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1. 发明专利

TW200831644A 導電性高分子用蝕刻液及將導電性高分子予以圖案化之方法 ETCHING SOLUTION FOR ELETRICALLY-CONDUCTIVE POLYMER USE AND METHOD OF PATTERNING CONDUCTIVE POLYMER 审中-公开
简体标题：导电性高分子用蚀刻液及将导电性高分子予以图案化之方法 ETCHING SOLUTION FOR ELETRICALLY-CONDUCTIVE POLYMER USE AND METHOD OF PATTERNING CONDUCTIVE POLYMER
公开(公告)号：TW200831644A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096135898
申请日：2007-09-27
申请人：東亞合成股份有限公司 TOAGOSEI CO., LTD. , 鶴見曹達股份有限公司 TSURUMI SODA CO., LTD.
发明人：井原孝 IHARA, TAKASHI , 藤本孝弘 FUJIMOTO, TAKAHIRO
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： H05K3/067 , H01L21/32134 , H01L51/0017 , H01L51/0023 , H01L51/0037 , H05K1/09 , H05K3/064 , H05K2201/0329
摘要：本發明之目的係提供一種對於導電性高分子具有優越的蝕刻處理能力之導電性高分子用蝕刻液、及使用該導電性高分子用蝕刻液來將導電性高分子予以圖案化之方法。本發明之導電性蝕刻液,其特徵為其係選自由下列所組成的族群中的蝕刻液:(1)含有超過0.5重量%、70重量%以下之(NH4)2Ce(NO3)6、或0.5重量%以上、30重量%以下之Ce(SO4)2的蝕刻液;(2)含有超過0.5重量%、30重量%以下之(NH4)4Ce(SO4)4的蝕刻液;(3)有效氯濃度為0.06重量%以上,且pH為超過3、低於8之次氯酸鹽水溶液的蝕刻液;(4)包括含有5重量%以上之鹽酸、含有20重量%以上之硝酸,(鹽酸濃度+0.51�硝酸濃度)之値為35重量%以下、且(鹽酸濃度+0.5�硝酸濃度)之値為30重量%以上之亞硝醯氯的蝕刻液;(5)含有3重量%以上、40重量%以下之溴酸化合物,且含有4重量%以上之無機酸的蝕刻液;(6)含有6重量%以上、40重量%以下之氯酸化合物,且含有7重量%以
上之鹵化氫的蝕刻液;(7)含有0.001重量%以上、20重量%以下之過錳酸化合物的蝕刻液;以及(8)含有3重量%以上、30重量%以下之六價鉻化合物的蝕刻液。
简体摘要：本发明之目的系提供一种对于导电性高分子具有优越的蚀刻处理能力之导电性高分子用蚀刻液、及使用该导电性高分子用蚀刻液来将导电性高分子予以图案化之方法。本发明之导电性蚀刻液,其特征为其系选自由下列所组成的族群中的蚀刻液:(1)含有超过0.5重量%、70重量%以下之(NH4)2Ce(NO3)6、或0.5重量%以上、30重量%以下之Ce(SO4)2的蚀刻液;(2)含有超过0.5重量%、30重量%以下之(NH4)4Ce(SO4)4的蚀刻液;(3)有效氯浓度为0.06重量%以上,且pH为超过3、低于8之次氯酸盐水溶液的蚀刻液;(4)包括含有5重量%以上之盐酸、含有20重量%以上之硝酸,(盐酸浓度+0.51�硝酸浓度)之値为35重量%以下、且(盐酸浓度+0.5�硝酸浓度)之値为30重量%以上之亚硝酰氯的蚀刻液;(5)含有3重量%以上、40重量%以下之溴酸化合物,且含有4重量%以上之无机酸的蚀刻液;(6)含有6重量%以上、40重量%以下之氯酸化合物,且含有7重量%以上之卤化氢的蚀刻液;(7)含有0.001重量%以上、20重量%以下之过锰酸化合物的蚀刻液;以及(8)含有3重量%以上、30重量%以下之六价铬化合物的蚀刻液。

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