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51. 发明申请

WO1997037064A1 METHOD AND APPARATUS FOR GROWING ORIENTED WHISKER ARRAYS 审中-公开
标题翻译：用于生长面向垫片阵列的方法和装置
公开(公告)号：WO1997037064A1
公开(公告)日：1997-10-09
申请号：PCT/RU1997000078
申请日：1997-03-24
申请人： GIVARGIZOV, Evgeny Invievich
IPC分类号： C30B11/12
CPC分类号： H01J9/025 , C30B11/12 , C30B25/005 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , Y10T117/102
摘要： A method for growing of oriented whisker arrays on a single-crystalline substrate consists in vapor-phase transport of the material to be crystallized from a solid-state source body of the same composition as the whiskers to the substrate coated with liquid-phase particles that serve as nucleation/catalyzing centers for the whisker growth. The source body has a plane surface that is faced to the substrate and parallel to it so that a vectorly-uniform temperature field, whose gradient is perpendicular to both the substrate and the source, is created. The vectorly-uniform temperature field is realized by an apparatus with high-frequency heating of specially designed bodies that are arranged in a special position in respect to the high-frequency inductor. Laser and/or lamp heat sources can be also used either separately or in combinations with the high-frequency heater. In the apparatus, the material source is heated, while the substrate takes heat from the material source. In another case, the substrate is heated, while the material source takes heat from the substrate.
摘要翻译：用于在单晶衬底上生长定向晶须阵列的方法是将待结晶材料从与晶须相同组成的固态源体气相输送到涂有液相颗粒的基底上，作为晶须生长的成核/催化中心。源体具有面向衬底并平行于其的平面，从而产生其梯度垂直于衬底和源两者的矢量均匀的温度场。矢量均匀的温度场由具有高频加热的设备实现，该装置被设置在相对于高频电感器的特殊位置的专门设计的主体。激光和/或灯光源也可以单独使用或与高频加热器组合使用。在该装置中，材料源被加热，同时衬底从材料源吸收热量。在另一种情况下，衬底被加热，同时材料源从衬底吸收热量。

52. 发明申请

WO1994001363A1 PRODUCTION OF SILICON CARBIDE WHISKERS 审中-公开
标题翻译：生产碳化硅砂轮
公开(公告)号：WO1994001363A1
公开(公告)日：1994-01-20
申请号：PCT/SE1993000329
申请日：1993-04-20
申请人： ADVANCED INDUSTRIAL MATERIALS , SANDVIK AB
发明人： ADVANCED INDUSTRIAL MATERIALS , SANDVIK AB , QUI, Dongxin , COYLE, Roy, Tom , TAIT, Richard, D. , ORTH, Rick, J.
IPC分类号： C01B31/36
CPC分类号： C30B25/005 , C30B29/36
摘要： A process for producing silicon carbide whiskers in which a particulate form of carbon is combined with a silicon component, a boron component and seeding component to form a mixture which is then subjected to temperatures above about 1300 C in a nonoxidizing atmosphere such that carbon reacts with silica to form silicon carbide whiskers. The preferred particulate carbon, silicon component, boron component and seeding component are, respectively, carbon black, fumed silica, boron oxide and cobalt, iron or nickel. The size and shape of the whiskers can be controlled by varying the size of the seeding component and the concentration of the boron component.
摘要翻译：一种生产碳化硅晶须的方法，其中颗粒形式的碳与硅组分，硼组分和接种组分结合以形成混合物，然后在非氧化气氛中经受约1300℃以上的温度，使得碳与二氧化硅形成碳化硅晶须。优选的颗粒状碳，硅组分，硼组分和接种组分分别为炭黑，热解法二氧化硅，氧化硼和钴，铁或镍。可以通过改变接种组分的尺寸和硼组分的浓度来控制晶须的尺寸和形状。

53. 发明申请

WO1993021109A1 METHOD OF MAKING MATERIALS USING VAPOR PHASE TRANSPORT AND REACTIVE GASES 审中-公开
标题翻译：使用蒸汽相运输和反应气体制备材料的方法
公开(公告)号：WO1993021109A1
公开(公告)日：1993-10-28
申请号：PCT/US1993003594
申请日：1993-04-15
申请人： MOORE, John, J. , READEY, Dennis, W.
IPC分类号： C01F07/30
CPC分类号： B22F9/30 , C01B35/04 , C01F7/422 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/10 , C01P2004/20 , C01P2004/34 , C04B35/651 , C30B25/005
摘要： A method of making materials using gas coupled with vapor phase transport. One embodiment of the method includes the steps of providing a reaction mixture including a plurality of reactive chemical species capable of reacting exothermically and heating the mixture in an environment including a reactive gas such that the plurality of reactive chemical species will react, wherein sufficient heat is generated from an exothermic reaction between the plurality of reactive species to generate a volatile intermediate reaction species which subsequently reacts to form the at least one chemical product. In another embodiment, the reaction mixture, reactive gas and vapor phase transport are employed in the presence of a nucleating agent to produce a desired product form. The materials include ceramics, metals, and combinations thereof in varying morphologies, including fine particles (32c), whiskers (32a and 32b), hollow shells, platelets and combinations thereof, and composite materials containing the same which have been synthesized in situ.
摘要翻译：使用与气相输送耦合的气体制备材料的方法。该方法的一个实施方案包括以下步骤：提供反应混合物，其包括能够放热反应的多种反应性化学物质并在包括反应性气体的环境中加热混合物，使得多个反应性化学物质将反应，由多个反应性物质之间的放热反应产生，以产生随后反应形成至少一种化学产物的挥发性中间体反应物质。在另一个实施方案中，在存在成核剂的情况下使用反应混合物，反应气体和气相输送以产生所需的产物形式。这些材料包括不同形态的陶瓷，金属及其组合，包括细颗粒（32c），晶须（32a和32b），中空壳，血小板及其组合，以及原位合成的复合材料。

54. 发明专利

TWI495612B 一維鈦金屬奈米結構及其製造方法有权
简体标题：一维钛金属奈米结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI495612B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW102100224
申请日：2013-01-04
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：陳澤龍 , CHEN, TZE LUNG , 裘性天 , CHIU, HSIN TIEN , 李紫原 , LEE, CHI YOUNG
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00
CPC分类号： C30B29/02 , B22F1/0025 , B22F9/30 , B22F2201/40 , C23C16/08 , C23C16/46 , C30B25/005 , C30B25/16 , C30B29/60 , C30B29/602

55. 发明专利

TW201222946A 蓄電裝置的製造方法 MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE 审中-公开
简体标题：蓄电设备的制造方法 MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE
公开(公告)号：TW201222946A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100122428
申请日：2011-06-27
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：古野誠
IPC分类号： H01M
CPC分类号： C30B25/005 , C30B29/06 , H01M4/0428 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/661 , H01M10/052
摘要：所公開的發明的目的之一在於：提供一種能夠提高放電容量的蓄電裝置；或者，提供一種能夠抑制由於反復進行充放電而導致的電極的退化的蓄電裝置。一種蓄電裝置的製造方法，包括如下步驟：在集電體上，作為活性物質層，利用使用作為材料氣體的包含矽的氣體和作為稀釋氣體的氮或氦的減壓化學氣相沉積法形成包含晶須密集的晶須群的結晶矽層。
简体摘要：所公开的发明的目的之一在于：提供一种能够提高放电容量的蓄电设备；或者，提供一种能够抑制由于反复进行充放电而导致的电极的退化的蓄电设备。一种蓄电设备的制造方法，包括如下步骤：在集电体上，作为活性物质层，利用使用作为材料气体的包含硅的气体和作为稀释气体的氮或氦的减压化学气相沉积法形成包含晶须密集的晶须群的结晶硅层。

56. 发明授权

KR101566020B1 승화 및 응결 공정을 통한 대형의 균일한 실리콘 탄화물 주괴의 제조방법 有权
标题翻译：通过分层/凝聚过程制造碳化硅的大量均匀性的方法
公开(公告)号：KR101566020B1
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：KR1020107014917
申请日：2008-10-08
申请人： 다우 코닝 코포레이션
发明人： 로보다,마크 , 박,승호 , 토레스,빅터
IPC分类号： C30B23/00 , C01B31/36 , C30B29/36 , H01L21/02
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/90 , C01B32/956 , C01B33/00 , C01P2006/80 , C30B23/00 , C30B25/005 , C30B29/36
摘要： 본발명은이하의단계들을포함하는, 실리콘탄화물의모놀리식주괴의제조방법에관한것이다: i) 폴리실리콘금속칩과탄소분말을포함하는혼합물을마개가달린원통형반응셀에도입하는단계; ii) 상기 i) 단계의원통형반응셀을밀봉하는단계; iii) 상기 ii) 단계의원통형반응셀을진공로(vacuum furnace)에도입하는단계; iv) 상기 iii) 단계의진공로를배기시키는단계; v) 상기 iv) 단계의진공로에대기압부근까지실질적으로불활성인가스인가스혼합물을충전시키는단계; vi) 상기 v) 단계의진공로내의상기원통형반응셀을 1600℃내지 2500℃의온도까지가열시키는단계; vii) 상기 vi) 단계의원통형반응셀 내의압력을 50torr 이하 0.05torr 이상까지감압시키는단계; 및 viii) 상기 vii) 단계의원통형반응셀의마개의안쪽상에증기의실질적인승화및 응결을허용하는단계.

57. 发明公开

KR1020150082346A 전이 금속 버퍼층을 구비한 나노와이어를 지닌 전자 디바이스, 적어도 하나의 나노와이어 성장 방법, 및 디바이스 제조 방법 审中-实审
标题翻译：包含NANOWIRE（S）的电子设备，提供过渡金属缓冲层，用于生产至少一个纳米级的方法和用于生产设备的方法
公开(公告)号：KR1020150082346A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：KR1020157013761
申请日：2013-10-25
申请人： 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 , 알레디아
发明人： 히요트,베란게레 , 암스타트,베오이트 , 아르만드,마리에-프랑코이제 , 두폰트,플로리안
IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/40 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/0676 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , C30B25/005 , C30B25/183 , C30B29/16 , C30B29/36 , C30B29/40 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L21/02104 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L29/401 , H01L29/413 , H01L29/6609 , H01L33/04 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/24 , Y10S977/762 , Y10S977/84 , Y10S977/932
摘要： 발명의전자디바이스는기판(1)과, 적어도하나의반도체나노와이어(2)와, 상기기판(1)과상기나노와이어(2) 사이에삽입되는버퍼층(3)을포함한다. 상기버퍼층(3)은전이금속나이트라이드층(9)에의해적어도부분적으로형성되고, 상기전이금속나이트라이드층으로부터상기나노와이어(2)가연장되며, 상기전이금속나이트라이드는바나듐나이트라이드, 크롬나이트라이드, 지르코늄나이트라이드, 니오븀나이트라이드, 몰리브덴나이트라이드, 하프늄나이트라이드, 또는탄탈륨나이트라이드로부터선택된다.
摘要翻译：电子器件包括衬底（1），介于衬底（1）和所述纳米线（2）之间的至少一个半导体纳米线（2）和缓冲层（3）。缓冲层（3）至少部分地由纳米线（2）延伸的过渡金属氮化物层（9）部分地形成，所述过渡金属氮化物选自：氮化钒，氮化铬，氮化锆，氮化铌，钼氮化物，氮化铪或氮化钽。

58. 发明授权

KR101533455B1 나노와이어 복합체 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：纳米复合材料及其制备方法
公开(公告)号：KR101533455B1
公开(公告)日：2015-07-03
申请号：KR20060031390
申请日：2006-04-06
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C30B29/62 , C23C16/045 , C30B25/005 , Y10S977/764 , Y10S977/784 , Y10S977/785 , Y10S977/953 , Y10S977/957
摘要： 본발명은다수의중공채널들을포함하는템플릿, 상기템플릿의각 채널내에형성된나노와이어및 상기템플릿의일부구간이제거되어단일의나노와이어또는다수의나노와이어들이노출되는기능부를포함하는것을특징으로하는나노와이어복합체및 그의제조방법에관한것이다. 본발명의나노와이어복합체는저가의단순공정에의해제조가가능하고소형으로제작이가능하므로공진기또는각종센서로용도전개가가능하다.

59. 发明授权

KR101079784B1 ＩｎＳｂＴｅ 나노와이어의 제조방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자 有权
标题翻译：用于形成InSbTe纳米线的方法和使用其的相变存储器件
公开(公告)号：KR101079784B1
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：KR1020100007311
申请日：2010-01-27
申请人： 충남대학교산학협력단
发明人： 윤순길 , 안준구
IPC分类号： B82B3/00 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/1616 , C30B25/005 , C30B29/46 , C30B29/605 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144 , Y10S977/891
摘要： 본발명은 300℃이하의저온에서상변화메모리재료인 In-Sb-Te의나노와이어를제조할수 있는방법및 이를이용한상변화메모리에관한것으로, 보다구체적으로 In, Sb 및 Te 전구체의증기를진공챔버내의기판상에서반응시키는유기금속화학증착법에의하며, 상기반응시의챔버내의압력이 7~15 Torr인것을특징으로하는유기금속화학증착법에의한 In-Sb-Te 나노와이어의제조방법및 이를이용한상변화메모리에관한것이다. 본발명에의하면종래기술에의한상변화소재인 GST의대체물질인 IST 나노와이어를 300℃이하의저온에서대량으로용이하게제조할수 있으므로상변화메모리소자에효율적으로활용할수 있다.

60. 发明公开

KR1020080114805A 단결정 화합물 반도체 물질 제조 방법 및 이를 이용해 제조된 단결정 화합물 반도체 물질 有权
标题翻译：使用纳米结构合金层和HVPE生产高品质化合物半导体材料的生长方法
公开(公告)号：KR1020080114805A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：KR1020087025217
申请日：2007-03-19
申请人： 나노간 리미티드
发明人： 왕,왕낭
IPC分类号： H01L21/20 , B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C30B25/005 , C30B23/007 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/406 , C30B29/48 , C30B33/00 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0265 , H01L21/02653 , Y10T428/24612
摘要： A method utilizes HVPE to grow high quality flat and thick compound semiconductors (15) onto foreign substrates (10) using nanostructure compliant layers. Nanostructures (12) of semiconductor materials can be grown on foreign substrates (10) by molecular beam epitaxy (MBE), chemical vapour deposition (CVD), metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) and hydride vapour phase epitaxy (HVPE). Further growth of continuous compound semiconductor thick films (15) or wafer is achieved by epitaxial lateral overgrowth using HVPE. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：一种使用HVPE的方法使用纳米结构柔性层将高质量的扁平和厚的化合物半导体（15）生长到异质衬底（10）上。半导体材料的纳米结构（12）可以通过分子束外延（MBE），化学气相沉积（CVD），金属有机化学气相沉积（MOCVD）和氢化物气相外延（HVPE）在异质基底（10）上生长。连续化合物半导体厚膜（15）或晶片的进一步生长通过使用HVPE的外延横向过度生长实现。 ®KIPO＆WIPO 2009

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