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51. 发明专利

TWI475708B 利用流量梯度設計以沉積均勻矽膜之方法與設備有权
简体标题：利用流量梯度设计以沉积均匀硅膜之方法与设备
公开(公告)号：TWI475708B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW097133468
申请日：2008-09-01
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 元泰景 , WON, TAE KYUNG , 懷特約翰M , WHITE, JOHN M.
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/20
CPC分类号： Y02P70/521

52. 发明专利

TW201503444A 有機發光二極體元件及包括其之封裝結構的沉積方法审中-公开
简体标题：有机发光二极管组件及包括其之封装结构的沉积方法
公开(公告)号：TW201503444A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103107322
申请日：2014-03-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔永鎮 , CHOI, YOUNG JIN , 朴範洙 , PARK, BEOM SOO , 崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/5253 , H01L33/0075 , H01L33/44 , H01L33/52 , H01L33/56
摘要：在此敘述用於沉積無機層至基板上的一種方法以及設備。無機層可為用於各種顯示應用之封裝膜的一部分。封裝膜包括做為阻隔層的一或多層無機層以改善防水效能。在無機層的沉積過程中導入包含氧的氣體，如一氧化二氮。如此一來，無機層的應力較低且可獲得小於每天每平方公尺100毫克的水氣穿透率(Water Vapor Transmission Rate,WVTR)。
简体摘要：在此叙述用于沉积无机层至基板上的一种方法以及设备。无机层可为用于各种显示应用之封装膜的一部分。封装膜包括做为阻隔层的一或多层无机层以改善防水性能。在无机层的沉积过程中导入包含氧的气体，如一氧化二氮。如此一来，无机层的应力较低且可获得小于每天每平方公尺100毫克的水汽穿透率(Water Vapor Transmission Rate,WVTR)。

53. 发明专利

TWI455192B 避免在ＰＥＣＶＤ製程腔壁上沉積薄膜的設備及方法有权
简体标题：避免在ＰＥＣＶＤ制程腔壁上沉积薄膜的设备及方法
公开(公告)号：TWI455192B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW096148312
申请日：2007-12-17
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：朴範秀 , PARK, BEOM SOO , 泰內羅賓L , TINER, ROBIN L. , 崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 懷特約翰M , WHITE, JOHN M.
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/4585 , C23C16/4586 , H01J37/32495 , H01J37/32623

54. 发明专利

TWI441941B 用於腔室抽氣之偏置襯墊有权
简体标题：用于腔室抽气之偏置衬垫
公开(公告)号：TWI441941B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW097140351
申请日：2008-10-21
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：泰內爾羅賓L , TINER, ROBIN L. , 安瓦蘇華 , ANWAR, SUHAIL , 古田學 , FURUTA, GAKU , 崔永鎮 , CHOI, YOUNG JIN , 朴範洙 , PARK, BEOM SOO , 崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 懷特約翰M , WHITE, JOHN M.
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： H01J37/32357 , C23C16/4404 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32834

55. 外观设计

TWD160524S 具有加熱器的基座有权
简体标题：具有加热器的基座
公开(公告)号：TWD160524S
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW102301193
申请日：2013-02-08
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
设计人：古田學 , FURUTA, GAKU , 懷特約翰 , WHITE, JOHN M. , 廷訥羅賓 , TINER, ROBIN L. , 安華蘇海 , ANWAR, SUHAIL , 崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG

56. 发明专利

TW201133646A 具有多個摻雜矽層之薄膜電晶體 THIN FILM TRANSISTORS HAVING MULTIPLE DOPED SILICON LAYERS 审中-公开
简体标题：具有多个掺杂硅层之薄膜晶体管 THIN FILM TRANSISTORS HAVING MULTIPLE DOPED SILICON LAYERS
公开(公告)号：TW201133646A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099137226
申请日：2010-10-29
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：古田學 , 崔壽永 , 大森研治
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66765 , G02F1/1362 , H01L29/78618
摘要：本發明之實施例係大致上關於TFT及其製造方法。在此揭示之TFT是矽系TFT，其中主動通道包含非晶矽。多個摻雜矽層係沉積在非晶矽上方，其中摻雜矽層之電阻率在和非晶矽層的界面處比在和源極及汲極電極的界面處更高。替代地，單一摻雜矽層係沉積在非晶矽上方，其中單一摻雜層之性質係在厚度中改變。在和源極及汲極電極的界面處具有較低電阻率是較佳的，但是較低電阻率通常意謂著較低的基材產能。藉由使用多個或分級層，可達到低電阻率。在此揭示之實施例係包括低電阻率而不會犧牲基材產能。
简体摘要：本发明之实施例系大致上关于TFT及其制造方法。在此揭示之TFT是硅系TFT，其中主动信道包含非晶硅。多个掺杂硅层系沉积在非晶硅上方，其中掺杂硅层之电阻率在和非晶硅层的界面处比在和源极及汲极电极的界面处更高。替代地，单一掺杂硅层系沉积在非晶硅上方，其中单一掺杂层之性质系在厚度中改变。在和源极及汲极电极的界面处具有较低电阻率是较佳的，但是较低电阻率通常意谓着较低的基材产能。借由使用多个或分级层，可达到低电阻率。在此揭示之实施例系包括低电阻率而不会牺牲基材产能。

57. 发明专利

TW201001561A 低溫薄膜電晶體製程、裝置特性、和裝置穩定性改進 LOW TEMPERATURE THIN FILM TRANSISTOR PROCESS, DEVICE PROPERTY, AND DEVICE STABILITY IMPROVEMENT 审中-公开
简体标题：低温薄膜晶体管制程、设备特性、和设备稳定性改进 LOW TEMPERATURE THIN FILM TRANSISTOR PROCESS, DEVICE PROPERTY, AND DEVICE STABILITY IMPROVEMENT
公开(公告)号：TW201001561A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098112847
申请日：2009-04-17
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：楊雅棠 , 朴範洙 , 元泰景 , 崔壽永 , 懷特約翰M
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L29/66765
摘要：一種用以形成一薄膜電晶體的方法和設備。一閘極介電層形成，它可能是雙層的，第一層沉積以一低速率沉積，而第二層則以一高速率沉積。在一些實施例中，該第一介電層是一富矽氮化矽層。一主動層形成，它亦可能是雙層的，第一主動層以一低速率沉積，而第二主動層則以一高速率沉積。本文所述之薄膜電晶體具有優良的遷移率和壓力下的穩定度。
简体摘要：一种用以形成一薄膜晶体管的方法和设备。一闸极介电层形成，它可能是双层的，第一层沉积以一低速率沉积，而第二层则以一高速率沉积。在一些实施例中，该第一介电层是一富硅氮化硅层。一主动层形成，它亦可能是双层的，第一主动层以一低速率沉积，而第二主动层则以一高速率沉积。本文所述之薄膜晶体管具有优良的迁移率和压力下的稳定度。

58. 发明专利

TW200949904A 微晶矽膜電晶體 MICROCRYSTALLINE SILICON THIN FILM TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：微晶硅膜晶体管 MICROCRYSTALLINE SILICON THIN FILM TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200949904A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098101945
申请日：2009-01-19
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：元泰景 , 崔壽永 , 朴範洙 , 任東吉 , 陳志堅
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/04 , C23C16/26 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L29/66742 , H01L29/7866
摘要：揭示在薄膜電晶體結構中形成微晶矽層的方法。在一實施方式中，一種形成微晶矽層的方法，包括：提供一基板至一處理腔室中；提供一包含氫系氣體、矽系氣體和氩氣的氣體混合物至該處理腔室中，該氣體混合物中氫系氣體與矽系氣體的體積流率比大於100:1，其中氩氣的體積流率比佔氫系氣體與矽系氣體兩者總氣流的約5％至40％；以及在沉積一微晶矽層到該基板上時，維持該處理腔室中該氣體混合物之一處理壓力在大於約3 torr的範圍。
简体摘要：揭示在薄膜晶体管结构中形成微晶硅层的方法。在一实施方式中，一种形成微晶硅层的方法，包括：提供一基板至一处理腔室中；提供一包含氢系气体、硅系气体和氩气的气体混合物至该处理腔室中，该气体混合物中氢系气体与硅系气体的体积流率比大于100:1，其中氩气的体积流率比占氢系气体与硅系气体两者总气流的约5％至40％；以及在沉积一微晶硅层到该基板上时，维持该处理腔室中该气体混合物之一处理压力在大于约3 torr的范围。

59. 发明专利

TW200948214A 用以控制電漿均勻性之方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING PLASMA UNIFORMITY 审中-公开
简体标题：用以控制等离子均匀性之方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING PLASMA UNIFORMITY
公开(公告)号：TW200948214A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW097150667
申请日：2008-12-25
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：庫德拉裘茲福 , 古田學 , 索倫森卡爾A , 崔壽永 , 懷特約翰M
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/32623 , C23C16/345 , C23C16/5096 , H01J37/32082
摘要：系統、方法、與設備係涉及用來在一基材上沈積一薄膜之電漿處理室。該電漿處理室包含一蓋組件，蓋組件具有一接地板、一背板、以及存在於該接地板和該背板之間的不均勻體。該不均勻體會干擾RF波的均勻性，並在該接地板和該背板間造成阻抗不平衡。該不均勻體可包含一結構或不均勻表面之縮短的間距。不均勻表面之縮短的間距可存在於該接地板和該背板之間一第一端處之一第一距離與該接地板和該背板之間一第二端處之一第二距離不同處。該結構可以從2公分至10公分厚，覆蓋20％至50％的背板，並且遠離存在於該腔室內部的不連續處設置。
简体摘要：系统、方法、与设备系涉及用来在一基材上沉积一薄膜之等离子处理室。该等离子处理室包含一盖组件，盖组件具有一接地板、一背板、以及存在于该接地板和该背板之间的不均匀体。该不均匀体會干擾RF波的均匀性，并在该接地板和该背板间造成阻抗不平衡。该不均匀体可包含一结构或不均匀表面之缩短的间距。不均匀表面之缩短的间距可存在于该接地板和该背板之间一第一端处之一第一距离与该接地板和该背板之间一第二端处之一第二距离不同处。该结构可以从2公分至10公分厚，覆盖20％至50％的背板，并且远离存在于该腔室内部的不连续处设置。

60. 发明专利

TW201118198A 陽極處理之噴頭 ANODIZED SHOWERHEAD 审中-公开
简体标题：阳极处理之喷头 ANODIZED SHOWERHEAD
公开(公告)号：TW201118198A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW099115313
申请日：2010-05-13
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：崔壽永 , 安瓦蘇華 , 古田學 , 朴範洙 , 帝那羅賓L , 懷特約翰M , 栗田真一
IPC分类号： C23C , H05H
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4404 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01J37/32559 , H01J37/32577
摘要：本文揭露之實施例大致關於具有陽極處理之氣體分配噴頭的設備。大面積平行板之RF處理腔室中，控制RF回傳路徑將具有挑戰性。RF處理腔室中經常碰到電弧產生。為了減少RF處理腔室中之電弧產生，可耦接帶至基座以縮短RF回傳路徑；可在處理過程中耦接陶瓷或絕緣或陽極處理之遮蔽框架至基座；且可沉積陽極處理之塗層於最接近腔室壁之噴頭邊緣上。陽極處理之塗層可減少噴頭與腔室壁間之電弧產生，並因此增進薄膜性質並提高沉積速率。
简体摘要：本文揭露之实施例大致关于具有阳极处理之气体分配喷头的设备。大面积平行板之RF处理腔室中，控制RF回传路径将具有挑战性。RF处理腔室中经常碰到电弧产生。为了减少RF处理腔室中之电弧产生，可耦接带至基座以缩短RF回传路径；可在处理过程中耦接陶瓷或绝缘或阳极处理之屏蔽框架至基座；且可沉积阳极处理之涂层于最接近腔室壁之喷头边缘上。阳极处理之涂层可减少喷头与腔室壁间之电弧产生，并因此增进薄膜性质并提高沉积速率。

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