形成在第二表面的两侧。根据绝缘距离参考，第一引线框架与第二引线框架分离。

68. 发明授权

KR101255944B1 전력 모듈 패키지용 기판 및 그 제조방법 有权
标题翻译：功率模块封装的基板及其制造方法
公开(公告)号：KR101255944B1
公开(公告)日：2013-04-23
申请号：KR1020110072106
申请日：2011-07-20
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 오규환 , 김종만 , 최석문 , 곽영훈 , 김광수 , 이영기
IPC分类号： H01L23/08
CPC分类号： H05K1/053 , H01L23/142 , H01L2924/0002 , H05K2203/0315 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 전력 모듈 패키지용 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 메탈 재질로 이루어진 베이스기판; 베이스기판 상에 형성된 양극 산화층; 및 양극 산화층 상에 형성된 회로층;을 포함하고, 양극 산화층은 회로층의 회로패턴에 대응되게 형성되거나 또는 다수의 영역으로 구분되도록 형성된 것을 특징으로 한다.

69. 发明公开

KR1020130030051A 전력 반도체 모듈 失效
标题翻译：功率半导体模块
公开(公告)号：KR1020130030051A
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020110093559
申请日：2011-09-16
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이영기 , 서동수 , 김광수 , 곽영훈
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/16
CPC分类号： H01L23/4824 , H01L29/7393 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A power semiconductor module is provided to improve heat dissipation by using a wide metal ribbon instead of a wire. CONSTITUTION: A first semiconductor chip(130) is mounted on a circuit board and includes a gate, an emitter terminal, and a collector terminal. A second semiconductor chip(140) is formed on the first semiconductor chip and includes a collector terminal, a cathode terminal, and an anode terminal. A first conductivity connection member(150a) is arranged between the collector terminal of the first semiconductor chip and the cathode terminal of the second semiconductor chip. A second conductivity connection member(150b) is connected to the anode terminal of the second semiconductor chip and the emitter pattern of the circuit board.
摘要翻译：目的：提供功率半导体模块，通过使用宽金属色带代替线材来提高散热。构成：第一半导体芯片（130）安装在电路板上，包括栅极，发射极端子和集电极端子。第一半导体芯片（140）形成在第一半导体芯片上，并且包括集电极端子，阴极端子和阳极端子。第一导电连接构件（150a）布置在第一半导体芯片的集电极端子和第二半导体芯片的阴极端子之间。第二导电连接构件（150b）连接到第二半导体芯片的阳极端子和电路板的发射极图案。

70. 发明公开

KR1020130011149A 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법 有权
标题翻译：功率模块封装及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130011149A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：KR1020110072105
申请日：2011-07-20
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김광수 , 이영기 , 최석문 , 손진숙
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/48
CPC分类号： H01L21/50 , H01L21/565 , H01L23/24 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49537 , H01L23/49575 , H01L23/49586 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/32245 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A power module package and a manufacturing method thereof are provided to reduce a heat discharge path of semiconductor devices by selectively forming a ceramic coating layer in a lead frame. CONSTITUTION: A first lead frame(111) and a second lead frame(113) are arranged to face each other. A ceramic coating layer(120) is formed on a part of a first surface of the first lead frame or the second lead frame. A semiconductor device(130) is mounted on the second surfaces of the first lead frame and the second lead frame. The semiconductor device includes a power device(131) and a control device(133). A wire(140) electrically connects the semiconductor device to the lead frame.
摘要翻译：目的：提供功率模块封装及其制造方法，以通过在引线框中选择性地形成陶瓷涂层来减少半导体器件的放热路径。构成：第一引线框架（111）和第二引线框架（113）被布置成彼此面对。陶瓷涂层（120）形成在第一引线框架或第二引线框架的第一表面的一部分上。半导体器件（130）安装在第一引线框架和第二引线框架的第二表面上。半导体器件包括功率器件（131）和控制器件（133）。导线（140）将半导体器件电连接到引线框架。

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