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51. 发明申请

WO2006121604A2 CONDUCTIVE BARRIER LAYER, ESPECIALLY AN ALLOY OF RUTHENIUM AND TANTALUM AND SPUTTER DEPOSITION THEREOF 审中-公开
标题翻译：导电阻隔层，特别是金属和钽的合金和溅射沉积物
公开(公告)号：WO2006121604A2
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：PCT/US2006/015523
申请日：2006-04-25
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , WANG, Jenn, Yue , WANG, Wel, D. , WANG, Rongjium , TANAKA, Yoichiro , CHUNG, Hua , ZHANG, Hong , YU, Jick , GOPALRAJA, Praburam , FU, Jianming
发明人： WANG, Jenn, Yue , WANG, Wel, D. , WANG, Rongjium , TANAKA, Yoichiro , CHUNG, Hua , ZHANG, Hong , YU, Jick , GOPALRAJA, Praburam , FU, Jianming
IPC分类号： B32B3/00
CPC分类号： B32B15/018 , C23C14/3414 , H01L21/2855 , H01L21/76844 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , Y10T428/24917 , H01L2924/00
摘要： A fabrication method, a product structure, a fabrication method, and a sputtering target for the deposition of a conductive barrier or other liner layer in an interconnect structure. The barrier layer (82) comprises a conductive metal of a refractory noble metal alloy, such as a ruthenium/tantalum alloy, which may be amorphous though it is not require to be so. The barrier layer may be sputtered from a target (90) of similar composition. The barrier and target composition may be chosen from a combination of the refractory metals and the platinum-group metals as well as RuTa. A copper noble seed layer (112) may be formed of an alloy of copper and ruthenium in contact to a barrier layer (70) over the dielectric (66).
摘要翻译：用于在互连结构中沉积导电屏障或其它衬垫层的制造方法，产品结构，制造方法和溅射靶。阻挡层（82）包括诸如钌/钽合金的难熔贵金属合金的导电金属，其可以是无定形的，尽管不需要这样。阻挡层可以从类似组成的靶（90）溅射。阻挡层和靶组成可以选自难熔金属和铂族金属以及RuTa的组合。铜高贵种子层（112）可以由铜和钌的合金形成，与电介质（66）上的阻挡层（70）接触。

52. 发明申请

WO2006078779A2 METHODS FOR DEPOSITING TUNGSTEN LAYERS EMPLOYING ATOMIC LAYER DEPOSITION TECHNIQUES 审中-公开
标题翻译：沉积原子层沉积技术的沉积层的方法
公开(公告)号：WO2006078779A2
公开(公告)日：2006-07-27
申请号：PCT/US2006/001838
申请日：2006-01-19
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , LAI, Ken, Kaung , RAJAGOPALAN, Ravi , KHANDELWAL, Amit , MOORTHY, Madhu , GANDIKOTA, Srinivas , CASTRO, Joseph , GELATOS, Avgerinos, V. , KNEPFLER, Cheryl , JIAN, Ping , FANG, Hongbin , HUANG, Chao-ming , XI, Ming , YANG, Michael, X. , CHUNG, Hua , BYUN, Jeong, Soo
发明人： LAI, Ken, Kaung , RAJAGOPALAN, Ravi , KHANDELWAL, Amit , MOORTHY, Madhu , GANDIKOTA, Srinivas , CASTRO, Joseph , GELATOS, Avgerinos, V. , KNEPFLER, Cheryl , JIAN, Ping , FANG, Hongbin , HUANG, Chao-ming , XI, Ming , YANG, Michael, X. , CHUNG, Hua , BYUN, Jeong, Soo
IPC分类号： H01L21/44
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C16/0281 , C23C16/08 , C23C16/14 , C23C16/45525 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76856 , H01L21/7687 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089
摘要： In one embodiment, a method for forming a tungsten-containing layer on a substrate is provided which includes positioning a substrate containing a barrier layer within a process chamber, exposing the substrate to a first soak process for a first time period and depositing a nucleation layer on the barrier layer by flowing a tungsten-containing precursor and a reductant into the process chamber. The method further includes exposing the substrate to a second soak process for a second time period and depositing a bulk layer on the nucleation layer. In one example, the barrier layer contains titanium nitride and the first and second soak processes contain at least one reducing gas. The nucleation layer may be deposited by an atomic layer deposition process or a pulsed chemical vapor deposition process and the bulk layer may be deposited by a chemical vapor deposition process or a physical vapor deposition process.
摘要翻译：在一个实施例中，提供了一种用于在衬底上形成含钨层的方法，其包括将含有阻挡层的衬底定位在处理室内，将衬底暴露于第一次浸泡工艺第一次并沉积成核层通过使含钨前体和还原剂流入处理室而在阻挡层上。该方法还包括将基板暴露于第二时间段的第二浸泡工艺，并将沉积层沉积在成核层上。在一个示例中，阻挡层包含氮化钛，并且第一和第二浸泡方法含有至少一种还原气体。可以通过原子层沉积工艺或脉冲化学气相沉积工艺沉积成核层，并且通过化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺沉积本体层。

53. 发明申请

WO2006020265A2 ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TANTALUM-CONTAINING MATERIALS USING THE TANTALUM PRECURSOR TAIMATA 审中-公开
标题翻译：使用TANTALUM PRECURSOR TAIMATA的含钽材料的原子层沉积
公开(公告)号：WO2006020265A2
公开(公告)日：2006-02-23
申请号：PCT/US2005/025486
申请日：2005-07-19
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , MARCADAL, Christophe , WANG, Rongjun , CHUNG, Hua , MAITY, Nirmalya
发明人： MARCADAL, Christophe , WANG, Rongjun , CHUNG, Hua , MAITY, Nirmalya
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L29/495 , C23C16/18 , C23C16/30 , C23C16/45553 , H01L21/28079 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76864 , H01L29/4958 , H01L29/517
摘要： In one embodiment of the invention, a method for depositing a tantalum-containing layer on a substrate within a process chamber is provided which includes sequentially exposing the substrate to a tantalum precursor and at least one secondary precursor to deposit a tantalum-containing material during an atomic layer deposition (ALD) process. The tantalum precursor is usually tertiaryamylimido-tris(dimethylamido)tantalum (TAIMATA). The ALD process is repeated until the tantalum-containing material is deposited with a predetermined thickness. Usually, the TAIMATA is preheated prior pulsing the tantalum precursor into the process chamber. The tantalum-containing material may include tantalum, tantalum nitride, tantalum silicon nitride, tantalum boron nitride, tantalum phosphorous nitride or tantalum oxynitride. The tantalum-containing material may be deposited as a barrier layer or an adhesion layer within a via or as a gate electrode material within a source/drain device.
摘要翻译：在本发明的一个实施例中，提供了一种用于在处理室内的衬底上沉积含钽层的方法，其包括将衬底顺序地暴露于钽前体和至少一个次级前体，以沉积含钽材料原子层沉积（ALD）工艺。钽前体通常是叔戊酰亚胺基 - 三（二甲基氨基）钽（TAIMATA）。重复ALD处理直到含有钽的材料以预定厚度沉积。通常，TAIMATA在将钽前体脉冲进入处理室之前被预热。含钽材料可以包括钽，氮化钽，氮化钽，氮化硼，氮化钽或氮氧化钽。含钽材料可以作为阻挡层或粘合层沉积在源极/漏极器件内的通路或栅极电极材料内。

54. 发明申请

WO2004113585A3 ATOMIC LAYER DEPOSITION OF BARRIER MATERIALS 审中-公开
公开(公告)号：WO2004113585A3
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：PCT/US2004/019417
申请日：2004-06-18
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , CHUNG, Hua , WANG, Rongjun , MAITY, Nirmalya
发明人： WANG, Rongjun , MAITY, Nirmalya
IPC分类号： C23C16/02
摘要： Methods for processing substrate to deposit barrier layers of one or more material layers by atomic layer deposition are provided. In one aspect, a method is provided for processing a substrate including depositing a metal nitride barrier layer on at least a portion of a substrate surface by alternately introducing one or more pulses of a metal containing compound and one or more pulses of a nitrogen containing compound and depositing a metal barrier layer on at least a portion of the metal nitride barrier layer by alternately introducing one or more pulses of a metal containing compound and one or more pulses of a reductant. A soak process may be performed on the substrate surface before deposition of the metal nitride barrier layer and/or metal barrier layer.

55. 发明申请

WO2004113585A2 ATOMIC LAYER DEPOSITION OF BARRIER MATERIALS 审中-公开
标题翻译：原子层沉积障碍物
公开(公告)号：WO2004113585A2
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：PCT/US2004/019417
申请日：2004-06-18
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , CHUNG, Hua , WANG, Rongjun , MAITY, Nirmalya
发明人： WANG, Rongjun , MAITY, Nirmalya
IPC分类号： C23C16/02
CPC分类号： C23C16/45529 , C23C16/02 , C23C16/0281 , C23C16/14 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76862 , H01L21/76871 , H01L21/76876
摘要： Methods for processing substrate to deposit barrier layers of one or more material layers by atomic layer deposition are provided. In one aspect, a method is provided for processing a substrate including depositing a metal nitride barrier layer on at least a portion of a substrate surface by alternately introducing one or more pulses of a metal containing compound and one or more pulses of a nitrogen containing compound and depositing a metal barrier layer on at least a portion of the metal nitride barrier layer by alternately introducing one or more pulses of a metal containing compound and one or more pulses of a reductant. A soak process may be performed on the substrate surface before deposition of the metal nitride barrier layer and/or metal barrier layer.
摘要翻译：提供了通过原子层沉积处理衬底以沉积一层或多层材料层的阻挡层的方法。在一个方面，提供了一种处理衬底的方法，包括通过交替地引入含有金属的化合物的一个或多个脉冲和含氮化合物的一个或多个脉冲，在衬底表面的至少一部分上沉积金属氮化物阻挡层以及通过交替地引入一种或多种含金属化合物的脉冲和一种或多种还原剂的脉冲，在金属氮化物阻挡层的至少一部分上沉积金属阻挡层。可以在沉积金属氮化物阻挡层和/或金属阻挡层之前在衬底表面上进行浸泡工艺。

56. 发明申请

WO2004106584A1 METHOD AND APPARATUS FOR GENERATING A PRECURSOR FOR A SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM 审中-公开
标题翻译：用于生成半导体加工系统前驱体的方法和装置
公开(公告)号：WO2004106584A1
公开(公告)日：2004-12-09
申请号：PCT/US2004/016715
申请日：2004-05-27
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , CHEN, Ling , KU, Vincent W. , CHUNG, Hua , MARCADAL, Christophe , GANGULI, Seshadri , LIN, Jenny , WU, Dien-Yeh , OUYE, Alan , CHANG, Mei
发明人： CHEN, Ling , KU, Vincent W. , CHUNG, Hua , MARCADAL, Christophe , GANGULI, Seshadri , LIN, Jenny , WU, Dien-Yeh , OUYE, Alan , CHANG, Mei
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/45525 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/4481 , C23C16/4487 , H01L21/28562 , H01L21/76843
摘要： Embodiments of the present invention are directed to an apparatus for generating a precursor for a semiconductor processing system (320). The apparatus includes a canister (300) having a sidewall (402), a top portion and a bottom portion. The canister (300) defines an interior volume (438) having an upper region (418) and a lower region (434). In one embodiment, the apparatus further includes a heater (430) partially surrounding the canister (300). The heater (430) creates a temperature gradient between the upper region (418) and the lower region (434). Also claimed is a method of forming a barrier layer from purified pentakis (dimethylamido) tantalum, for example a tantalum nitride barrier layer by atomic layer deposition.
摘要翻译：本发明的实施例涉及一种用于产生用于半导体处理系统（320）的前体的装置。该装置包括具有侧壁（402），顶部和底部的罐（300）。罐（300）限定具有上部区域（418）和下部区域（434）的内部容积（438）。在一个实施例中，该装置还包括部分地包围罐（300）的加热器（430）。加热器（430）在上部区域（418）和下部区域（434）之间产生温度梯度。还要求保护的是通过原子层沉积从纯化的五（二甲基氨基）钽，例如氮化钽阻挡层形成阻挡层的方法。

57. 实用新型

TWM593971U 輔助救難小艇有权
简体标题：辅助救难小艇
公开(公告)号：TWM593971U
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW108217236
申请日：2019-12-26
申请人：中華大學學校財團法人中華大學 , CHUNG HUA UNIVERSITY
发明人：蘇郁涵 , SU, YU-HAN , 宋恒瑜 , SUNG, HENG-YU , 巫銘紘 , WU, MING-HONG
IPC分类号： B63B23/30

58. 实用新型

TWM583995U 智慧居家防災系統有权
简体标题：智能居家防灾系统
公开(公告)号：TWM583995U
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW108207190
申请日：2019-06-06
申请人：中華大學 , CHUNG HUA UNIVERSITY
发明人：蕭炎泉 , SHIAU, YAN-CHYUAN , 解鴻年 , HSIEH, HUNG-NIEN , 鍾維昭 , CHUNG, WEI-CHAO , 高大鈞 , KAO, TA-CHUN , 蔡許宏 , TSAI, HSU-HUNG , 莊季澐 , JHUANG, JI-YUN
IPC分类号： G08B17/00

59. 发明专利

TW201809538A 智慧型適應性照明系統审中-公开
简体标题：智能型适应性照明系统
公开(公告)号：TW201809538A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105124798
申请日：2016-08-04
申请人：中華大學 , CHUNG HUA UNIVERSITY
发明人：駱樂 , 彭健鈞 , 駱杰
IPC分类号： F21S13/14 , F21V23/00
摘要：本發明提供一種應用於需照明之場所的智慧型適應性照明系統，其技術手段包括：嵌入式系統、影像擷取裝置及可調式發光裝置；所述嵌入式系統包括有具備嵌入式影像處理演算法的視覺處理晶片；所述影像擷取裝置能供擷取影像畫面；所述可調式發光裝置能供調整照射時的區域亮度、照射角度、及照射方向。據此，當有物件置於可調式發光裝置下，且位於影像擷取裝置所涵蓋的範圍時，藉由視覺處理晶片的演算法，以辨識認知動態的環境亮度狀態，並偵測出物件的精確位置，且透過影像擷取裝置，精確地擷取到物件影像畫面中每一座標點的亮度，來同步隨時修正控制可調式發光裝置，藉以產生均勻照明或適應環境需求的亮度，使達到符合人眼舒適觀察或監看的情境。
简体摘要：本发明提供一种应用于需照明之场所的智能型适应性照明系统，其技术手段包括：嵌入式系统、影像截取设备及可调式发光设备；所述嵌入式系统包括有具备嵌入式影像处理算法的视觉处理芯片；所述影像截取设备能供截取影像画面；所述可调式发光设备能供调整照射时的区域亮度、照射角度、及照射方向。据此，当有对象置于可调式发光设备下，且位于影像截取设备所涵盖的范围时，借由视觉处理芯片的算法，以辨识认知动态的环境亮度状态，并侦测出对象的精确位置，且透过影像截取设备，精确地截取到对象影像画面中每一座标点的亮度，来同步随时修正控制可调式发光设备，借以产生均匀照明或适应环境需求的亮度，使达到符合人眼舒适观察或监看的情境。

60. 外观设计

TWD187230S 口罩有权
公开(公告)号：TWD187230S
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW106301020
申请日：2017-03-02
申请人：中華大學 , CHUNG HUA UNIVERSITY
设计人：張雯茹 , CHANG, WEN-RU , 李奕萱 , LEE, YI-HUSAN

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