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1. 发明专利

TWI393191B 低溫薄膜電晶體製程、裝置特性、和裝置穩定性改進有权
简体标题：低温薄膜晶体管制程、设备特性、和设备稳定性改进
公开(公告)号：TWI393191B
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：TW098112847
申请日：2009-04-17
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：楊雅棠 , YANG, YA TANG , 朴範洙 , PARK, BEOM SOO , 元泰景 , WON, TAE KYUNG , 崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 懷特約翰M , WHITE, JOHN M.
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L29/66765

2. 发明专利

TW201104752A 在鹼石灰玻璃上的高溫薄膜電晶體 HIGH TEMPERATURE THIN FILM TRANSISTOR ON SODA LIME GLASS 审中-公开
简体标题：在碱石灰玻璃上的高温薄膜晶体管 HIGH TEMPERATURE THIN FILM TRANSISTOR ON SODA LIME GLASS
公开(公告)号：TW201104752A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW099107837
申请日：2010-03-17
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：楊雅棠 , 朴範洙 , 元泰景 , 崔壽永
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3145 , H01L21/3185 , H01L27/1248 , H01L29/518 , H01L29/66765 , H01L29/78603 , Y10T428/265
摘要：本發明一般係包括一低成本TFT及製造TFT的方法。對於TFT而言，鹼石灰玻璃將會是無鹼玻璃之引人注目的替代物，但是鹼石灰玻璃會允許鈉擴散進入主動層並使TFT的效能降低。包括聚醯亞胺的基板因其具有彈性，故亦引人注目而使用來取代無鹼玻璃基板，但是塑膠基板會允許碳擴散進入主動層。藉由在鹼石灰玻璃基板上方沉積一氮氧化矽附著層，以及在附著層上方沉積一富矽阻障層，則可使擴散情形降低，並且使沉積可以在高溫下進行。因此，可以利用鹼石灰玻璃基板或是包括有聚醯亞胺的基板來產生相對於無鹼玻璃基板而具有更低成本的TFT。
简体摘要：本发明一般系包括一低成本TFT及制造TFT的方法。对于TFT而言，碱石灰玻璃将会是无碱玻璃之引人注目的替代物，但是碱石灰玻璃会允许钠扩散进入主动层并使TFT的性能降低。包括聚酰亚胺的基板因其具有弹性，故亦引人注目而使用来取代无碱玻璃基板，但是塑胶基板会允许碳扩散进入主动层。借由在碱石灰玻璃基板上方沉积一氮氧化硅附着层，以及在附着层上方沉积一富硅阻障层，则可使扩散情形降低，并且使沉积可以在高温下进行。因此，可以利用碱石灰玻璃基板或是包括有聚酰亚胺的基板来产生相对于无碱玻璃基板而具有更低成本的TFT。

3. 发明专利

TW201001561A 低溫薄膜電晶體製程、裝置特性、和裝置穩定性改進 LOW TEMPERATURE THIN FILM TRANSISTOR PROCESS, DEVICE PROPERTY, AND DEVICE STABILITY IMPROVEMENT 审中-公开
简体标题：低温薄膜晶体管制程、设备特性、和设备稳定性改进 LOW TEMPERATURE THIN FILM TRANSISTOR PROCESS, DEVICE PROPERTY, AND DEVICE STABILITY IMPROVEMENT
公开(公告)号：TW201001561A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098112847
申请日：2009-04-17
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：楊雅棠 , 朴範洙 , 元泰景 , 崔壽永 , 懷特約翰M
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L29/66765
摘要：一種用以形成一薄膜電晶體的方法和設備。一閘極介電層形成，它可能是雙層的，第一層沉積以一低速率沉積，而第二層則以一高速率沉積。在一些實施例中，該第一介電層是一富矽氮化矽層。一主動層形成，它亦可能是雙層的，第一主動層以一低速率沉積，而第二主動層則以一高速率沉積。本文所述之薄膜電晶體具有優良的遷移率和壓力下的穩定度。
简体摘要：一种用以形成一薄膜晶体管的方法和设备。一闸极介电层形成，它可能是双层的，第一层沉积以一低速率沉积，而第二层则以一高速率沉积。在一些实施例中，该第一介电层是一富硅氮化硅层。一主动层形成，它亦可能是双层的，第一主动层以一低速率沉积，而第二主动层则以一高速率沉积。本文所述之薄膜晶体管具有优良的迁移率和压力下的稳定度。

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