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61. 发明专利

TW200838696A 光學薄膜積層體及使用其表示裝置(二) 审中-公开
简体标题：光学薄膜积层体及使用其表示设备(二)
公开(公告)号：TW200838696A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW097108577
申请日：2008-03-11
申请人：東亞合成股份有限公司 TOAGOSEI CO., LTD. , 住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：大房一樹 KAZUKI OFUSA , 林秀樹 HIDEKI HAYASHI
IPC分类号： B32B , G02B
CPC分类号： G02B5/3033 , B32B7/12 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02F1/133528 , G02F2201/50 , G02F2202/28 , G02F2202/40
摘要：【課題】提供薄型且耐久性優良、生產性也極佳的多層光學膜,以及應用該多層膜的顯示裝置。【解決方法】至少單面上裝配保護膜的線性偏光板、和相位差膜,以黏合劑層為介質,層積起來做成多層光學膜,該黏合劑層,係由硬化前狀態是常壓下、於100℃加熱10分鐘的揮發部分未達8%重量比的硬化型黏合劑所構成。線性偏光板,較理想的是只有單面裝配保護膜,與保護膜相反面上裝備黏合劑層。黏合劑,較理想的是包含分子中有1個以上(偏)丙烯醯基的化合物之熱硬化型或活性能源線硬化型黏合劑,更理想的是,於其硬化時,動態機械性質(dynamic mechanical properties)測定⋘測定頻率數1Hz⋙的抗張(tensile)損失模數(loss modulus)正切値(tan��)達到最大時的溫度,顯示在0℃以上。此層積體,可以作為液晶顯示裝置、有機電激發光顯示裝置、觸控式面板等影像顯示裝置的構成零件而使用。
简体摘要：【课题】提供薄型且耐久性优良、生产性也极佳的多层光学膜,以及应用该多层膜的显示设备。【解决方法】至少单面上装配保护膜的线性偏光板、和相位差膜,以黏合剂层为介质,层积起来做成多层光学膜,该黏合剂层,系由硬化前状态是常压下、于100℃加热10分钟的挥发部分未达8%重量比的硬化型黏合剂所构成。线性偏光板,较理想的是只有单面装配保护膜,与保护膜相反面上装备黏合剂层。黏合剂,较理想的是包含分子中有1个以上(偏)丙烯酰基的化合物之热硬化型或活性能源线硬化型黏合剂,更理想的是,于其硬化时,动态机械性质(dynamic mechanical properties)测定⋘测定频率数1Hz⋙的抗张(tensile)损失模数(loss modulus)正切値(tan��)达到最大时的温度,显示在0℃以上。此层积体,可以作为液晶显示设备、有机电激发光显示设备、触摸式皮肤等影像显示设备的构成零件而使用。

62. 发明专利

TW200831644A 導電性高分子用蝕刻液及將導電性高分子予以圖案化之方法 ETCHING SOLUTION FOR ELETRICALLY-CONDUCTIVE POLYMER USE AND METHOD OF PATTERNING CONDUCTIVE POLYMER 审中-公开
简体标题：导电性高分子用蚀刻液及将导电性高分子予以图案化之方法 ETCHING SOLUTION FOR ELETRICALLY-CONDUCTIVE POLYMER USE AND METHOD OF PATTERNING CONDUCTIVE POLYMER
公开(公告)号：TW200831644A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096135898
申请日：2007-09-27
申请人：東亞合成股份有限公司 TOAGOSEI CO., LTD. , 鶴見曹達股份有限公司 TSURUMI SODA CO., LTD.
发明人：井原孝 IHARA, TAKASHI , 藤本孝弘 FUJIMOTO, TAKAHIRO
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： H05K3/067 , H01L21/32134 , H01L51/0017 , H01L51/0023 , H01L51/0037 , H05K1/09 , H05K3/064 , H05K2201/0329
摘要：本發明之目的係提供一種對於導電性高分子具有優越的蝕刻處理能力之導電性高分子用蝕刻液、及使用該導電性高分子用蝕刻液來將導電性高分子予以圖案化之方法。本發明之導電性蝕刻液,其特徵為其係選自由下列所組成的族群中的蝕刻液:(1)含有超過0.5重量%、70重量%以下之(NH4)2Ce(NO3)6、或0.5重量%以上、30重量%以下之Ce(SO4)2的蝕刻液;(2)含有超過0.5重量%、30重量%以下之(NH4)4Ce(SO4)4的蝕刻液;(3)有效氯濃度為0.06重量%以上,且pH為超過3、低於8之次氯酸鹽水溶液的蝕刻液;(4)包括含有5重量%以上之鹽酸、含有20重量%以上之硝酸,(鹽酸濃度+0.51�硝酸濃度)之値為35重量%以下、且(鹽酸濃度+0.5�硝酸濃度)之値為30重量%以上之亞硝醯氯的蝕刻液;(5)含有3重量%以上、40重量%以下之溴酸化合物,且含有4重量%以上之無機酸的蝕刻液;(6)含有6重量%以上、40重量%以下之氯酸化合物,且含有7重量%以
上之鹵化氫的蝕刻液;(7)含有0.001重量%以上、20重量%以下之過錳酸化合物的蝕刻液;以及(8)含有3重量%以上、30重量%以下之六價鉻化合物的蝕刻液。
简体摘要：本发明之目的系提供一种对于导电性高分子具有优越的蚀刻处理能力之导电性高分子用蚀刻液、及使用该导电性高分子用蚀刻液来将导电性高分子予以图案化之方法。本发明之导电性蚀刻液,其特征为其系选自由下列所组成的族群中的蚀刻液:(1)含有超过0.5重量%、70重量%以下之(NH4)2Ce(NO3)6、或0.5重量%以上、30重量%以下之Ce(SO4)2的蚀刻液;(2)含有超过0.5重量%、30重量%以下之(NH4)4Ce(SO4)4的蚀刻液;(3)有效氯浓度为0.06重量%以上,且pH为超过3、低于8之次氯酸盐水溶液的蚀刻液;(4)包括含有5重量%以上之盐酸、含有20重量%以上之硝酸,(盐酸浓度+0.51�硝酸浓度)之値为35重量%以下、且(盐酸浓度+0.5�硝酸浓度)之値为30重量%以上之亚硝酰氯的蚀刻液;(5)含有3重量%以上、40重量%以下之溴酸化合物,且含有4重量%以上之无机酸的蚀刻液;(6)含有6重量%以上、40重量%以下之氯酸化合物,且含有7重量%以上之卤化氢的蚀刻液;(7)含有0.001重量%以上、20重量%以下之过锰酸化合物的蚀刻液;以及(8)含有3重量%以上、30重量%以下之六价铬化合物的蚀刻液。

63. 发明专利

TW200819391A 新規層狀磷酸鋯审中-公开
简体标题：新规层状磷酸锆
公开(公告)号：TW200819391A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW096139746
申请日：2007-10-23
申请人：東亞合成股份有限公司 TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：大野康晴 YASUHARU ONO
IPC分类号： C01B
CPC分类号： C09D7/61 , C01B25/372 , C08K3/32 , C08K7/00 , C09D1/00 , C09D5/084 , C09D5/14 , C09J9/02 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：【課題】本發明,在耐高溫性及抗化學藥品性均極為優良,係可以應用在電子材料的雜離子捕捉劑、抗菌劑原料、除臭劑、變色抑制劑、防鏽劑等方面的離子交換體,提供各種加工性優良的層狀磷酸鋯。【解決方法】本發明人,為了解決前述課題而專心研究的結果,找出下列化學式[1]所表之新規層狀磷酸鋯,完成本發明。
Zr1-xHfxHa(PO4)b.nH2O [1]
⋘化學通式[1]中,a、及b係能符合3b-a=4的正數,b係2
简体摘要：【课题】本发明,在耐高温性及抗化学药品性均极为优良,系可以应用在电子材料的杂离子捕捉剂、抗菌剂原料、除臭剂、变色抑制剂、防锈剂等方面的离子交换体,提供各种加工性优良的层状磷酸锆。【解决方法】本发明人,为了解决前述课题而专心研究的结果,找出下列化学式[1]所表之新规层状磷酸锆,完成本发明。 Zr1-xHfxHa(PO4)b.nH2O [1] ⋘化学通式[1]中,a、及b系能符合3b-a=4的正数,b系2

64. 发明专利

TWI294887B 水性樹脂分散物及其製造方法、以及其用途失效
简体标题：水性树脂分散物及其制造方法、以及其用途
公开(公告)号：TWI294887B
公开(公告)日：2008-03-21
申请号：TW091108859
申请日：2002-04-29
申请人：東亞合成股份有限公司 TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：松崎英男 HIDEO MATSUZAKI , 石井宏明 HIROAKI ISHII , 米田耕太郎 , 河合道弘 MICHIHIRO KAAI , 纈明美
IPC分类号： C08G , C08F
CPC分类号： C08F290/044 , C08F290/04 , C08F290/046 , C09K3/10 , C09K2200/0617 , C09K2200/0625
摘要：本發明係提供水性樹脂分散物及易製得該水性樹脂分散物之水性樹脂分散物製造方法，以及其用途。本發明之水性樹脂分散物具有優良滲透性、塗平性及化學安定性。該水性樹脂分散物係於水性媒體中，使大單體組成物及乙烯單體反應而製得。大單體組成物為，例如供應大單體組成物製造用之全部單體合計量的基準下，以160至350℃使含有α位具有烷基之乙烯單體10至80質量%及α位具有氫之非芳香族乙烯單體90至20質量%之單體混合物聚合而得之物。該大單體組成物具有親水性單體單位及排水性單體單位。
简体摘要：本发明系提供水性树脂分散物及易制得该水性树脂分散物之水性树脂分散物制造方法，以及其用途。本发明之水性树脂分散物具有优良渗透性、涂平性及化学安定性。该水性树脂分散物系于水性媒体中，使大单体组成物及乙烯单体反应而制得。大单体组成物为，例如供应大单体组成物制造用之全部单体合计量的基准下，以160至350℃使含有α位具有烷基之乙烯单体10至80质量%及α位具有氢之非芳香族乙烯单体90至20质量%之单体混合物聚合而得之物。该大单体组成物具有亲水性单体单位及排水性单体单位。

65. 发明专利

TW200804977A 活化能射線硬化型組成物及其製造方法审中-公开
简体标题：活化能射线硬化型组成物及其制造方法
公开(公告)号：TW200804977A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096107666
申请日：2007-03-06
申请人：東亞合成股份有限公司 TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：谷內健太郎 YACHI, KENTAROU
IPC分类号： G03F , G02B
CPC分类号： C08F290/00 , C08F290/12 , C08L33/062 , G02B5/20 , G03F7/031 , C08L2666/02
摘要：本發明之活化能射線硬化型組成物為含有(a)具有3個以上(甲基)丙烯醯基之化合物、(b)鹼可溶性樹脂、及(c)光聚合引發劑以外之三級胺,且(c)成分之含量為對(a)成分及(b)成分之合計100質量份為0.01-7.0質量份。本發明中,可使用具有3個以上(甲基)丙烯醯基及羥基之化合物的酸酐加成化合物(a-1)作為(a)成分。
简体摘要：本发明之活化能射线硬化型组成物为含有(a)具有3个以上(甲基)丙烯酰基之化合物、(b)碱可溶性树脂、及(c)光聚合引发剂以外之三级胺,且(c)成分之含量为对(a)成分及(b)成分之合计100质量份为0.01-7.0质量份。本发明中,可使用具有3个以上(甲基)丙烯酰基及羟基之化合物的酸酐加成化合物(a-1)作为(a)成分。

66. 发明专利

TW200804268A (甲基)丙烯酸酯之製法及(甲基)丙烯酸酯系組成物 METHOD FOR PRODUCING (METH)ACRYLATE AND (METH)ACRYLATE-BASED COMPOUND 审中-公开
简体标题： (甲基)丙烯酸酯之制法及(甲基)丙烯酸酯系组成物 METHOD FOR PRODUCING (METH)ACRYLATE AND (METH)ACRYLATE-BASED COMPOUND
公开(公告)号：TW200804268A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096116386
申请日：2007-05-09
申请人：東亞合成股份有限公司 TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：小島慎司 KOJIMA, SHINJI , 橋本直樹 HASHIMOTO, NAOKI , 追分健裕 OIWAKE, TAKEHIRO , 佐內康之 SANAI, YASUYUKI
IPC分类号： C07C
CPC分类号： C07C67/08 , C07C67/62 , C07C69/54
摘要：本發明之目的係提供一種藉由簡單的方法,使所得之(甲基)丙烯酸酯的貯藏安定性及熱安定性提昇之製造方法、及(甲基)丙烯酸酯系組成物。本發明之製法係包含:在有機溶媒中藉由有機磺酸觸媒使(甲基)丙烯酸及、具有氧化烯基之醇進行脫水以形成(甲基)丙烯酸酯之酯化步驟;及控制所得之(甲基)丙烯酸酯中式(1)所示之化合物A為0-100ppm之管理步驟。又,包含相對於經歷進行上述酯化步驟、中和處理及水洗處理的步驟所得之(甲基)丙烯酸酯,在含有1ppm以上之上述化合物A的有機反應液中,添加特定處理劑之添加步驟。
096116386P01.bmp
﹝在式(1)中,R^1表示烷基或芳基,R^2表示伸烷基,R^3表示氫原子或甲基﹞
简体摘要：本发明之目的系提供一种借由简单的方法,使所得之(甲基)丙烯酸酯的贮藏安定性及热安定性提升之制造方法、及(甲基)丙烯酸酯系组成物。本发明之制法系包含:在有机溶媒中借由有机磺酸触媒使(甲基)丙烯酸及、具有氧化烯基之醇进行脱水以形成(甲基)丙烯酸酯之酯化步骤;及控制所得之(甲基)丙烯酸酯中式(1)所示之化合物A为0-100ppm之管理步骤。又,包含相对于经历进行上述酯化步骤、中和处理及水洗处理的步骤所得之(甲基)丙烯酸酯,在含有1ppm以上之上述化合物A的有机反应液中,添加特定处理剂之添加步骤。 096116386P01.bmp ﹝在式(1)中,R^1表示烷基或芳基,R^2表示伸烷基,R^3表示氢原子或甲基﹞

67. 发明专利

TW200714637A 具有醇性羥基之有機矽樹脂及其製造方法审中-公开
简体标题：具有醇性羟基之有机硅树脂及其制造方法
公开(公告)号：TW200714637A
公开(公告)日：2007-04-16
申请号：TW095125267
申请日：2006-07-11
申请人：東亞合成股份有限公司 TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：北村昭憲 KITAMURA, AKINORI , 鈴木浩 SUZUKI, HIROSHI , 佐藤大悟 SATO, DAIGO
IPC分类号： C08G , C07F
CPC分类号： C08G77/50
摘要：本發明之目的在於提供一種無經時變化、安定之具有醇性羥基之有機矽樹脂,以及其之容易控制組成之製造方法。本發明之有機矽樹脂,係具備將下述通式(1)所表示之有機矽化合物等進行水解及縮合之製程而製得者。
【式中,R^1、R^2、R^4、R^5及R^6,係相互獨立之碳數1~10之烷基、碳數7~10之芳烷基、或碳數7~10之芳基;R^3,係碳數2~20之2價有機基;a及b,係滿足a≧0、b≧1及a+b=3之整數。但其中,當存在有複數個-OR^2時,可分別為相同或相異】。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种无经时变化、安定之具有醇性羟基之有机硅树脂,以及其之容易控制组成之制造方法。本发明之有机硅树脂,系具备将下述通式(1)所表示之有机硅化合物等进行水解及缩合之制程而制得者。【式中,R^1、R^2、R^4、R^5及R^6,系相互独立之碳数1~10之烷基、碳数7~10之芳烷基、或碳数7~10之芳基;R^3,系碳数2~20之2价有机基;a及b,系满足a≧0、b≧1及a+b=3之整数。但其中,当存在有复数个-OR^2时,可分别为相同或相异】。

68. 发明专利

TW200712050A 酯化反應用反應裝置及酯化物及其製造方法审中-公开
简体标题：酯化反应用反应设备及酯化物及其制造方法
公开(公告)号：TW200712050A
公开(公告)日：2007-04-01
申请号：TW095121260
申请日：2006-06-14
申请人：東亞合成股份有限公司 TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：木村幸治 KIMURA, KOUJI , 若山敏之 WAKAYAMA, TOSHIYUKI , 吉川政義 YOSHIKAWA, MASAYOSHI , 美保享 MIHO, SUSUMU
IPC分类号： C07C
CPC分类号： C07C67/03 , C07C67/08 , C07C69/54
摘要：本發明係提供一種適於與羧酸與醇等之具有羥基化合物之酯化反應,改善反應中附著於內壁面之水垢附著性之反應裝置、及利用此裝置之酯化物的製造方法。本發明反應裝置1備有圓筒狀容器11與配設於圓筒狀容器11之外圍部之冷加熱外罩12,使冷加熱外罩12之配設位置最高點低於圓筒狀容器11內之反應液液面最高點,為進行羧酸之酯化反應的裝置,冷加熱外罩12之配設位置最高點為滿足式0.02
简体摘要：本发明系提供一种适于与羧酸与醇等之具有羟基化合物之酯化反应,改善反应中附着于内壁面之水垢附着性之反应设备、及利用此设备之酯化物的制造方法。本发明反应设备1备有圆筒状容器11与配设于圆筒状容器11之外围部之冷加热外罩12,使冷加热外罩12之配设位置最高点低于圆筒状容器11内之反应液液面最高点,为进行羧酸之酯化反应的设备,冷加热外罩12之配设位置最高点为满足式0.02<(y-x)/x<0.3之位置【其中,x代表由圆筒状容器之直胴部下端至冷加热外罩之配设位置最高点之长度、y代表圆筒状容器之直胴部下端至反应液液面最高点之长度】。

69. 发明专利

TW200702954A 體積相位型全息照相記錄材料、其製法及記錄體 VOLUME HOLOGRAM RECORDING MATERIAL, THE METHOD OF PROCESSING THEREOF AND THE RECORDING MEDIUM 审中-公开
简体标题：体积相位型全息照相记录材料、其制法及记录体 VOLUME HOLOGRAM RECORDING MATERIAL, THE METHOD OF PROCESSING THEREOF AND THE RECORDING MEDIUM
公开(公告)号：TW200702954A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095102420
申请日：2006-01-23
申请人：東亞合成股份有限公司 TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：佐藤伸 SATOU, SHIN , 佐佐木裕 SASAKI, HIROSHI
IPC分类号： G03H
CPC分类号： G03H1/02 , G03F7/001 , G03F7/032 , G03H2001/0264 , G03H2260/12 , G11B7/0065 , G11B7/24044 , G11B7/245 , G11B7/26
摘要：本發明之課題在於提供一種光聚合物系之體積相位型全息照相記錄材料,並利用其材料之體積相位型全息照相記錄體,能夠進行顯示位元誤碼率(BER)、或數位訊號與雜訊比之訊號對雜訊比(SNR)特性優異的影像資訊之記錄/再生,也適合於全息照相資訊記錄等之用途。解決問題之技術手段在於提供一種體積相位型全息照相記錄材料,其特徵為:於進行資料之全息照相記錄中,藉由因訊息光與參考光之干涉所產生的干涉條紋進行聚合的生成聚合物之重量平均分子量成為1000-3000000,能夠進行已減低雜訊等之體積相位型全息照相的記錄/再生。另外,使用訊息光與參考光而進行全息照相之記錄的情形下,本發明含有鏈轉移劑。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种光聚合物系之体积相位型全息照相记录材料,并利用其材料之体积相位型全息照相记录体,能够进行显示比特误码率(BER)、或数码信号与噪声比之信号对噪声比(SNR)特性优异的影像信息之记录/再生,也适合于全息照相信息记录等之用途。解决问题之技术手段在于提供一种体积相位型全息照相记录材料,其特征为:于进行数据之全息照相记录中,借由因消息光与参考光之干涉所产生的干涉条纹进行聚合的生成聚合物之重量平均分子量成为1000-3000000,能够进行已减低噪声等之体积相位型全息照相的记录/再生。另外,使用消息光与参考光而进行全息照相之记录的情形下,本发明含有链转移剂。

70. 发明专利

TW200702943A 基體表面上之有機被膜除去方法、以及除去裝置审中-公开
简体标题：基体表面上之有机被膜除去方法、以及除去设备
公开(公告)号：TW200702943A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095108914
申请日：2006-03-16
申请人：東亞合成股份有限公司 TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：新妻裕志 NIIZUMA, HIROSHI , 飯沼知久 IINUMA, TOMOHISA
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： B01D61/145 , G03F7/422 , H01L21/31133
摘要：本發明係提供,不需更換剝離液即可將半導體用晶圓或液晶用基板等基板表面上之光阻被膜自該基板上除去之方法。該方法,係使以1分子中具有2個氧以上之有機環狀化合物(例如碳酸烯酯)作為主成分之剝離液,與該基體表面上之光阻被膜接觸以除去該被膜後,將剝離液中所含之該被膜成分藉由超過濾處理以自剝離液中除去,而將該被膜成分已除去之剝離液,循環再使用於基體表面上之有機被膜之除去。又,本發明係提供,具有有機被膜之基體表面之有機被膜除去裝置,其特徵在於具備:混合剝離液貯槽,用以導入剝離液新液且導入處理後之剝離液;將剝離液自混合剝離液貯槽機構供應至接觸槽之機構;收納具有有機被膜之基體的基體保持具;將具有有機被膜之基體自基體保持具取出並導入接觸槽,於接觸槽內,使剝離液與基體之具有有機被膜的表面接觸,俾將有機被膜以剝離液溶解而將有機被膜自基體表面除去,並將有機被膜已除去之基體自接觸槽拉起之機構;將溶解有機被膜之剝離液自接觸槽排出之機構;將自接觸槽所排出之剝離液導入之膜過濾裝置;以及使自膜過濾裝置所排出之剝離液循環並返回至混合剝離液貯槽之機構。本發明之除去方法,經濟性及安全性優異,且不會對環境造成不良影響。
简体摘要：本发明系提供,不需更换剥离液即可将半导体用晶圆或液晶用基板等基板表面上之光阻被膜自该基板上除去之方法。该方法,系使以1分子中具有2个氧以上之有机环状化合物(例如碳酸烯酯)作为主成分之剥离液,与该基体表面上之光阻被膜接触以除去该被膜后,将剥离液中所含之该被膜成分借由超过滤处理以自剥离液中除去,而将该被膜成分已除去之剥离液,循环再使用于基体表面上之有机被膜之除去。又,本发明系提供,具有有机被膜之基体表面之有机被膜除去设备,其特征在于具备:混合剥离液贮槽,用以导入剥离液新液且导入处理后之剥离液;将剥离液自混合剥离液贮槽机构供应至接触槽之机构;收纳具有有机被膜之基体的基体保持具;将具有有机被膜之基体自基体保持具取出并导入接触槽,于接触槽内,使剥离液与基体之具有有机被膜的表面接触,俾将有机被膜以剥离液溶解而将有机被膜自基体表面除去,并将有机被膜已除去之基体自接触槽拉起之机构;将溶解有机被膜之剥离液自接触槽排出之机构;将自接触槽所排出之剥离液导入之膜过滤设备;以及使自膜过滤设备所排出之剥离液循环并返回至混合剥离液贮槽之机构。本发明之除去方法,经济性及安全性优异,且不会对环境造成不良影响。

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