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51. 发明公开

KR1020170130665A 실리콘 기판의 전처리제 및 이를 이용한 실리콘 기판의 식각 방법 审中-实审
标题翻译：硅基板的预处理剂及使用其的硅基板的蚀刻方法
公开(公告)号：KR1020170130665A
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：KR1020160060875
申请日：2016-05-18
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 유호성 , 한승현 , 장욱
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/04 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/324
摘要： 본발명은실리콘기판의전처리제및 이를이용한실리콘기판의식각방법에관한것이며, 보다상세하게는실리콘기판을전처리함으로써실리콘산화막대비실리콘질화막에대한식각선택비를향상시킴과동시에식각중 실리콘계파티클의생성을억제하는것이가능한실리콘기판의식각방법에관한것이다. 본발명에따르면, 실리콘산화막의표면에존재하는실리콘-하이드록시기(-Si-OH)에보호기를부착함으로써식각중 무기산에의해실리콘산화막이식각되는비율을줄여결과적으로실리콘산화막대비실리콘질화막에대한식각선택비를향상시키는것이가능하다. 또한, 본발명에따르면, 실리콘산화막의표면에존재하는실리콘-하이드록시기(-Si-OH)에보호기를부착함으로써식각중 또는식각후 세정중 실리콘산화막내 실리콘-하이드록시기(-Si-OH)가실리콘계파티클의소스로서작용하는것을방지함에따라실리콘계파티클의생성을억제할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及的引物的蚀刻方法，并使用相同的硅衬底，更具体地涉及生产提高氮化硅膜的蚀刻选择比在氧化硅膜锡金，在蚀刻的同时硅基颗粒的硅衬底，通过预处理硅衬底用于能够抑制硅衬底的蚀刻的硅衬底的蚀刻方法。根据本发明，硅的氧化硅羟基（-Si-OH）的表面上存在通过将呼出EVO减少在该氧化硅膜是由无机酸的蚀刻来蚀刻作为氮化硅膜的过氧化硅膜的结果，速率可以改善蚀刻选择比率。根据本发明，硅的氧化硅羟基（-Si-OH）通过氧化硅的蚀刻或硅膜，然后蚀刻所述洗涤羟基的（-Si-OH EVO呼气粘附的表面上存在）被阻止用作硅基颗粒的来源，可以抑制硅基颗粒的产生。

52. 发明授权

KR101733289B1 실리콘 질화막 식각 용액 有权
公开(公告)号：KR101733289B1
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150091005
申请日：2015-06-26
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 한승현 , 장욱 , 권유미
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/06 , H01L21/306
摘要： 본발명은실리콘질화막식각용액에관한것이며, 보다상세하게는반도체제조공정에서습식식각하는경우실리콘산화막에비해실리콘질화막에대한식각선택비가높은식각용액에관한것이다.

53. 发明授权

KR101664625B1 황인의 정제방법 有权
标题翻译：黄磷的纯化
公开(公告)号：KR101664625B1
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：KR1020140188707
申请日：2014-12-24
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 한승현 , 장욱 , 이연희
IPC分类号： C01B25/047
CPC分类号： C01B25/047
摘要： 본발명은황인의정제방법에관한것으로, 구체적으로는황인에산화제를넣고교반하여황인으로부터불순물을제거하는단계; 상기불순물이제거된황인에화학식구조내 특정작용기를갖는첨가제를포함하는용액을넣고교반하여불순물을제거하는단계;를포함함으로써, 인산의원료로사용되는황인으로부터불순물을효과적으로제거하여, 인산의순도를높이는방법에관한것이다.

54. 发明公开

KR1020160078708A 황인의 정제방법 有权
标题翻译：黄磷的纯化
公开(公告)号：KR1020160078708A
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：KR1020140188707
申请日：2014-12-24
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 한승현 , 장욱 , 이연희
IPC分类号： C01B25/047
CPC分类号： C01B25/047 , C01B25/20
摘要： 본발명은황인의정제방법에관한것으로, 구체적으로는황인에산화제를넣고교반하여황인으로부터불순물을제거하는단계; 상기불순물이제거된황인에화학식구조내 특정작용기를갖는첨가제를포함하는용액을넣고교반하여불순물을제거하는단계;를포함함으로써, 인산의원료로사용되는황인으로부터불순물을효과적으로제거하여, 인산의순도를높이는방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及黄磷的纯化方法。更具体地说，黄磷的纯化方法包括以下步骤：通过将氧化剂与黄磷混合来从黄磷中除去杂质; 并且通过将包含化学结构中具有特定官能团的添加剂的溶液加入除去杂质的黄磷中除去杂质，并混合所得产物。净化方法有效地除去用作磷酸原料的黄磷中的杂质，从而提高磷酸的纯度。添加剂由化学式1表示，其中R是具有1-5个碳原子的烷基。

55. 发明授权

KR101600184B1 인산 용액 내 금속이온의 제거방법 有权
标题翻译：磷酸的纯化
公开(公告)号：KR101600184B1
公开(公告)日：2016-03-07
申请号：KR1020140091303
申请日：2014-07-18
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 한승현 , 장욱
IPC分类号： C01B25/234 , C01B25/238 , B01D15/04 , B01J49/00
CPC分类号： C01B25/238 , B01J39/05
摘要： 본발명은인산용액내 금속이온의제거방법에관한것으로, 구체적으로는이온교환수지를산 용액에통과시켜이온교환수지를활성화하는단계; 상기활성화된이온교환수지를수지탑에충진하고, 초순수로세정하는단계; 및상기세정된이온교환수지에인산용액을통액하는단계를포함함으로써, 인산용액내 존재하는산화수 2~7의금속이온의농도를 100ppb 미만으로낮출수 있는방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种去除磷酸溶液中的金属离子的方法，特别涉及一种除去磷酸溶液中金属离子的方法，该方法包括使离子交换树脂通过酸溶液活化离子交换的步骤树脂; 用活化的离子交换树脂填充树脂塔并用超纯水洗涤的步骤，以及使磷酸溶液通过洗涤的离子交换树脂的步骤，从而使各个浓度的金属离子具有氧化数在磷酸溶液中的2至7小于100ppb。

56. 发明公开

KR1020160010832A 인산 용액 내 금속이온의 제거방법 有权
标题翻译：磷酸的纯化
公开(公告)号：KR1020160010832A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：KR1020140091303
申请日：2014-07-18
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 한승현 , 장욱
IPC分类号： C01B25/234 , C01B25/238 , B01D15/04 , B01J49/00
CPC分类号： C01B25/238 , B01J39/05
摘要： 본발명은인산용액내 금속이온의제거방법에관한것으로, 구체적으로는이온교환수지를산 용액에통과시켜이온교환수지를활성화하는단계; 상기활성화된이온교환수지를수지탑에충진하고, 초순수로세정하는단계; 및상기세정된이온교환수지에인산용액을통액하는단계를포함함으로써, 인산용액내 존재하는산화수 2~7의금속이온의농도를 100ppb 미만으로낮출수 있는방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种去除磷酸溶液中的金属离子的方法，更具体地说，涉及一种将磷酸溶液中氧化数为2至7的金属离子的浓度降低至低于100ppb的方法。该方法包括：使酸溶液通过离子交换树脂活化离子交换树脂的步骤; 用活化的离子交换树脂填充树脂塔并用去离子水冲洗的步骤; 以及使磷酸溶液通过漂洗后的离子交换树脂的工序。

57. 发明授权

KR101464881B1 금속 제거용 킬레이트제를 포함하는 웨이퍼 세정용 알칼리 수용액 有权
标题翻译： ALKALI水溶液，包括用于清洗的金属螯合剂
公开(公告)号：KR101464881B1
公开(公告)日：2014-11-25
申请号：KR1020130066086
申请日：2013-06-10
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 장욱 , 박종희 , 오지숙
IPC分类号： C11D7/32 , C11D7/06
CPC分类号： C11D7/3245 , C11D7/06 , C11D7/3209
摘要： 질소를 함유하는 카르복실산 또는 카르복실산염의 화합물이고, 분자량이 50 내지 200이고, 2 내지 6의 배위수를 갖는 금속 제거용 킬레이트제를 포함하는 웨이퍼 세정용 알칼리 수용액을 제공한다.
摘要翻译：本发明提供一种用于晶片清洗的碱的水溶液，包括除去金属的螯合剂，其是含有氮的羧酸和羧酸的化合物，分子量为50-200，配位数为2-6。包括用于除去金属的螯合剂的用于晶片清洁的碱水溶液具有优异的金属螯合能力，并且具有在硅晶片清洗和蚀刻工艺期间不被引发的螯合剂的工艺稳定性高的优点，尽管碱组分是用于高浓度。

58. 发明公开

KR1020130099386A 알칼리성 용액의 오염물질 제거장치 및 방법 无效
标题翻译：消除碱性溶液污染物的装置和方法
公开(公告)号：KR1020130099386A
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：KR1020120020858
申请日：2012-02-29
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 한지현 , 장욱 , 이상서 , 이재영 , 이재광 , 김진원 , 김종원
IPC分类号： B01D17/06 , B01D35/06 , C02F1/46 , C25B9/00
CPC分类号： Y02W10/37 , B01D17/06 , B01D35/06 , C02F1/463 , C25B9/00
摘要： PURPOSE: A device for removing alkaline solution pollutants and a method thereof are provided to produce high purity caustic soda by reducing the concentration of impurities dissolved in an alkaline solution. CONSTITUTION: A method for removing alkaline solution pollutants comprises: a step of injecting an alkaline solution into a reactor (10); a step of applying a current to electrodes (12, 13) installed inside the reactor; a step of removing impure ions included in the alkaline solution from the surface of the electrode; and a step of discharging the alkaline solution into a processing water storage tank. [Reference numerals] (AA) Caustic soda
摘要翻译：目的：提供一种去除碱性溶液污染物的方法及其方法，通过降低溶解在碱性溶液中的杂质浓度来生产高纯度苛性钠。构成：去除碱性溶液污染物的方法包括：将碱性溶液注入反应器（10）的步骤; 向安装在反应器内部的电极（12,13）施加电流的步骤; 从电极的表面除去包含在碱性溶液中的不纯的离子的步骤; 以及将碱性溶液排出到处理用储水箱中的步骤。（标号）（AA）苛性钠

59. 发明授权

KR101270560B1 금속막 식각용 조성물 有权
标题翻译：用于蚀刻金属层的组合物
公开(公告)号：KR101270560B1
公开(公告)日：2013-06-03
申请号：KR1020100112948
申请日：2010-11-12
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 장욱 , 박종희 , 김지찬 , 한지현 , 양세인
IPC分类号： C23F1/44 , C23F1/10
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/32134 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66742
摘要： 본 발명은 금속막 식각용 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 산화제, 식각 조정제, 킬레이트제, 언더컷 방지제, 구리식각 억제제, 잔사 제거제 및 잔량의 물을 포함하는 평판디스플레이용 박막트랜지스터내 게이트 전극 및 데이터 전극으로 사용되는 금속막, 특히 구리, 몰리브덴, 티타늄 및 몰리브텐-티타늄 합금 중에서 선택한 1 종 이상을 포함한, 단일막 또는 다중막을 일괄 습식 식각하는 식각용 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 식각 공정에 적용시 새로운 킬레이트제를 활용하여 산화제와 구리 이온과의 급격한 반응을 억제함으로서 식각액의 수명과 안정성이 우수하며, 식각된 금속막의 경사각이 완만하고 CD 손실을 적절히 제어하며, 하부 몰리브덴, 티타늄 또는 몰리브덴-티타늄 합금막의 잔사를 억제하는 좋은 식각 프로파일을 얻을 수 있다. 또한, 휘발 억제제를 추가로 포함할 경우 식각 장비내 석출물 및 이물이 잘 발생되지 않기 때문에 식각 장비 운용에 대한 생산성 향상과 불량율 감소가 가능하다.

60. 发明授权

KR101178764B1 초미세 이온 제거 시스템 및 방법 有权
标题翻译：在溶液中去除离子的系统和方法
公开(公告)号：KR101178764B1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：KR1020100132414
申请日：2010-12-22
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 장욱 , 한지현 , 김지찬 , 이재영 , 이재광 , 김종원
IPC分类号： C02F1/463 , C02F1/469 , C02F1/461 , C02F1/58
摘要： 본 발명은 초미세 이온 제거 시스템 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 용액 내 용해되어 있는 환원 대상 이온의 효과적인 제거를 위한 초미세 이온 제거 시스템 및 방법에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명은, 금속전극과 이 금속전극의 일면 또는 양면에 일체로 형성된 탄소층으로 이루어진 복합 전극을 포함하여 구성되고, 상기 복합 전극에 인가하는 전압 세기를 단계적으로 조절함에 의해 용액에 용해되어 있는 이온의 흡착, 환원 및 탈리 단계를 교번적으로 수행하여 금속 이온을 선택적으로 제거하도록 된 것을 특징으로 하는 초미세 이온 제거 시스템을 제공한다.

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