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    • 51. 发明申请
    • 弾性波装置
    • 声波器件
    • WO2017068828A1
    • 2017-04-27
    • PCT/JP2016/071725
    • 2016-07-25
    • 株式会社村田製作所
    • 岸本 諭卓木村 哲也大村 正志
    • H03H9/145
    • H03H9/02897H01L41/0477H01L41/0533H01L41/1871H01L41/1873H03H9/02559H03H9/0585H03H9/145H03H9/14538H03H9/6406
    • 圧電基板の反りが生じ難く、かつ特性の劣化が生じ難い、弾性波装置を提供する。 支持基板2と、支持基板2上に設けられた音響多層膜3と、音響多層膜3上に設けられた圧電基板4と、圧電基板4上に設けられたIDT電極5と、を備え、圧電基板4の熱膨張係数の絶対値が、支持基板2の熱膨張係数の絶対値より大きく、音響多層膜3が、少なくとも4層の音響インピーダンス層を有し、圧電基板4側から支持基板2側へ向かって1層目の音響インピーダンス層3g中から、3層目の音響インピーダンス層3eと4層目の音響インピーダンス層3dとの界面、までのいずれかの位置に設けられている接合層をさらに備える、弾性波装置1。
    • 翘曲难以发生在压电基板,和的特性的劣化几乎不会发生,提供一种弹性波装置。 它包括一个支撑基板2,设置在支撑基板2上的声多层膜3,设置在所述声多层膜3的压电基片4,以及设置在所述压电基片4上的IDT电极5中,压电 在基板4的热膨胀系数的绝对值比支撑基板2,声多层膜3的热膨胀系数的绝对值大,具有至少四层的声阻抗层,从压电基板4在支撑基板2侧 从朝向在界面的任何位置处,以声阻抗层3e中的进一步接合层和所述声阻抗层的第四层,第一层的声阻抗层3克3d的第三层 它提供了声表面波装置1。

    • 56. 发明申请
    • 弾性波装置
    • 弹性波形装置
    • WO2014034326A1
    • 2014-03-06
    • PCT/JP2013/069871
    • 2013-07-23
    • 株式会社村田製作所
    • 菊知 拓山崎 央
    • H03H9/72H03H9/145H03H9/25
    • H03H9/64H03H9/02834H03H9/0576H03H9/0585H03H9/54H03H9/70H03H9/725
    •  優れた温度サイクル耐性を有する弾性波装置を提供する。 弾性波装置1は、第1の弾性波素子10と、第2の弾性波素子20と、第1の基板41とを備える。第1の弾性波素子10は、第1の圧電基板11を有する。第2の弾性波素子20は、第2の圧電基板21を有する。第2の圧電基板21は、第1の圧電基板11に積層されている。第2の圧電基板21の線膨張係数は、第1の圧電基板11の線膨張係数よりも大きい。第1の基板41は、第2の圧電基板21に接合されている。第1の基板41の線膨張係数は、第2の圧電基板21の線膨張係数よりも小さい。
    • 提供具有优异的耐温循环性的弹性波装置。 弹性波装置(1)具有第一弹性波形元件(10),第二弹性波形元件(20)和第一基板(41)。 第一弹性波元件(10)具有第一压电基板(11)。 第二弹性波导元件(20)具有第二压电基板(21)。 第二压电基板(21)层叠在第一压电基板(11)上。 第二压电基板(21)的线膨胀系数大于第一压电基板(11)的线膨胀系数。 第一基板(41)与第二压电基板(21)接合。 第一基板(41)的线膨胀系数小于第二压电基板(21)的线膨胀系数。
    • 60. 发明申请
    • ELASTIC WAVE DEVICE
    • 弹性波装置
    • WO1998052279A1
    • 1998-11-19
    • PCT/JP1997001584
    • 1997-05-12
    • HITACHI, LTD.ISOBE, AtsushiHIKITA, MitsutakaSHIBAGAKI, NobuhikoASAI, KengoTAKUBO, Chisaki
    • HITACHI, LTD.
    • H03H09/145
    • H03H9/1064H03H3/08H03H9/0222H03H9/0542H03H9/0585H03H9/059
    • In order to realize a subminiature elastic wave device, which has an electric property comparable to at least that of a conventional elastic surface wave device and of which reliability is not degraded even when undergoing resin sealing or bare chip packaging, an elastic boundary wave device of three-medium construction, in which films (29, 30) of two or more kinds are formed on a piezoelectric substrate (28), is excited. Formed on the piezoelectric substrate formed with an interdigital electrode (14) are a polycrystal silicon dioxide film (29) and a polycrystal silicon film (30). The piezoelectric substrate is formed from a single crystal substance. The polycrystal silicon dioxide film and the polycrystal silicon film are formed as by a sputtering method, CVD method and a coating method. Formation of the polycrystal silicon film enables elastic wave excited by the interdigital electrode to be confined to the polycrystal silicon dioxide film, and even when the polycrystal silicon film is deteriorated in its film quality, the elastic boundary wave device exhibits an electric property superior to that of a conventional elastic surface wave device. Also, since the polycrystal silicon dioxide film and the polycrystal silicon film protect the interdigital electrode, the elastic boundary wave device can have a high reliability.
    • 为了实现具有与现有的弹性表面波装置相当的电性能的即使在进行树脂密封或裸芯片封装的情况下也不降低可靠性的超小型弹性波器件,弹性边界波器件 在压电基板(28)上形成有两种以上的膜(29,30)的三介质结构被激发。 在形成有交叉指状电极(14)的压电基板上形成多晶硅二氧化硅膜(29)和多晶硅膜(30)。 压电基板由单晶物质形成。 通过溅射法,CVD法和涂布法形成多晶硅二氧化硅膜和多晶硅膜。 多晶硅膜的形成使得由叉指电极激发的弹性波被限制在多晶硅二氧化硅膜中,即使当多晶硅膜的膜质量劣化时,弹性边界波器件的电性能优于 的常规弹性表面波装置。 此外,由于多晶硅二氧化硅膜和多晶硅膜保护叉指电极,所以弹性边界波装置可以具有高的可靠性。