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61. 发明公开

KR20200125462A 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200125462A
公开(公告)日：2020-11-04
申请号：KR20200046570
申请日：2020-04-17
申请人： TOKYO ELECTRON LTD
发明人： YAMAGUCHI HIROFUMI , SASAKI YOSHIAKI , NISHIMORI YUICHI , TANAKA ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 본발명은, 1개의챔버내에서기판에대하여가열처리및 냉각처리를실행한다. 기판처리장치는, 적어도하나의기판가열영역및 적어도하나의기판냉각영역을포함하는처리실을갖는챔버와, 적어도하나의기판가열영역에서제1 기판을가열하도록구성된가열기구와, 제1 기판을가열하고있는동안에, 적어도하나의기판냉각영역에서제2 기판을냉각하도록구성된냉각기구와, 처리실내에마련되어, 적어도하나의기판가열영역과적어도하나의기판냉각영역을열적및 압력적으로분리하도록구성된격벽을갖는다.

62. 发明公开

KR20180072695A 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 审中-公开
公开(公告)号：KR20180072695A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：KR20187011080
申请日：2016-10-20
申请人： TOKYO ELECTRON LTD
发明人： MURAMATSU MAKOTO , TOMITA TADATOSHI , GENJIMA HISASHI , KITANO TAKAHIRO
IPC分类号： H01L21/027 , B05D3/10 , G03F7/00 , H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： B05D3/10 , H01L21/027
摘要： 친수성폴리머와소수성폴리머를포함하는블록공중합체를이용하여기판을처리하는기판처리방법은, 정해진요철패턴이형성된기판상에블록공중합체를도포하여당해블록공중합체의도포막을형성하는블록공중합체도포공정과, 블록공중합체를친수성폴리머와소수성폴리머로상분리시키는폴리머분리공정과, 상분리된블록공중합체로부터친수성폴리머를선택적으로제거하는폴리머제거공정과, 블록공중합체도포공정후 또한폴리머제거공정전에, 블록공중합체의도포막의막 두께를저감하는막 두께저감공정을가진다.

63. 发明公开

KR20180071394A 제1 물질과 제2 물질을 가진 구조 패턴 층의 에칭 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180071394A
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：KR20187016826
申请日：2016-11-15
申请人： TOKYO ELECTRON LTD
发明人： NAKAMURA SATORU , KO AKITERU
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/80 , G03F7/00 , H01L21/3065 , H01L21/311
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32532 , H01J37/32724 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/67069 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要： 통합목적에부합하도록에칭가스혼합물을이용하여기판에서플라즈마에칭하는방법이제공되고, 이방법은구조패턴층, 중성층 및하부층을가진기판을배치하는단계 - 상기구조패턴층은제1 물질과제2 물질을포함하고상기하부층은실리콘반사방지(SiARC) 층, 스핀온탄소하드마스크(CHM) 층, 산화물층 및목표층을포함한것임 -와; 제1 에칭가스혼합물을이용하여상기제2 물질과상기중성층을선택적으로제거하여제1 패턴을형성하는제1 에칭공정을수행하는단계와; 상기 SiARC 층을선택적으로제거하여제2 패턴을형성하는제2 에칭공정을수행하는단계와; 상기 CHM 층을선택적으로제거하여제3 패턴을형성하는제3 에칭공정을수행하는단계와; 선택된 2개이상의동작변수를동시에제어하는단계를포함하고, 여기에서상기제1 에칭가스혼합물은산소및 유황함유가스를포함한다.

64. 发明公开

KR20180065914A 기판 처리 방법 및 열처리 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20180065914A
公开(公告)日：2018-06-18
申请号：KR20170164141
申请日：2017-12-01
申请人： TOKYO ELECTRON LTD
发明人： SANO YOHEI , KAWAKAMI SHINICHIRO , ENOMOTO MASASHI , SHIOZAWA TAKAHIRO , YOSHIDA KEISUKE , ONITSUKA TOMOYA
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/027 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/38 , H01L21/027 , H01L21/3105 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 금속함유재료를이용한기판처리에있어서, 열처리중의금속오염을억제하면서금속함유막을적절하게형성한다. 기판처리시스템은기판상에형성된금속함유막을열처리하는열처리장치를가지고있다. 열처리장치는웨이퍼(W)를수용하는처리챔버(320)와, 처리챔버(320)의내부에마련되어웨이퍼(W)를배치하는열처리판(360)과, 처리챔버(320)의내부에수분함유가스를공급하는샤워헤드(330)와, 처리챔버(320)의중앙부로부터내부를배기하는중앙배기부를가지고있다.

65. 发明公开

KR20180065901A 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180065901A
公开(公告)日：2018-06-18
申请号：KR20170158211
申请日：2017-11-24
申请人： TOKYO ELECTRON LTD
发明人： SAKANE RYOTA , KOBAYASHI HIDEYUKI , NAGAHATA HIROSHI , NA JUNGWOO
IPC分类号： H01L21/67 , H01J37/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/32651 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H01L21/6833
摘要： 포스트믹스구조를가지는플라즈마처리장치에있어서, 양호한에칭형상을얻을수 있는플라즈마처리장치를제공하는것이다. 처리용기와, 상기처리용기내에마련되고기판을유지하는배치대와, 상기배치대와대향하는위치로부터제 1 가스를공급가능한제 1 가스공급부와, 상기제 1 가스를플라즈마화하는고주파전원과, 상기배치대의주위를감싸도록마련되고플라즈마화된상기제 1 가스를차폐하는차폐부와, 상기차폐부를통하여상기처리용기내를배기하는배기부와, 상기차폐부와상기배기부의사이의공간에제 2 가스를공급가능한제 2 가스공급부를가지는것을특징으로하는플라즈마처리장치에의해상기과제를해결한다.

66. 发明公开

KR20180057532A 기판 처리 장치, 인젝터, 및 기판 처리 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180057532A
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：KR20170152371
申请日：2017-11-15
申请人： TOKYO ELECTRON LTD
发明人： FURUSAWA YOSHIKAZU
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/45534
摘要： 본발명은, 급격한가스도입이행하여지는경우에도, 파티클이처리용기내에도입되는것을억제할수 있는기판처리장치를제공한다. 복수의기판을수용하는처리용기와, 상기처리용기내에가스를공급하는가스공급부와, 상기처리용기내의가스를배기하는배기부를갖는기판처리장치를구성한다. 해당기판장치는, 상기가스공급부내를소기하는소기부를구비하고, 상기가스공급부는상기소기부에접속되어있다.

67. 发明公开

KR20180055721A 스테이지 및 기판 처리 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20180055721A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：KR20170151482
申请日：2017-11-14
申请人： TOKYO ELECTRON LTD
发明人： HIROKI TSUTOMU
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
CPC分类号： H02N13/00 , F28D1/04
摘要： 본발명의과제는스테이지에있어서의열교환매체와정전척 사이의열교환의효율을높이는것이다. 일태양에따른스테이지는, 열교환기와, 열교환기상에마련되고서로대향하는제 1 주면및 제 2 주면을갖는플레이트로서, 그판두께방향으로연장되는복수의관통구멍이형성된, 상기플레이트와, 기판이탑재되는표면및 이면을갖는정전척으로서, 이면이제 1 주면에접착된, 상기정전척을구비하고, 열교환기는복수의관통구멍에대해서노출되는이면의복수의영역에대면하는복수의개구단을각각제공하는복수의제 1 관과, 복수의관통구멍에각각연통하는복수의제 2 관을포함한다.

68. 发明公开

KR20180041583A 기판 처리 장치의 유량 제어기에 의하여 출력되는 가스의 출력 유량을 구하는 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180041583A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：KR20170129720
申请日：2017-10-11
申请人： TOKYO ELECTRON LTD
发明人： YAMASHIMA JUN , HAYASAKA SHINICHIRO , TSURUTA TOSHIHIRO , FUJII HIROSHI , AKIBA JUNICHI , JAMI NAOYA , HOSHI NAOTSUGU
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： F04B49/065 , F04B49/08 , G05D7/0623
摘要： 일실시형태의방법에서는, 유량제어기에지정되는설정유량에따라제1 압력센서및 제2 압력센서로부터압력센서가선택된다. 제2 압력센서가측정할수 있는최대압력은제1 압력센서가측정할수 있는최대압력보다크다. 또, 설정유량에따라, 도달해야하는챔버의최대압력이결정된다. 설정유량에따른출력유량으로유량제어기로부터챔버에대한가스의출력이개시되고, 챔버와배기장치사이에마련된압력제어기가폐쇄된후, 목표압력에도달할때까지동안, 선택된압력센서에의하여챔버의압력이측정된다. 그리고, 시간에대한챔버의압력상승률로부터, 유량제어기의출력유량이구해진다.

69. 发明公开

KR20180031604A 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법 审中-公开
标题翻译：基板处理设备和转移基板的方法
公开(公告)号：KR20180031604A
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：KR20170120347
申请日：2017-09-19
申请人： TOKYO ELECTRON LTD
发明人： NAGAKUBO KEIICHI , SASAKI YOSHIAKI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/68707 , H01L21/67167 , H01L21/6719 , H01L21/67259 , H01L21/67265 , H01L21/67742 , H01L21/67754 , H01L21/67778 , H01L21/681
摘要： 본발명은, 겹치게배치된 2매의기판의각각의위치를정확하게특정할수 있는기판반송방법을제공한다. 2매의웨이퍼(W)를반송아암(14a)에의해겹치게유지하는기판처리장치(10)에있어서, 하방웨이퍼검출센서(29)의발광부(29a)는, 하방웨이퍼(W)가프로세스모듈(13)의내부를향해서반송될때 하방웨이퍼(W)가통과하는영역에배치되고, 또한하방웨이퍼(W) 및상방웨이퍼(W)의사이에위치하도록배치되고, 하방웨이퍼검출센서(29)의수광부(29b)는, 하방웨이퍼(W)를개재해서발광부(29a)와대향하도록배치되고, 상방웨이퍼검출센서(30)는, 상방웨이퍼(W)가프로세스모듈(13)의내부를향해서반송될때 상방웨이퍼(W)가통과하는영역에배치된다.
摘要翻译：本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置具有：搬运臂，其在搬运室和具有两个载置台的处理室之间搬运2个基板，搬运臂在2个基板重叠的状态下保持2个基板，两个基板。所述基板处理设备包括：下基板检测传感器，所述下基板检测传感器被构造成当所述下基板被转印时检测下基板的边缘部分; 以及上基板检测传感器，所述上基板检测传感器被构造成当所述上基板被转印时检测上基板的边缘部分。

70. 发明公开

KR20180030447A 가스 공급계의 검사 방법, 유량 제어기의 교정 방법, 및 2차 기준기의 교정 방법 审中-公开
标题翻译： 2气体供给系统检查流量控制器的方法和校准辅助参考装置的方法
公开(公告)号：KR20180030447A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：KR20170117859
申请日：2017-09-14
申请人： TOKYO ELECTRON LTD
发明人： AMIKURA NORIHIKO , MIYOSHI RISAKO
IPC分类号： G01F7/00 , G01D21/02 , G01F25/00 , G05D7/06
CPC分类号： G01F25/0092 , G01F1/34 , G01F1/696 , G01F13/00 , G01F22/02 , G05D7/00
摘要： 높은정밀도로가스공급계를검사한다. 일양태에관한방법은, 접속관의타단에기준기를접속하는제1 공정과, 하나의제1 밸브가개방되고, 다른제1 밸브, 제2 밸브및 제3 밸브가폐쇄된상태에서, 하나의유량제어기로부터배관내에가스를공급하는제2 공정과, 하나의제1 밸브를폐쇄한후에, 제1 압력계및 제1 온도계의측정값을취득하는제3 공정과, 제3 밸브를개방하여배관내의가스의일부를탱크내에공급하는제4 공정과, 제1 압력계및 제1 온도계의측정값, 또는제2 압력계및 제2 온도계의측정값을취득하는제5 공정과, 보일·샤를의법칙을이용하여, 제3 공정에서취득된측정값과, 제5 공정에서취득된측정값과, 제3 밸브가폐쇄되어있을때의탱크내의공간을포함하는폐쇄공간의용적에기초하여배관의용적을산출하는제6 공정을포함한다.
摘要翻译：根据一个方面的方法包括：将参考装置连接到连接管的另一端的第一步骤，将来自一个流量控制器的气体供应到管道中的第二步骤，获取第一压力计的测量值的第三步骤以及第一温度计，第四步骤，将一部分管路中的气体供应到罐中，第五步骤，获取第一压力计和第一温度计的测量值或第二压力计和第二温度计的测量值，以及第六步，利用波义耳 - 查尔斯定律，根据在第三步中获得的测量值，第五步中获得的测量值以及包括第三步中获得的封闭空间的体积来计算管道的体积当第三个阀关闭时，储罐中的空间。

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