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41. 发明公开

KR1019970051844A 반도체 장치의 얼라인 키 패턴 형성방법 失效
公开(公告)号：KR1019970051844A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950049698
申请日：1995-12-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김정엽 , 김민정 , 부재필 , 정인권 , 배용국 , 여정호
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 본 발명에서는 반도체 기판에 형성된 절연층내에 트랜치를 형성하는 단계(A); 트랜치 내부에 도전성 플러그를 형성하는 단계(B); 상기 절연층과 상기 도전성 플러그간에 단차를 형성하는 단계(C)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 얼라인 키 패턴 형성방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 추가의 사진식각 공정 없이도 얼라인 키 패턴 영역에 단차를 형성함으로써 후속단계에서의 얼라인이 가능해진다.

42. 发明公开

KR1019970018126A 미세 패턴 형성 방법 无效
公开(公告)号：KR1019970018126A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950032998
申请日：1995-09-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 여정호 , 반효동 , 성낙근 , 김진하
IPC分类号： H01L21/30
摘要： 반사 방지막 대신에 스핀-온 글라스를 이용한 미세 패턴 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 요철을 가지고 있는 반도체 기판 위에 반사 방지를 위하여 스핀-온 글라스를 도포하여 평탄화시키고, 상기 스핀-온 글라스 위에 포토레지스트 패턴을 형성한다. 본 발명에 의하여 상기 스핀-온 글라스를 이용하여 미세 패턴을 형성하는 경우, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 스핀-온 글라스를 식각하는 단계에서 식각 선택비가 충분히 높기 때문에 상기 포토레지스트 패턴의 옆모습이 나빠지는 문제가 발생하지 않는다. 또한, 상기 스핀-온 글라스 패턴을 불산 수용액으로 용이하게 제거되기 때문에 후속 공정에서 이로 인한 불량을 발생시키지 않는다.

43. 发明公开

KR1019970017948A 유기 반사 방지막 제조 방법 无效
标题翻译：制造有机抗反射膜的方法
公开(公告)号：KR1019970017948A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950031119
申请日：1995-09-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 여기성 , 여정호 , 남정림
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 본 발명은 유기 반사 방지막(ARC : anti reflected coting) 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 유기 포토레지스트층의 필요 부분에 선택적 노광을 하여 반사 방지막을 형성하도록 한 방법에 관한 것이다.
유기 포토 레지스트층에 마스크 패턴을 개재하여 소정의 부분을 선택적으로 노광하는 단계 및 유기 포토레지스트층의 노광된 부분은 제거하고 마스크 패턴이 개재된 부분은 남겨 열산화 베이크 과정을 통해 반사방지막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 유기 포토 레지스트층의 필요 부분에 선택적 노광을 함으로서, 패턴이 형성되지 않는 깊은 단차면 또는 좁은 공간서의 반사 방지막을 제거하는 잇점이 있다.

44. 发明公开

KR1020170109580A 무선통신 시스템에서 단말을 위한 제어 채널 전송 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：一种在无线通信系统中的控制信道传输方法和装置，用于UE
公开(公告)号：KR1020170109580A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：KR1020177022117
申请日：2016-01-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최승훈 , 김영범 , 이효진 , 오진영 , 김동한 , 이주호 , 김윤선 , 지형주 , 가희돈 , 배태한 , 여정호 , 곽영우 , 노훈동 , 신철규
IPC分类号： H04L1/18
CPC分类号： H04B7/26 , H04J11/00 , H04L1/08 , H04L1/18 , H04L5/0044 , H04L5/0053 , H04L5/1469 , H04L1/1887 , H04L1/1812 , H04L1/1854 , H04L1/1864 , H04L1/1896
摘要： 본개시는 LTE와같은 4G 통신시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G 또는 pre-5G 통신시스템에관련된것이다. 본개시는적어도하나의상향링크전송을위한서브프레임및 적어도하나의하향링크전송을위한서브프레임을포함하는 TDD(time division duplex) 방식의셀에서동작하는이동통신시스템의기지국에서상향링크데이터반복전송을지원하는방법에있어서, 서브프레임들중 상향링크 HARQ(hybrid automatic repeat request) 프로세스가정의되어있는하향링크서브프레임에서상향링크데이터스케줄링정보를반복전송하는동작; 및상기스케줄링정보의반복전송이완료되는하향링크서브프레임에정의된 HARQ 프로세스의 HARQ 전송타이밍에따른상향링크서브프레임에서부터상향링크데이터를반복수신하는동작을포함하는방법을제공한다.
摘要翻译：本公开涉及在诸如LTE的4G通信系统之后支持更高数据速率的5G或5G前通信系统。本发明是在TDD的一个小区中操作的移动通信系统的基站的上行链路数据中的至少一个（时分双工）系统中，包括一个UL子帧的传输和用于下行链路传输的重复传输的子帧中的至少一个以期望的方式得到，上行链路HARQ（混合自动重复请求）的子帧重复处理的上行链路数据从在归属传输操作到下行链路子帧的调度信息; 并且提供一种方法，包括以下操作：从根据HARQ过程的发送定时的上行链路子帧中重复地接收上行链路数据，则HARQ在DL子帧中的调度信息的重复传输是完整的定义。

45. 发明授权

KR101670458B1 오버레이 계측 방법 有权
标题翻译：测量对象覆盖的方法
公开(公告)号：KR101670458B1
公开(公告)日：2016-10-28
申请号：KR1020100060352
申请日：2010-06-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 허진석 , 오석환 , 여정호
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70633
摘要： 오버레이계측방법에따르면, 제 1 구조물에대한제 1 정보를획득한다. 상기제 1 구조물상에제 2 예비구조물을형성한다. 상기제 2 예비구조물에대한제 2 정보를획득한다. 상기제 1 정보와상기제 2 정보를합성하여, 상기제 2 예비구조물에대한공정을통해형성될제 2 구조물이상기제 1 구조물상에중첩된구조에대한가상정보를획득한다. 상기가상정보로부터상기제 1 구조물과상기제 2 구조물간의가상오버레이를계측한다. 따라서, 상부막에대한패터닝공정전에가상이미지로부터상하부패턴들간의오버레이를정확하게계측할수가있다.

46. 发明公开

KR1020160118905A 무선 셀룰라 통신 시스템에서 전송시간구간 감소를 위한 송수신 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于减少网络通信系统中传输时间间隔的方法和装置
公开(公告)号：KR1020160118905A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：KR1020150102675
申请日：2015-07-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 여정호 , 곽용준 , 이주호 , 김영범
IPC分类号： H04L5/00
CPC分类号： H04L1/18 , H04L1/1822 , H04L1/1854 , H04L1/1861 , H04L1/1864 , H04L5/0035 , H04L5/0048 , H04L5/0053 , H04L5/0055 , H04L5/0057 , H04L5/0094 , H04W72/1205
摘要： 본개시는 LTE와같은 4G 통신시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기제공될 5G 또는 pre-5G 통신시스템에관련된것이다. 구체적으로, 본발명은무선통신시스템에대한것으로서, 특히 1ms보다작은전송시간구간으로의송수신을지원하는시스템에서하향링크및 상향링크제어채널전송을운용하는방법및 장치에관한것이다. 구체적으로, 1ms보다작은전송시간구간의송수신을위해필요한물리채널들을정의하고, 자원할당및 리소스블록에매핑하는방법을제공한다.

47. 发明授权

KR101555230B1 나노임프린트 리소그래피를 이용한 미세 패턴의 형성 방법 有权
标题翻译：使用纳米压印光刻形成精细图案的方法
公开(公告)号：KR101555230B1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：KR1020090006772
申请日：2009-01-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정훈 , 여정호 , 박주온 , 김인성 , 구두훈 , 박진홍 , 박창민
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0002 , B29C43/003 , B29C2043/025 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要： 향상된패턴분산도를가지는미세패턴의형성방법에있어서, 기판상에광경화성코팅막을형성한다. 패턴크기에관하여제1 분산도를갖는복수개의제1 패턴들을제1 면에구비하고적어도일부에광 감쇠부재를포함하는템플레이트의제1 면을광경화성코팅막에접촉시킨다. 템플레이트를통해광경화성코팅막에빛을조사하여제1 패턴들로부터전사되고제1 분산도보다낮은제2 분산도를갖는제2 패턴들을구비하는경화된코팅막을형성한다음, 템플레이트를경화된코팅막으로부터분리한다. 나노임프린트공정에사용되는템플레이트의패턴분산도를광 감쇠부재를통해보정함으로써패턴분산도가개선된미세패턴을제조할수 있다.

48. 发明公开

KR1020130006744A 마스크의 제조 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 审中-实审
标题翻译：制造掩模的方法及其设备
公开(公告)号：KR1020130006744A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020110030993
申请日：2011-04-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 허진석 , 박창민 , 오석환 , 여정호
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/72
CPC分类号： G03F7/0002 , B29C35/0805 , B29C2035/0827 , B29L2031/737 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/0274 , G03F1/72 , H01L21/0337
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a mask and an operating method thereof are provided to easily manufacture a mask with a desirable shape by accurately correcting only the distorted design pattern. CONSTITUTION: A template(110) is installed on the upper side of a mask substrate(S). A polymer layer(P) is formed on the upper side of the mask substrate. A design pattern(112) is formed on the lower side of the template. A correction unit(120) is arranged on the upper side of the template. A pressing unit(130) is connected to the upper side of the correction unit. A hardening unit(140) hardens the mask pattern.
摘要翻译：目的：提供一种制造掩模的方法及其操作方法，以通过精确地仅校正扭曲的设计图案来容易地制造具有期望形状的掩模。构成：在掩模基板（S）的上侧安装有模板（110）。聚合物层（P）形成在掩模基板的上侧。在模板的下侧形成设计图案（112）。校正单元（120）布置在模板的上侧。按压单元（130）连接到校正单元的上侧。硬化单元（140）使掩模图案硬化。

49. 发明公开

KR1020120108615A 노광 장치에서 노광 에너지 측정 방법 审中-实审
标题翻译：在光刻机系统中测量出射能的方法
公开(公告)号：KR1020120108615A
公开(公告)日：2012-10-05
申请号：KR1020110026712
申请日：2011-03-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 허진석 , 오석환 , 여정호
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/20 , G03F7/70075 , G03F7/70133 , G03F7/70608 , G03F7/70616 , H01L21/0274
摘要： PURPOSE: A measurement method for exposed energy in an exposure device is provided to accurately measure the energy of exposed light and to extend the operating time of the exposure device. CONSTITUTION: A measurement method for exposed energy in an exposure device includes the following steps: a photoresist film is coated on a substrate(S100); the photoresist film is exposed by varying the energy of exposure light according to shots(S102); the exposed photoresist film is developed to form a sample photoresist film(S104); the image is taken of the sample photoresist film on the entire substrate is taken(S106); the intensity of color for each shot is analyzed(S108); a shot, of which the color intensity is varied according to the intensity of the exposure energy, is designated(S110); the intensity of color for each pixel is measured at the designated shot(S112); the average intensity of the color is measured toward the scanning direction of the exposure light(S114); and the energy of the exposure light is calculated on the basis of the intensity of the color(S116). [Reference numerals] (S100) Coating a photoresist film on a substrate; (S102) Exposing the photoresist film by varying the energy of exposure for each shot; (S104) Developing the photoresist film to form a sample photoresist film; (S106) Taking the image of the sample photoresist film on the entire substrate; (S108) Analyzing the intensity of color for each shot; (S110) Designating a shot of which the color intensity is varied according to the intensity of exposure energy; (S112) Measuring the intensity of the color for each pixel at the designated shot; (S114) Measuring the average intensity of the color to the scanning direction of exposure light; (S116) Calculating the energy of exposure light using the intensity of the color
摘要翻译：目的：提供曝光装置中暴露能量的测量方法，以准确测量曝光光的能量并延长曝光装置的工作时间。构成：曝光装置中的曝光能量的测定方法包括以下步骤：在基板上涂布光致抗蚀剂膜（S100）; 通过根据照片改变曝光光的能量来曝光光致抗蚀剂膜（S102）; 曝光的光致抗蚀剂膜被显影以形成样品光致抗蚀剂膜（S104）; 拍摄整个基板上的样品光致抗蚀剂膜的图像（S106）; 分析每个镜头的颜色强度（S108）; 指定颜色强度根据曝光能量的强度而变化的镜头（S110）。在指定镜头测量每个像素的颜色强度（S112）; 朝向曝光光的扫描方向测量颜色的平均强度（S114）; 并且基于颜色的强度来计算曝光光的能量（S116）。（附图标记）（S100）在基板上涂布光致抗蚀剂膜; （S102）通过改变每次拍摄的曝光能量来曝光光致抗蚀剂膜; （S104）显影光致抗蚀剂膜以形成样品光致抗蚀剂膜; （S106）将样品光致抗蚀剂膜的图像置于整个基板上; （S108）分析每次拍摄的颜色强度; （S110）根据曝光能量的强度指定颜色强度变化的镜头; （S112）测量指定拍摄时每个像素的颜色强度; （S114）测量与曝光光的扫描方向的颜色的平均强度; （S116）使用颜色的强度计算曝光光的能量

50. 发明公开

KR1020120086073A 오버레이 계측 방법 및 그 장치 审中-实审
标题翻译：覆盖测量方法及其设备
公开(公告)号：KR1020120086073A
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：KR1020110007303
申请日：2011-01-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심성보 , 여정호 , 김호연
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/66
CPC分类号： G03F7/70633 , H01L21/0274 , G03F9/7088 , H01L22/30
摘要： PURPOSE: A method and apparatus for measuring an overlay are provided to generate a correction signal by performing an inverse Fourier transform of a second spectrum signal generated by filtering a first spectrum signal. CONSTITUTION: An original signal is generated by using a first overlay measurement key and a second overlay measurement key(S110). A first spectrum signal is generated by performing a Fourier transform of the original signal(S120). A second spectrum signal is generated by filtering the first spectrum signal(S130). A correction signal is generated by performing the inverse Fourier transform of the second spectrum signal(S140).
摘要翻译：目的：提供一种用于测量覆盖层的方法和装置，用于通过对通过滤波第一频谱信号产生的第二频谱信号进行傅里叶逆变换来产生校正信号。构成：通过使用第一重叠测量键和第二重叠测量键产生原始信号（S110）。通过执行原始信号的傅立叶变换来生成第一频谱信号（S120）。通过对第一频谱信号进行滤波来生成第二频谱信号（S130）。通过执行第二频谱信号的傅里叶逆变换来生成校正信号（S140）。

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