专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020110087741A ＩｎＳｂＴｅ 나노와이어의 제조방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자 有权
标题翻译：用于形成In-Sb-Te纳米微粒和相变记忆体器件的方法
公开(公告)号：KR1020110087741A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：KR1020100007311
申请日：2010-01-27
申请人： 충남대학교산학협력단
发明人： 윤순길 , 안준구
IPC分类号： B82B3/00 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/1616 , C30B25/005 , C30B29/46 , C30B29/605 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144 , Y10S977/891 , C23C16/305
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing indium-antimony-tellurium nanowire and a phase-change memory device using the same are provided to massively implement a manufacturing process at temperature lower than or equal to 300 degrees Celsius. CONSTITUTION: A method for manufacturing indium-antimony-tellurium nanowire is implemented based on an organic metal chemical vapor deposition process by reacting vapors of indium, antimony, tellurium precursors on a substrate which is arranged in a vacuum chamber. The temperature of the substrate is between 230 and 300 degrees Celsius, and the pressure in the chamber is between 7 and 15 Torr in case of the reaction. The indium precursor is In(CH_3)_3, In(C_2H_5)_3, In(C_11H_19O_2)_3, or In(OOCCH_3)_3. The antimony precursor is Sb(CH_3)_3, Sb(C_2H_5)_3, or Sb(i-C_3H_7)_3. The tellurium precursor is Te(CH_3)_2, Te(C_2H_5)_2, Te(i-C_3H_7)_2, or Te(t-C_4H_9)_2. A phase-change memory device includes the indium-antimony-tellurium nanowire.
摘要翻译：目的：提供一种制造铟 - 锑 - 碲纳米线的方法和使用该方法的相变型存储装置，以在300摄氏度以下的温度下大量实施制造工序。构成：铟 - 锑 - 碲纳米线的制造方法是通过将铟，锑，碲前体的蒸气反应在配置在真空室内的基板上的有机金属化学气相沉积法而实现的。基板的温度为230-300摄氏度，反应时室内的压力为7-15托。铟前体是In（CH_3）_3，In（C_2H_5）_3，In（C_11H_19O_2）_3或In（OOCCH_3）_3。锑前体是Sb（CH_3）_3，Sb（C_2H_5）_3或Sb（i-C_3H_7）_3。碲前体是Te（CH_3）_2，Te（C_2H_5）_2，Te（i-C_3H_7）_2或Te（t-C_4H_9）_2。相变存储器件包括铟 - 锑 - 碲纳米线。

2. 发明公开

KR1020110088607A 화학증착법에 의한 ＩｎＳｂＴｅ 박막의 형성방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자의 제조방법 有权
标题翻译：通过化学气相沉积法形成SB-TE薄膜的方法及使用其制造相变记忆体装置的方法
公开(公告)号：KR1020110088607A
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：KR1020100008175
申请日：2010-01-29
申请人： 충남대학교산학협력단
发明人： 윤순길 , 안준구
IPC分类号： H01L21/365 , H01L27/115 , H01L21/205
CPC分类号： C30B29/605 , C23C16/305 , C30B25/005 , C30B29/46 , H01L21/02521 , H01L21/0262 , H01L21/205 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144 , H01L45/1616 , Y10S977/891
摘要： PURPOSE: An In-Sb-Te(IST) membrane formation method and a phase change memory device manufacturing method using the same are provided to easily form the IST membrane as a substitution of Ge2Sb2Te5(GST) phase transition material in a low temperature lower than 300 Celsius using a metal-organic chemical vapor deposition technique. CONSTITUTION: An In-Sb-Te(IST) membrane formation method for a phase transition memory device uses a metal-organic chemical vapor deposition technique. The metal-organic chemical vapor deposition technique is performed by the vapor of In, Sb, and Te precursors interacting on a substrate in a vacuum chamber. During the interaction the temperature of the substrate is 150 to 230 Celsius and pressure is 1 to 15 Torr in the vacuum chamber or the temperature is 230 to 300 Celsius and pressure is 1 to 7 Torr.
摘要翻译：目的：提供In-Sb-Te（IST）膜形成方法和使用其的相变存储器件制造方法，以容易地形成IST膜，作为Ge2Sb2Te5（GST）相变材料在低于 300摄氏度，使用金属有机化学气相沉积技术。构成：用于相变存储器件的In-Sb-Te（IST）膜形成方法使用金属有机化学气相沉积技术。金属有机化学气相沉积技术由在真空室中的衬底上相互作用的In，Sb和Te前体的蒸气进行。在相互作用过程中，真空室内的温度为150〜230℃，压力为1〜15乇，温度为230〜300℃，压力为1〜7乇。

3. 发明授权

KR100946312B1 진공증착 장비용 세라믹 및 금속 타겟의 제조 방법 有权
标题翻译：用于真空沉积的陶瓷和金属靶的制备方法
公开(公告)号：KR100946312B1
公开(公告)日：2010-03-08
申请号：KR1020070111918
申请日：2007-11-05
申请人： 충남대학교산학협력단
发明人： 윤순길 , 이수진 , 안준구 , 허성기
IPC分类号： C23C16/34 , B22F3/00
摘要： 본 발명은 진공증착 장비용 세라믹 및 금속 타겟의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 분말 야금법에 의한 진공증착 장비용 세라믹 및 금속 타겟 제조 방법에 있어서 소결단계가 A) 종위 위에 접착제층을 형성하는 단계; B) 상기 접착제 층에 세터 분말을 뿌려 세터 분말층을 형성하는 단계; C) 상기 B) 단계에서 접착체에 접착되지 않은 과량의 세터 분말을 제거하는 단계; 및 D) 기판 위에 세터 분말 층이 위로 향하도록 세터 분말이 도포된 종이를 놓고 그 위에 성형체를 위치시킨 후 소성로에서 소결하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 진공증착 장비용 세라믹 및 금속 타겟의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명으로 제조된 타겟은 휨이 거의 없으며 그에 따라 정해진 규격을 맞추기 위한 후공정인 내,외경 연삭의 량과 시간을 절약하여 코스트를 줄일 수 있을 뿐 아니라, 연삭으로 인한 폐기물의 배출량을 줄여 환경적인 측면에도 이점이 있다.
소결, 세라믹 타겟, 금속 타겟, 분말 야금

4. 发明授权

KR101092424B1 화학증착법에 의한 ＩｎＳｂＴｅ 박막의 형성방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자의 제조방법 有权
标题翻译：通过化学气相沉积法形成In-Sb-Te薄膜的方法和使用该方法制造相变存储器件的方法
公开(公告)号：KR101092424B1
公开(公告)日：2011-12-09
申请号：KR1020100008175
申请日：2010-01-29
申请人： 충남대학교산학협력단
发明人： 윤순길 , 안준구
IPC分类号： H01L21/365 , H01L27/115 , H01L21/205
摘要： 본발명은 300℃이하의저온에서상변화메모리재료인 In-Sb-Te의박막을제조할수 있는방법및 이를이용한상변화메모리소자의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로 In, Sb 및 Te의소스증기를진공챔버내의기판상에서반응시키는유기금속화학증착법에의하며, 상기반응시의챔버내의압력이상기반응시 기판의온도가 150~230℃이고챔버내의압력이 1~15 Torr이거나, 기판의온도가 230~300℃이고챔버내의압력이 1~7 Torr인것을특징으로하는유기금속화학증착법에의한상변화메모리소자용 In-Sb-Te 박막의형성방법및 이를이용한상변화메모리소자의제조방법에관한것이다. 본발명에의하면종래기술에의한상변화소재인 GST의대체물질인 IST 박막을 300℃이하의저온에서용이하게형성할수 있으며, 트렌치구조를높은 step-coverage로채울수 있어상변화메모리소자의제조에효율적으로활용할수 있다.

5. 发明公开

KR1020090046017A 진공증착 장비용 세라믹 및 금속 타겟의 제조 방법 有权
标题翻译：用于真空沉积的陶瓷和金属靶的制备方法
公开(公告)号：KR1020090046017A
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：KR1020070111918
申请日：2007-11-05
申请人： 충남대학교산학협력단
发明人： 윤순길 , 이수진 , 안준구 , 허성기
IPC分类号： C23C16/34 , B22F3/00
摘要： 본 발명은 진공증착 장비용 세라믹 및 금속 타겟의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 분말 야금법에 의한 진공증착 장비용 세라믹 및 금속 타겟 제조 방법에 있어서 소결단계가 A) 종위 위에 접착제층을 형성하는 단계; B) 상기 접착제 층에 세터 분말을 뿌려 세터 분말층을 형성하는 단계; C) 상기 B) 단계에서 접착체에 접착되지 않은 과량의 세터 분말을 제거하는 단계; 및 D) 기판 위에 세터 분말 층이 위로 향하도록 세터 분말이 도포된 종이를 놓고 그 위에 성형체를 위치시킨 후 소성로에서 소결하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 진공증착 장비용 세라믹 및 금속 타겟의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명으로 제조된 타겟은 휨이 거의 없으며 그에 따라 정해진 규격을 맞추기 위한 후공정인 내,외경 연삭의 량과 시간을 절약하여 코스트를 줄일 수 있을 뿐 아니라, 연삭으로 인한 폐기물의 배출량을 줄여 환경적인 측면에도 이점이 있다.
소결, 세라믹 타겟, 금속 타겟, 분말 야금

6. 发明授权

KR101079784B1 ＩｎＳｂＴｅ 나노와이어의 제조방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자 有权
标题翻译：用于形成InSbTe纳米线的方法和使用其的相变存储器件
公开(公告)号：KR101079784B1
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：KR1020100007311
申请日：2010-01-27
申请人： 충남대학교산학협력단
发明人： 윤순길 , 안준구
IPC分类号： B82B3/00 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/1616 , C30B25/005 , C30B29/46 , C30B29/605 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144 , Y10S977/891
摘要： 본발명은 300℃이하의저온에서상변화메모리재료인 In-Sb-Te의나노와이어를제조할수 있는방법및 이를이용한상변화메모리에관한것으로, 보다구체적으로 In, Sb 및 Te 전구체의증기를진공챔버내의기판상에서반응시키는유기금속화학증착법에의하며, 상기반응시의챔버내의압력이 7~15 Torr인것을특징으로하는유기금속화학증착법에의한 In-Sb-Te 나노와이어의제조방법및 이를이용한상변화메모리에관한것이다. 본발명에의하면종래기술에의한상변화소재인 GST의대체물질인 IST 나노와이어를 300℃이하의저온에서대량으로용이하게제조할수 있으므로상변화메모리소자에효율적으로활용할수 있다.

7. 发明授权

KR100522551B1 화학 기상 증착법에 의해 제조된 리튬 2차 박막 전지 有权
标题翻译：由MOCVD制造的锂可充电薄膜电池
公开(公告)号：KR100522551B1
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：KR1020030048546
申请日：2003-07-16
申请人： 충남대학교산학협력단
发明人： 조상인 , 최운기 , 안준구 , 최은석 , 윤순길
IPC分类号： H01M4/64
摘要： 본 발명은 박막형 전지의 유효 면적을 증가시키기 위하여 트렌치 구조를 사용하는 전지 구조에 있어서 넓은 면적의 확보와 트렌치 구조의 단차 피복성을 확보하기 위하여 화학 기상 증착법으로 컬렉터, 캐소드 및 전해질(Electrolyte)을 형성하는 것이다. 화학 기상 증착법의 도입은 물리적 제조 방법으로는 트렌치 구조에서 높은 단차 피복성의 확보가 어려운 단점을 극복할 수 있다. 화학 기상 증착법으로 캐소드와 전해질, 전해질과 애노드의 접촉 면적을 증가시키면 면적당 충전 및 방전하는 캐소드의 양이 증가되기 때문에 고용량을 얻을 수 있는 전지를 형성할 수 있다.

8. 发明公开

KR1020050009326A 화학 기상 증착법에 의해 제조된 리튬 2차 박막 전지 有权
标题翻译：化学蒸气沉积过程获得的具有高容量性能的薄膜型锂离子二次电池
公开(公告)号：KR1020050009326A
公开(公告)日：2005-01-25
申请号：KR1020030048546
申请日：2003-07-16
申请人： 충남대학교산학협력단
发明人： 조상인 , 최운기 , 안준구 , 최은석 , 윤순길
IPC分类号： H01M4/64
摘要： PURPOSE: Provided is a thin film type lithium secondary battery obtained by a chemical vapor deposition process, which shows increased electrostatic capacity by virtue of an increase in gap coatability. CONSTITUTION: The thin film type lithium secondary battery comprises a collector(1), cathode(2) and an electrolyte(3), wherein the collector(1) is formed by a chemical vapor deposition process. The cathode(2) may be formed by a chemical vapor deposition process. Additionally, the electrolyte(3) is formed by any one process selected from a sputtering process, pulsed laser deposition process and chemical vapor deposition process.
摘要翻译：目的：提供通过化学气相沉积法获得的薄膜型锂二次电池，其通过间隙涂布性的增加显示出增加的静电容量。构成：薄膜型锂二次电池包括集电体（1），阴极（2）和电解质（3），其中集电体（1）通过化学气相沉积工艺形成。阴极（2）可以通过化学气相沉积工艺形成。此外，电解质（3）由选自溅射工艺，脉冲激光沉积工艺和化学气相沉积工艺中的任何一种工艺形成。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式