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61. 发明专利

TW202027389A 具PFC叢發模式控制之開關模式電源供應审中-公开
简体标题：具PFC丛发模式控制之开关模式电源供应
公开(公告)号：TW202027389A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108131551
申请日：2019-09-02
申请人：奧地利商奧地利英飛凌科技股份有限公司 , INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人：林淑芳 , LIM, SHU FAN
IPC分类号： H02M1/10 , H02M1/08
摘要：揭露了一種用於電源的數位控制器、電源及操作電源的方法。操作具有PFC級和耦接到PFC級的LLC轉換器的電源的方法包括：藉由實現具有交流輸入電壓測量結果作為輸入的電流控制迴路，使用電流模式控制器在電源的穩態模式下以CCM操作PFC級；藉由實現沒有交流輸入電壓測量結果作為輸入的電壓控制迴路，使用電壓模式控制器在電源的高載模式的至少一部分中以DCM操作PFC級；以及如果在高載模式下電壓模式控制器的並且與平均電流模式控制下的功率成比例的輸出落在預定範圍之外，則修改電壓控制迴路。
简体摘要：揭露了一种用于电源的数码控制器、电源及操作电源的方法。操作具有PFC级和耦接到PFC级的LLC转换器的电源的方法包括：借由实现具有交流输入电压测量结果作为输入的电流控制回路，使用电流模式控制器在电源的稳态模式下以CCM操作PFC级；借由实现没有交流输入电压测量结果作为输入的电压控制回路，使用电压模式控制器在电源的高载模式的至少一部分中以DCM操作PFC级；以及如果在高载模式下电压模式控制器的并且与平均电流模式控制下的功率成比例的输出落在预定范围之外，则修改电压控制回路。

62. 发明专利

TW201532187A 形成於半導體基板之絕緣結構及形成絕緣結構之方法审中-公开
简体标题：形成于半导体基板之绝缘结构及形成绝缘结构之方法
公开(公告)号：TW201532187A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103136600
申请日：2014-10-23
申请人：奧地利英飛凌科技股份有限公司 , INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人：萊姆克馬可 , LEMKE, MARKO , 魯道夫拉爾夫 , RUDOLF, RALF , 魏斯羅爾夫 , WEIS, ROLF
IPC分类号： H01L21/762 , H01L29/06
CPC分类号： H01L21/76232 , H01L21/3083 , H01L21/823481 , H01L27/0883 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/4236 , H01L29/78
摘要：一種在半導體本體中形成絕緣結構的方法，包括形成從第一表面延伸至半導體本體的溝渠，該溝渠於該半導體本體的水平方向中具有第一寬度；以及形成孔隙，該孔隙於半導體本體的垂直方向中與第一表面相隔，該孔隙於水平方向具有第二寬度，該第二寬度大於第一寬度，其中該溝渠與該孔隙於該垂直方向彼此相鄰配置。
简体摘要：一种在半导体本体中形成绝缘结构的方法，包括形成从第一表面延伸至半导体本体的沟渠，该沟渠于该半导体本体的水平方向中具有第一宽度；以及形成孔隙，该孔隙于半导体本体的垂直方向中与第一表面相隔，该孔隙于水平方向具有第二宽度，该第二宽度大于第一宽度，其中该沟渠与该孔隙于该垂直方向彼此相邻配置。

63. 发明申请

WO2022243135A1 SEMICONDUCTOR DIE WITH A VERTICAL POWER TRANSISTOR DEVICE 审中-公开
公开(公告)号：WO2022243135A1
公开(公告)日：2022-11-24
申请号：PCT/EP2022/062803
申请日：2022-05-11
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： MEISER, Andreas Peter , SCHLOESSER, Till , HENSON, Timothy
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/765 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/823481 , H01L21/823487 , H01L21/823878 , H01L21/823885 , H01L27/0922 , H01L29/407 , H01L29/42368 , H01L29/7816 , H01L29/7835
摘要： The disclosure relates to a semiconductor die (1), comprising a vertical power transistor device (2), the vertical power transistor device having a source region (3) and a drain region (4) at opposite sides of a semiconductor body (10), and a lateral transistor device (20), the lateral transistor device having a body region (221) with a lateral channel region (221.1), as well as a source and a drain region formed at a frontside of the semiconductor body, wherein a deep trench (305) is arranged laterally between the vertical power transistor device (2) and the lateral transistor device (20), forming a deep trench isolation (306).

64. 发明申请

WO2022233968A1 HOLE DRAINING STRUCTURE FOR SUPPRESSION OF HOLE ACCUMULATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2022233968A1
公开(公告)日：2022-11-10
申请号：PCT/EP2022/062040
申请日：2022-05-04
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： IMAM, Mohamed , KIM, Hyeongnam
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/20
摘要： A semiconductor structure comprising a hole draining structure (402) are provided. A semiconductor structure has a first layer (102) formed over a substrate (101). The first layer has a first concentration of a metal material. The semiconductor structure has a second layer (106) formed over the first layer. The second layer has a second concentration of the metal material less than the first concentration of the metal material. The semiconductor structure has a hole draining structure formed from a superlattice (103) formed between the first layer and the second layer. The hole draining structure has a concentration of the metal material increasing towards the first layer and decreasing towards the second layer.

65. 发明申请

WO2020182357A1 METHOD FOR OPERATING A SUPERJUNCTION TRANSISTOR DEVICE AND SUPERJUNCTION TRANSISTOR DEVICE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020182357A1
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：PCT/EP2020/051245
申请日：2020-01-20
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： HIRLER, Franz , FISCHER, Björn , KUTSCHAK, Matteo-Alessandro , RIEGLER, Andreas , WEBER, Hans
IPC分类号： H03K17/06
摘要： A method and a transistor arrangement are disclosed. The method includes: applying a bias voltage (V DEP ) different from zero between a drift region (11) and at least one of a compensation region (21) and a body region (22) of at least one transistor cell (10) of a transistor device when the transistor device is in a diode state, wherein the compensation region (21) has a doping type complementary to a doping type of the drift region (11), wherein the compensation region (21) adjoins the drift region (11), wherein a polarity of the bias voltage (V DEP ) is such that a pn-junction between the drift region (11) and the at least one of the compensation region (21) and the body region (22) is reverse biased, wherein applying the bias voltage (V DEP ) comprises applying the bias voltage (V DEP ) between a bias region (4) that is coupled to the drift region (11) and the at least one of the compensation region (21) and the body region (22), and wherein the bias region (4) is spaced apart from a body region (22) and a source region (12) of the at least one transistor cell.

66. 发明申请

WO2013107782A2 POWER CONVERTER CIRCUIT, POWER SUPPLY SYSTEM AND METHOD 审中-公开
标题翻译：电源转换器电路，电源系统及方法
公开(公告)号：WO2013107782A2
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：PCT/EP2013/050763
申请日：2013-01-16
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
发明人： DEBOY, Gerald , TANG, Yi
CPC分类号： H02M7/49 , H02J3/383 , H02J3/40 , H02M7/493 , Y02E10/563
摘要： Disclosed is a power converter circuit, a power supply system and a method. The power converter circuit, comprises at least one converter series circuit comprising a plurality of converter units (2), the at least one converter series circuit configured to output a series circuit output current (i1 OUT; iOUT-REC ); and a synchronization circuit (10) configured to generate at least one synchronization signal (S v1 ), wherein at least one of the plurality of converter units (2) is configured to generate an output current (i1 ) such that at least one of a frequency and a phase of the output current (i1 ) is dependent on the synchronization signal (S v1 ).
摘要翻译：公开了电力转换电路，电源系统及方法。所述功率转换器电路包括至少一个转换器串联电路，包括多个转换器单元（2），所述至少一个转换器串联电路被配置为输出串联电路输出电流（i1OUT; iOUT-REC）; 以及配置成产生至少一个同步信号（Sv1）的同步电路（10），其中所述多个转换器单元（2）中的至少一个被配置为产生输出电流（i1），使得频率并且输出电流（i1）的相位取决于同步信号（Sv1）。

67. 发明申请

WO2007048393A3 SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH CHARGE COMPENSATION STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
标题翻译：具有电荷补偿结构和工艺半导体部件生产同样
公开(公告)号：WO2007048393A3
公开(公告)日：2007-09-07
申请号：PCT/DE2006001879
申请日：2006-10-23
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA , SEDLMAIER STEFAN , MAUDER ANTON , PFIRSCH FRANK , SCHULZE HANS-JOACHIM , STRACK HELMUT , WILLMEROTH ARMIN
发明人： SEDLMAIER STEFAN , MAUDER ANTON , PFIRSCH FRANK , SCHULZE HANS-JOACHIM , STRACK HELMUT , WILLMEROTH ARMIN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/267 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/2252 , H01L21/2255 , H01L29/04 , H01L29/0634 , H01L29/0661 , H01L29/0878 , H01L29/1604 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要： Semiconductor component (1) with charge compensation structure (3) and method for producing the same. For that purpose, the semiconductor component (1) has a semiconductor body (4) with a drift section (5) between two electrodes (6, 7). The drift section (5) comprises drift zones of a first conductivity type forming a current path between the electrodes (6, 7) in the drift section, while charge compensation zones (11) of a complementary conductivity type narrow the current path in the drift section (5). The drift section (5) comprises for that purpose two alternating, epitaxially grown diffusion zone types (9, 10), the first drift zone type (9) having a monocrystalline semiconductor material on a monocrystalline substrate (12), and a second drift zone type (10) having a monocrystalline semiconductor material in a trench structure (13), with walls (14, 15) which have a complementary doping and form the charge compensation zones (11).
摘要翻译：本发明涉及一种半导体装置（1）与电荷补偿结构（3）和其制造方法。为了这个目的，在半导体主体（4）的半导体器件（1）（6,7）具有两个电极之间的漂移区（5）。漂移区（5）包括漂移的第一导电类型的区域中，电极之间的电流路径（6,7）提供在漂移路径，而互补的导电类型的电荷补偿区（11）压缩所述漂移区（5）的电流路径。为此，漂移区（5）具有两个交替布置的，外延生长的扩散区类型（9，10），其中，单晶衬底（12）的单晶半导体材料和在严重结构的第二漂移区的类型（10）的单晶半导体材料的第一漂移区类型（9）（13），具有互补掺杂壁（14，15），其中，所述互补掺杂壁（14，15）形成电荷补偿区（11）。

68. 发明申请

WO2007079795A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE UND SOLARZELLE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产太阳能电池和太阳能电池
公开(公告)号：WO2007079795A1
公开(公告)日：2007-07-19
申请号：PCT/EP2006/009550
申请日：2006-10-02
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG , SCHULZE, Hans-Joachim
发明人： SCHULZE, Hans-Joachim
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0288
CPC分类号： H01L31/0288 , H01L31/03529 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle, das die Verfahrensschritte aufweist: Bereitstellen eines einkristallinen Halbleiterkörpers, der zwei gegenüberliegende Seiten und eine p-Grunddotierung aufweist, Implantieren von Protonen über eine erste der Seiten derart in den Halbleiterkörper, dass eine Anzahl beabstandet zueinander angeordneter Defektbereiche entsteht, die sich ausgehend von der einen Seite in den Halbleiterkörper hinein erstrecken, Durchführen eines Ausheilschrittes, bei dem der Halbleiterkörper wenigstens im Bereich der Defektbereiche aufgeheizt wird und dessen Temperatur und Dauer derart gewählt sind, dass eine Anzahl beabstandet zueinander angeordneter n-dotierter Halbleiterzonen entstehen, Herstellen eines n-dotierten Emitters, der sich an die n- dotierten Halbleiterzonen anschließt.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造太阳能电池的方法，包括以下步骤：提供具有两个相对的侧面的单晶半导体主体，和一个p型基本掺杂，注入通过第一侧面的质子在半导体主体这样的方式，即一个数的间隔开的排列缺陷区域的形成，其从在所述半导体主体的一侧延伸，执行退火步骤，其中半导体本体被加热至少在缺陷区域的面积和温度和持续时间被选择为使得多个隔开布置的n掺杂半导体区发生，从而产生n掺杂的发射极，其邻接所述n型掺杂的半导体区域。

69. 发明申请

WO2007048387A3 HALBLEITERBAUELEMENT MIT PN-ÜBERGANG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2007048387A3
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：PCT/DE2006/001848
申请日：2006-10-19
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG , MAUDER, Anton , PFIRSCH, Frank , SCHULZE, Hans-Joachim , SEDLMAIER, Stefan , WILLMEROTH, Armin
发明人： MAUDER, Anton , PFIRSCH, Frank , SCHULZE, Hans-Joachim , SEDLMAIER, Stefan , WILLMEROTH, Armin
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/165 , H01L29/32 , H01L29/08
摘要： Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (1) und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Das Halbleiterbauelement (3) weist einen Halbleiterkörper (4) auf. In dem Halbleiterkörper (4) ist ein PN-Übergang angeordnet, der ein p-leitendes Gebiet (11) und ein n-leitendes Gebiet (9) aufweist. Das p-leitende Gebiet (11) oder das n-leitende Gebiet (9) des PN-Übergangs weisen Bereiche (23) auf, welche den PN-Übergang innerhalb des Halbleiterkörpers (4) räumlich begrenzen.

70. 发明申请

WO2007012490A2 HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER DRIFTZONE UND EINER DRIFTSTEUERZONE 审中-公开
标题翻译：与漂移区和漂移控制区带半导体部件
公开(公告)号：WO2007012490A2
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：PCT/EP2006/007450
申请日：2006-07-27
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG , PFIRSCH, Frank , MAUDER, Anton , SCHULZE, Hans-Joachim , SEDLMAIER, Stefan , WILLMEROTH, Armin , ZUNDEL, Markus , HIRLER, Franz , MITTAL, Arunjai
发明人： PFIRSCH, Frank , MAUDER, Anton , SCHULZE, Hans-Joachim , SEDLMAIER, Stefan , WILLMEROTH, Armin , ZUNDEL, Markus , HIRLER, Franz , MITTAL, Arunjai
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L27/06
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/66734 , H01L29/7393 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7813 , H01L29/7816 , H01L29/7817 , H01L29/7824 , H01L29/78603 , H01L29/872
摘要： Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement das einen Halbleiterkörper (100) und folgende weitere Merkmale aufweist: eine Driftzone (2; 211) eines ersten Leitungstyps in dem Halbleiterkörper (100), eine Driftsteuerzone (3; 241) aus einem Halbleitermaterial, die zumindest abschnittsweise benachbart zu der Driftzone (2) in dem Halbleiterkörper angeordnet ist, ein Akkumulationsdielektrikum (4; 251), das zwischen der Driftzone (2; 211) und der Driftsteuerzone (3; 241) angeordnet ist.
摘要翻译：本发明涉及包括具有半导体主体（100）和下面的进一步的特征的半导体器件：一个漂移区（2; 211）在所述半导体主体（100），一个漂移控制区（3; 241）的第一导电类型的由半导体材料制成的，至少在邻近部分，以漂移区（2）被布置在半导体本体，累积电介质（4; 251）设置在所述漂移区域（2; 211）之间以及所述漂移控制区（3; 241）被布置。

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