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51. 发明申请

WO2017009331A1 BAUELEMENT MIT VERBESSERTEN AUSKOPPELEIGENSCHAFTEN 审中-公开
标题翻译：具有改进的AUSKOPPELEIGENSCHAFTEN COMPONENT
公开(公告)号：WO2017009331A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/EP2016/066525
申请日：2016-07-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MAUTE, Markus , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , SCHWARZ, Thomas , SABATHIL, Matthias , WIRTH, Ralph , LINKOV, Alexander , BAUR, Johannes
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine aktive Schicht (23) aufweist, die im Betrieb des Bauelements zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung (L) eingerichtet ist. Das Bauelement weist außerdem eine elektrische Kontaktschicht (61) auf einer Strahlungsaustrittsfläche auf, wobei das Bauelement in unmittelbarer Umgebung der elektrischen Kontaktschicht eine Abschirmungsstruktur (4) enthält, die dazu eingerichtet ist, ein Auftreffen der von der aktiven Schicht erzeugten elektromagnetischen Strahlung auf die Kontaktschicht zu verhindern.
摘要翻译：据上述（1）和，布置在所述载体上的半导体主体（2），具有载体的组件（100），其中，具有在装置的操作过程中的活性层（23），该组（L），用于产生电磁辐射的半导体主体是。该装置还包括适于产生从所述接触层上的有源层的电磁辐射所产生的的冲击上的辐射出射表面上的电接触层（61），其中，在所述电接触层的附近，该装置包括一个屏蔽结构（4）预防。

52. 发明申请

WO2015189281A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2015189281A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：PCT/EP2015/062959
申请日：2015-06-10
申请人： OSRAM GMBH , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LANGE, Stefan , STÖPPELKAMP, Vera , JERMANN, Frank , BIEBERSDORF, Andreas , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/504 , H01L33/04 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung. Mindestens ein Leuchtstoff (3) zur teilweisen oder vollständigen Umwandlung der Primärstrahlung in eine langwelligere Sekundärstrahlung, die im sichtbaren Spektralbereich liegt, ist dem Halbleiterchip (2) nachgeordnet. Weiterhin weist das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Filterstoff (4) zur teilweisen Absorption der Sekundärstrahlung auf. Der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) sind dabei innig mit dem Halbleiterchip (2) verbunden.
摘要翻译：在至少一个实施例中，光电子半导体器件（1）包括用于产生初级辐射的光电子半导体芯片（2）。至少一种发光材料（3）的初级辐射的部分或完全转化成在可见光谱区中更长的波长的次级辐射，是在半导体芯片（2）的下游。此外，光电子半导体器件（1）到滤布（4）的二次辐射的部分吸收。荧光体（3）和滤布（4）紧密地连接到半导体芯片（2）。

53. 发明授权

EP1807879B1 Optoelektronischer Dünnfilmchip 有权转让
公开(公告)号：EP1807879B1
公开(公告)日：2020-01-22
申请号：EP05802534.7
申请日：2005-09-27
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： STREUBEL, Klaus , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/20

54. 发明授权

EP1964183B1 LUMINESZENZDIODENCHIP MIT STROMAUFWEITUNGSSCHICHT 有权
标题翻译：具有功率扩展层的发光二极管芯片
公开(公告)号：EP1964183B1
公开(公告)日：2018-01-03
申请号：EP06828550.1
申请日：2006-11-21
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： HAHN, Berthold , WIRTH, Ralph , ALBRECHT, Tony , AHLSTEDT, Magnus , ILLEK, Stefan , STREUBEL, Klaus
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/42

55. 发明授权

EP2359668B1 OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG 有权
标题翻译：光电子器件
公开(公告)号：EP2359668B1
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：EP09774905.5
申请日：2009-12-14
申请人： Osram Opto Semiconductors Gmbh
发明人： WIRTH, Ralph , KLEIN, Markus
IPC分类号： H05B33/08
CPC分类号： H05B33/0869 , H05B33/0872

56. 发明授权

EP1307928B1 LICHTEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 有权
标题翻译：用于发光半导体芯片和方法及其
公开(公告)号：EP1307928B1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：EP01984505.6
申请日：2001-08-08
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： ILLEK, Stefan , PLÖSSL, Andreas , STREUBEL, Klaus , WEGLEITER, Walter , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/10 , H01L33/30 , H01L33/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

57. 发明授权

EP1222696B1 OBERFLÄCHENSTRUKTURIERTE LICHTEMISSIONSDIODE MIT VERBESSERTER STROMEINKOPPLUNG 有权
标题翻译：具有改进的电流注入的表面结构化发光二极管
公开(公告)号：EP1222696B1
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：EP00972599.5
申请日：2000-09-21
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： WIRTH, Ralph , STREUBEL, Klaus
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L2933/0091

58. 发明公开

EP2494616A1 OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTO-ELECTRONIC COMPONENT 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：EP2494616A1
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：EP10773869.2
申请日：2010-10-05
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： BARCHMANN, Bernd , KALTENBACHER, Axel , STATH, Norbert , WEGLEITER, Walter , WEIDNER, Karl , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L33/62 , H01L25/075
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0753 , H01L2224/24998 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to an optoelectronic component comprising a carrier body (3) having a connection area (5). A semiconductor chip (7) is disposed on the carrier body (3). A contact area (10) is applied to the surface (8) of the semiconductor chip (7) facing away from the carrier body (3). The connection area (5) is electrically conductively connected to the contact region (10) by means of a self-supporting conductor structure (13). The invention relates to a method for producing an optoelectronic component.

59. 发明公开

EP2351461A1 OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG 有权
标题翻译：亚光电子设备
公开(公告)号：EP2351461A1
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：EP09799503.9
申请日：2009-11-13
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： WIRTH, Ralph
IPC分类号： H05B33/08
CPC分类号： H05B33/0857 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to an optoelectronic device for emitting mixed light comprising light in a first and a second wavelength range. Said device comprises in particular a first semiconductor light source (1) with a first light-emitting diode (11), which during operation emits light in the first wavelength range with a first intensity, a second semiconductor light source (2) with a second light-emitting diode (21), which during operation emits light in the second wavelength range with a second intensity, the first and the second wavelength ranges being different from one another, and a resistance element (3) comprising a temperature-dependent electric resistor. The first wavelength range and/or the first intensity of the light emitted by the first semiconductor light source (1) has or have a first temperature dependence and the second wavelength range and/or the second intensity of the light emitted by the second semiconductor light source (2) has or have a second temperature dependence that differs from the first temperature dependence, the resistance element (3) and the first semiconductor light source (1) form a series circuit (4) and the series circuit (4) and the second semiconductor light source (2) form a parallel circuit (5).

60. 发明公开

EP2319097A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：EP2319097A1
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：EP09776012.8
申请日：2009-07-23
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： LINDER, Norbert , WIESMANN, Christopher , WIRTH, Ralph , STANLEY, Ross , HOUDRE, Romuald
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/46
摘要： A semiconductor chip is specified, comprising an active layer (2) provided for emitting an electromagnetic radiation, and a two-dimensional arrangement of structure units (5), which is disposed downstream of the active layer in a main emission direction (6) of the semiconductor chip. The structure units (5) are arranged in an arbitrary statistical distribution. A semiconductor chip having a directional emission characteristic can be realized by means of such an arrangement of structure units.

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