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1. 发明专利

TW201033402A 用於電漿製程的接地回流路徑 GROUND RETURN FOR PLASMA PROCESSES 审中-公开
简体标题：用于等离子制程的接地回流路径 GROUND RETURN FOR PLASMA PROCESSES
公开(公告)号：TW201033402A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW099103387
申请日：2010-02-04
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：崔壽永 , 帝那羅賓L , 栗田真一 , 懷特約翰M , 索倫森卡爾A , 克何傑佛瑞A , 安瓦蘇華 , 古田學 , 稻川真
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/5096 , C23C16/4585 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32568 , H01L21/67069
摘要：本發明描述對在兩個電極之間的電流提供電氣對稱接地或回流路徑的方法與設備。該設備包括至少一個射頻(RF)裝置，該至少一個射頻裝置耦接至該等電極中的一個且位於一製程腔室的一側壁及／或一底部之間。此方法包括相對另一個電極移動一個電極，並基於該位移電極的位置而使用耦接至一側壁與該電極的RF裝置、耦接至該腔室的一底部與該電極的RF裝置、或其組合中的一或兩者以實現一接地回流路徑。
简体摘要：本发明描述对在两个电极之间的电流提供电气对称接地或回流路径的方法与设备。该设备包括至少一个射频(RF)设备，该至少一个射频设备耦接至该等电极中的一个且位于一制程腔室的一侧壁及／或一底部之间。此方法包括相对另一个电极移动一个电极，并基于该位移电极的位置而使用耦接至一侧壁与该电极的RF设备、耦接至该腔室的一底部与该电极的RF设备、或其组合中的一或两者以实现一接地回流路径。

2. 发明专利

TWI558843B 用於電漿製程的接地回流路徑有权
简体标题：用于等离子制程的接地回流路径
公开(公告)号：TWI558843B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW105104646
申请日：2010-02-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 帝那羅賓L , TINER, ROBIN L. , 栗田真一 , KURITA, SHINICHI , 懷特約翰M , WHITE, JOHN M. , 索倫森卡爾A , SORENSEN, CARL A. , 克何傑佛瑞A , KHO, JEFFREY A. , 安瓦蘇華 , ANWAR, SUHAIL , 古田學 , FURUTA, GAKU , 稻川真 , INAGAWA, MAKOTO
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： C23C16/5096 , C23C16/4585 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32568 , H01L21/67069

3. 发明专利

TWI527930B 用於電漿製程的接地回流路徑有权
简体标题：用于等离子制程的接地回流路径
公开(公告)号：TWI527930B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW099103387
申请日：2010-02-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 帝那羅賓L , TINER, ROBIN L. , 栗田真一 , KURITA, SHINICHI , 懷特約翰M , WHITE, JOHN M. , 索倫森卡爾A , SORENSEN, CARL A. , 克何傑佛瑞A , KHO, JEFFREY A. , 安瓦蘇華 , ANWAR, SUHAIL , 古田學 , FURUTA, GAKU , 稻川真 , INAGAWA, MAKOTO
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： C23C16/5096 , C23C16/4585 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32568 , H01L21/67069

4. 发明专利

TWI523079B 改善氣體流的噴頭支撐結構有权
简体标题：改善气体流的喷头支撑结构
公开(公告)号：TWI523079B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW100124478
申请日：2011-07-11
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：帝那羅賓L , TINER, ROBIN L. , 崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 王群華 , WANG, QUNHUA , 陳志堅 , CHEN, JRJYAN JERRY
IPC分类号： H01L21/205 , B05B5/03 , C23C16/455
CPC分类号： B05B1/005 , C23C16/45565 , H01J37/3244

5. 发明专利

TWI473200B 具有氣體導引開口之基板支撐件有权
简体标题：具有气体导引开口之基板支撑件
公开(公告)号：TWI473200B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW099100967
申请日：2010-01-14
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：金亨山 , KIM, SAM H. , 懷特約翰M , WHITE, JOHN M. , 崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 索倫森卡爾A , SORENSEN, CARL A. , 帝那羅賓L , TINER, ROBIN L. , 朴範洙 , PARK, BEOM SOO
IPC分类号： H01L21/683 , C23C14/22
CPC分类号： H01L21/68742 , H01L21/6831

6. 发明专利

TW201037785A 具有氣體導引開口之基板支撐件 SUBSTRATE SUPPORT WITH GAS INTRODUCTION OPENINGS 审中-公开
简体标题：具有气体导引开口之基板支撑件 SUBSTRATE SUPPORT WITH GAS INTRODUCTION OPENINGS
公开(公告)号：TW201037785A
公开(公告)日：2010-10-16
申请号：TW099100967
申请日：2010-01-14
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：金亨山 , 懷特約翰M , 崔壽永 , 索倫森卡爾A , 帝那羅賓L , 朴範洙
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/68742 , H01L21/6831
摘要：在此所揭示之實施例大體而言係有關於一種在一處理腔室內將一基板實質上緊靠一基板支撐件設置的設備及方法。在將一大面積基板設置在一基板支撐件上時，該基板可能因為存在於該基板和該基板支撐件之間的氣泡而無法完全緊靠該基板支撐件。該等氣泡可造成該基板上之不均勻沉積。因此，從該基板和該支撐件之間抽出氣體可實質上拉引該基板緊靠該支撐件。在沉積期間，靜電可能會累積並導致該基板黏附在該基板支撐件上。藉由在該基板和該基板支撐件之間通入一氣體，可克服該靜電力，而可在較少或沒有電漿支撐下，其需要額外的時間和氣體，將該基板從該基座分離。
简体摘要：在此所揭示之实施例大体而言系有关于一种在一处理腔室内将一基板实质上紧靠一基板支撑件设置的设备及方法。在将一大面积基板设置在一基板支撑件上时，该基板可能因为存在于该基板和该基板支撑件之间的气泡而无法完全紧靠该基板支撑件。该等气泡可造成该基板上之不均匀沉积。因此，从该基板和该支撑件之间抽出气体可实质上拉引该基板紧靠该支撑件。在沉积期间，静电可能会累积并导致该基板黏附在该基板支撑件上。借由在该基板和该基板支撑件之间通入一气体，可克服该静电力，而可在较少或没有等离子支撑下，其需要额外的时间和气体，将该基板从该基座分离。

7. 发明专利

TW201004496A 高功率流遠端電漿源之健全出口配管 ROBUST OUTLET PLUMBING FOR HIGH POWER FLOW REMOTE PLASMA SOURCE 审中-公开
简体标题：高功率流远程等离子源之健全出口配管 ROBUST OUTLET PLUMBING FOR HIGH POWER FLOW REMOTE PLASMA SOURCE
公开(公告)号：TW201004496A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098115352
申请日：2009-05-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：懷特約翰M , 崔壽永 , 朴範洙 , 古田學 , 崔永鎮 , 帝那羅賓L
IPC分类号： H05H , C23C , H01L
CPC分类号： F28D7/00 , C23C16/4405 , F28D2021/0078 , F28F9/26
摘要：本發明大致包含組件之間的耦接方式。當在遠端處理腔室中點燃電漿之後，反應性氣體離子會經由數個組件輸送至處理腔室。因反應性氣體離子溫度相當高，故各種組件會處於高溫狀態，並可能因此使裝置組件間的密封失效。所以，理想的情況下會對於反應性氣體離子所通過之各種金屬組件進行降溫。然而，在降溫之金屬組件和陶瓷組件的介面處，會因反應性氣體離子的高溫和金屬組件的低溫，而在陶瓷組件上產生足以使其破裂的溫度梯度。所以，將金屬組件的凸緣延長至陶瓷組件中，可減低介面間的溫度梯度並減少陶瓷組件的破裂情況。
简体摘要：本发明大致包含组件之间的耦接方式。当在远程处理腔室中点燃等离子之后，反应性气体离子会经由数个组件输送至处理腔室。因反应性气体离子温度相当高，故各种组件会处于高温状态，并可能因此使设备组件间的密封失效。所以，理想的情况下会对于反应性气体离子所通过之各种金属组件进行降温。然而，在降温之金属组件和陶瓷组件的界面处，会因反应性气体离子的高温和金属组件的低温，而在陶瓷组件上产生足以使其破裂的温度梯度。所以，将金属组件的凸缘延长至陶瓷组件中，可减低界面间的温度梯度并减少陶瓷组件的破裂情况。

8. 发明专利

TW201634742A 用於電漿製程的接地回流路徑审中-公开
简体标题：用于等离子制程的接地回流路径
公开(公告)号：TW201634742A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105104646
申请日：2010-02-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 帝那羅賓L , TINER, ROBIN L. , 栗田真一 , KURITA, SHINICHI , 懷特約翰M , WHITE, JOHN M. , 索倫森卡爾A , SORENSEN, CARL A. , 克何傑佛瑞A , KHO, JEFFREY A. , 安瓦蘇華 , ANWAR, SUHAIL , 古田學 , FURUTA, GAKU , 稻川真 , INAGAWA, MAKOTO
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： C23C16/5096 , C23C16/4585 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32568 , H01L21/67069
摘要：本發明描述對在兩個電極之間的電流提供電氣對稱接地或回流路徑的方法與設備。該設備包括至少一個射頻(RF)裝置，該至少一個射頻裝置耦接至該等電極中的一個且位於一製程腔室的一側壁及/或一底部之間。此方法包括相對另一個電極移動一個電極，並基於該位移電極的位置而使用耦接至一側壁與該電極的RF裝置、耦接至該腔室的一底部與該電極的RF裝置、或其組合中的一或兩者以實現一接地回流路徑。
简体摘要：本发明描述对在两个电极之间的电流提供电气对称接地或回流路径的方法与设备。该设备包括至少一个射频(RF)设备，该至少一个射频设备耦接至该等电极中的一个且位于一制程腔室的一侧壁及/或一底部之间。此方法包括相对另一个电极移动一个电极，并基于该位移电极的位置而使用耦接至一侧壁与该电极的RF设备、耦接至该腔室的一底部与该电极的RF设备、或其组合中的一或两者以实现一接地回流路径。

9. 发明专利

TWI513851B 陽極處理之噴頭有权
简体标题：阳极处理之喷头
公开(公告)号：TWI513851B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW099115313
申请日：2010-05-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 安瓦蘇華 , ANWAR, SUHAIL , 古田學 , FURUTA, GAKU , 朴範洙 , PARK, BEOM SOO , 帝那羅賓L , TINER, ROBIN L. , 懷特約翰M , WHITE, JOHN M. , 栗田真一 , KURITA, SHINICHI
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/455 , H05H1/24
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4404 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01J37/32559 , H01J37/32577

10. 发明专利

TW201207905A 改善氣體流的噴頭支撐結構 SHOWERHEAD SUPPORT STRUCTURE FOR IMPROVED GAS FLOW 审中-公开
简体标题：改善气体流的喷头支撑结构 SHOWERHEAD SUPPORT STRUCTURE FOR IMPROVED GAS FLOW
公开(公告)号：TW201207905A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100124478
申请日：2011-07-11
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：帝那羅賓L , 崔壽永 , 王群華 , 陳志堅
IPC分类号： H01L , B05B , C23C
CPC分类号： B05B1/005 , C23C16/45565 , H01J37/3244
摘要：本發明的實施例大致上提供用以支撐一氣體散佈噴頭於製程腔室中的設備與方法。在一實施例中,提供一種用於一真空腔室的氣體散佈噴頭。該氣體散佈噴頭包含:一主體,該主體具有一第一側與一第二側以及複數個氣體通道,該第二側和該第一側相對,該複數個氣體通道形成為穿過該主體,該等氣體通道包含形成在該第一側中的一第一孔洞,該第一孔洞藉由一限縮孔口流體地耦接到一第二孔洞,該第二孔洞形成在該第二側中;及一懸置特徵結構,該懸置特徵結構形成在該等氣體通道的至少一氣體通道的該第一孔洞中。
简体摘要：本发明的实施例大致上提供用以支撑一气体散布喷头于制程腔室中的设备与方法。在一实施例中,提供一种用于一真空腔室的气体散布喷头。该气体散布喷头包含:一主体,该主体具有一第一侧与一第二侧以及复数个气体信道,该第二侧和该第一侧相对,该复数个气体信道形成为穿过该主体,该等气体信道包含形成在该第一侧中的一第一孔洞,该第一孔洞借由一限缩孔口流体地耦接到一第二孔洞,该第二孔洞形成在该第二侧中;及一悬置特征结构,该悬置特征结构形成在该等气体信道的至少一气体信道的该第一孔洞中。

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