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1. 发明授权

KR101408783B1 반도체 소자의 제조장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조방법 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的装置及使用其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101408783B1
公开(公告)日：2014-06-17
申请号：KR1020070126779
申请日：2007-12-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 우상윤 , 조용진 , 오석환
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70341
摘要： 반도체 소자의 제조장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법이 개시된다. 상기 제조장치는 액체필름(liquid film)을 형성하는 액체 공급부 및 기체 주입구(inlet)를 포함하고, 상기 기체 주입구(inlet)는 다양한 각도로 기체를 분사할 수 있도록 회전할 수 있다. 상기 제조방법은 기판으로 제공되는 기체의 방향 및 압력을 조절하여 노광영역의 형태 또는 크기와 동일한 액체필름을 형성하는 단계를 포함한다. 이로써, 기판의 이동속도가 향상될 수 있고, 기판의 모폴로지(morphology) 편차가 감소될 수 있다.
이멀젼 리소그래피, 노광, 모폴로지, 냉각, 이멀젼 후드

2. 发明公开

KR1020110024587A 더블 패턴닝 기술을 이용한 반도체 소자 및 제조방법 有权
标题翻译：使用双模式技术的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110024587A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090082645
申请日：2009-09-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김형희 , 강율 , 문성호 , 오석환 , 한소라 , 최성운
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/28123 , H01L21/76229 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L21/0271
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a high integrated device without investment in equipment by easily forming a fine pattern with a simple photolithography process. CONSTITUTION: A first mask pattern(115) is formed on a semiconductor substrate(100) with a preset space. A capping layer is formed on the side and upper side of the first mask pattern. A combination capping layer(135) ion-combined with the first mask pattern is formed by applying combination energy. A second mask layer(140) made of materials with lower solubility than the solubility of the combination capping layer is formed between the combination capping layers on the first mask. The second mask pattern is formed by removing the upper side of the second mask layer and the combination capping layer with a solvent.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以通过简单的光刻工艺容易地形成精细图案来制造高集成器件而无需投资设备。构成：第一掩模图案（115）以预设空间形成在半导体衬底（100）上。在第一掩模图案的侧面和上侧形成覆盖层。通过施加组合能形成与第一掩模图案离子组合的组合覆盖层（135）。在第一掩模上的组合覆盖层之间形成由比组合封盖层的溶解度低的溶解度的材料制成的第二掩模层（140）。通过用溶剂去除第二掩模层的上侧和组合覆盖层来形成第二掩模图案。

3. 发明公开

KR1020100079948A 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：使用嵌段共聚物形成精细图案的方法
公开(公告)号：KR1020100079948A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080138549
申请日：2008-12-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤동기 , 이시용 , 오석환 , 김경선 , 김상욱 , 박승학
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0002 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/405 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/0276
摘要： PURPOSE: A fine pattern forming method using the block copolymer forms the self-assembly structure of the block copolymer on the exposing surface of the organic guide layer and upper side of the photoresist pattern. The micro-pattern formed into the iteratively structure of the fine pitch is manufactured easily. CONSTITUTION: An organic guide layer(120) is formed on the substrate(100). The photoresist pattern is formed on the organic guide layer. The material layer including the block copolymer above the exposed portion of the organic guide layer and photoresist pattern is formed. The micro-pattern layer in which a plurality of first blocks(140A) and plurality of second blocks(140B) is respectively by turns arranged repetition is formed. The organic guide layer is included of the organic anti-reflection coating or the HMDS film.
摘要翻译：目的：使用嵌段共聚物的精细图案形成方法在有机引导层的曝光表面和光致抗蚀剂图案的上侧形成嵌段共聚物的自组装结构。形成为细间距的迭代结构的微图案容易制造。构成：在基板（100）上形成有机引导层（120）。光致抗蚀剂图案形成在有机引导层上。形成包含在有机引导层的暴露部分上方的嵌段共聚物和光致抗蚀剂图案的材料层。形成多个第一块（140A）和多个第二块（140B）分别重复布置的微图案层。有机引导层包括有机防反射涂层或HMDS膜。

4. 发明公开

KR1020100016747A 포토리소그래피 장비의 초점 변화 계측 방법 无效
标题翻译：测量光刻设备焦点变化的方法
公开(公告)号：KR1020100016747A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：KR1020080076354
申请日：2008-08-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 허진석 , 오석환 , 여정호
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70641 , G03F1/38
摘要： PURPOSE: A method for measuring focus variation of a photolithography device is provided to measure the focus variation using a pattern with low focus depth. CONSTITUTION: A mask pattern with the lowest focus depth is selected among a plurality of mask patterns(ST100). All spot regions are exposed on a wafer using the selected mask pattern(ST102). The focus variation of the photolithography device is measured using the information obtained from the exposed shot regions(ST112).
摘要翻译：目的：提供一种用于测量光刻设备的聚焦变化的方法，以使用具有低聚焦深度的图案来测量聚焦变化。构成：在多个掩模图案中选择具有最低聚焦深度的掩模图案（ST100）。使用所选择的掩模图案将所有斑点区域暴露在晶片上（ST102）。使用从曝光的拍摄区域获得的信息来测量光刻设备的聚焦变化（ST112）。

5. 发明授权

KR100663347B1 중첩도 측정마크를 갖는 반도체소자 및 그 형성방법 有权
标题翻译：具有覆盖测量标记的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100663347B1
公开(公告)日：2007-01-02
申请号：KR1020040109903
申请日：2004-12-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 고차원 , 우상균 , 오석환 , 여기성 , 강현재 , 신장호
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/66
CPC分类号： H01L23/544 , G03F7/70633 , G03F9/7076 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 중첩도 측정마크를 갖는 반도체소자 및 그 형성방법이 제공된다. 상기 반도체소자는 반도체기판 상에 스크라이브 라인 영역을 구비한다. 상기 스크라이브 라인 영역에 라인 공간 패턴들로 구성된 제 1 그룹 및 제 2 그룹을 갖는 제 1 어미자층이 배치된다. 상기 제 1 그룹의 라인 공간 패턴들의 공간 영역들 상에 라인 형태의 제 2 어미자 패턴들이 배치된다. 상기 제 2 그룹의 라인 공간 패턴들의 공간 영역들 상에 라인 형태의 아들자 패턴들이 배치된다. 이 방법은 반도체기판 상에 라인 공간 패턴들로 구성된 제 1 그룹 및 제 2 그룹을 갖는 제 1 어미자층을 형성한다. 상기 제 1 그룹의 라인 공간 패턴들의 공간 영역들 상에 라인 형태의 제 2 어미자 패턴들을 형성한다. 상기 제 2 그룹의 라인 공간 패턴들의 공간 영역들 상에 라인 형태의 아들자 패턴들을 형성한다.
중첩도 측정마크, 어미자, 아들자, 라인 공간 패턴, 보호막 링

6. 发明授权

KR100634437B1 반도체 소자 제조용 마스크 및 그 제조방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的掩模及其制造方法
公开(公告)号：KR100634437B1
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：KR1020040079042
申请日：2004-10-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이두열 , 오석환 , 여기성 , 우상균 , 이숙 , 박주온 , 정성곤
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70466 , G03F1/00
摘要： 반도체 소자 제조용 마스크 및 그 제조방법을 제공한다. 이 마스크 세트는 제 1 하프톤 패턴이 형성되어 상기 제 1 패턴 영역을 정의하는 제 1 노광 영역을 포함하는 제 1 마스크 레이어와, 바이너리 패턴 및 제 2 하프톤 패턴이 형성되어 상기 제 2 패턴 영역을 정의하는 제 2 노광 영역을 포함하는 제 2 마스크 레이어를 포함한다. 바이너리 패턴과 하프톤 패턴으로 구성된 제 2 마스크 레이어를 사용함으로써 제 1 마스크 레이어를 사용하여 1차 노광한 후 하프톤막과 차광막의 오정렬 및 레지스트레이션으로 인해 유발되는 1차 노광의 이상 노광을 2차 노광에서 보정할 수 있다.

7. 发明公开

KR1020060103651A 반도체 소자 제조용 포토레지스트 패턴 형성 방법 无效
标题翻译：形成用于制造半导体器件的电阻图案的方法
公开(公告)号：KR1020060103651A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：KR1020050025469
申请日：2005-03-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이두열 , 이석주 , 조한구 , 오석환 , 정성곤 , 우상균
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70433
摘要： 본 발명은 포토리소그래피의 세정 또는 건조 공정에서 발생하는 포토레지스트의 붕괴 (collapse) 특성을 억제하도록, 실제 소자 패턴과 함께 보조 패턴을 형성하는 반도체 소자 제조용 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 개시한다. 본 발명은 기판 상에 포토레지스트층을 도포하는 단계; 적어도 하나 이상의 소자 패턴과 상기 소자 패턴에 인접하는 보조 패턴을 포함하는 포토마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층을 노광하는 단계; 및 상기 노광된 포토레지스트층을 현상하여 상기 기판 상에 적어도 하나 이상의 소자 패턴과 상기 소자 패턴에 인접하는 보조 패턴을 포함하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조용 포토레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
포토레지스트 패턴, 붕괴 (collapse), 만곡 (meniscus), 현상액, 세정액, 표면장력

8. 发明公开

KR1020050003141A 콘택 패턴용 포토 마스크 无效
标题翻译：形成联系方式的图片，以改善主图形边缘部分的轮廓
公开(公告)号：KR1020050003141A
公开(公告)日：2005-01-10
申请号：KR1020030043277
申请日：2003-06-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김대중 , 서전석 , 오석환
IPC分类号： G03F1/38 , G03F1/36
摘要： PURPOSE: A photomask for forming contact patterns is provided to correct proximity effect by unifying the light strength on both of the center and the edge part of the main pattern, and thus to improve the profile of the edge part of the main pattern. CONSTITUTION: The photomask for forming contact pattern comprises main patterns(540) to define light exposure area where transfer of pattern to a semiconductor substrate is occurred, and at least one auxiliary pattern(500), which is aligned on the extended center lines of the main patterns and has a width as much as the transfer of pattern to the semiconductor substrate is not occurred.
摘要翻译：目的：提供用于形成接触图案的光掩模，以通过统一主图案的中心和边缘部分上的光强度来校正邻近效应，从而改善主图案的边缘部分的轮廓。构成：用于形成接触图案的光掩模包括主图案（540），以限定发生向半导体基板的图案转印的曝光区域，以及至少一个辅助图案（500），其在主要图案并且具有与图案向半导体衬底的转印不同的宽度。

9. 发明公开

KR1020030089911A 반도체 장치의 제조에 사용되는 포토 마크 无效
标题翻译：制造半导体器件的照片标记
公开(公告)号：KR1020030089911A
公开(公告)日：2003-11-28
申请号：KR1020020027822
申请日：2002-05-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오석환 , 신혜수
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: A photo mark for manufacturing a semiconductor device is provided to be capable of simultaneously measuring overlay and focus. CONSTITUTION: A photo mark comprises a main scale(10) and a vernier(20). The main scale(10) having rectangle shape is formed at a scribe region of a semiconductor wafer. The vernier(20) having rectangle shape is formed in the main scale(10). The vernier(20) is provided with a plurality of lines(22) spaced apart from each other and a plurality of spaces(24).
摘要翻译：目的：制造半导体器件的照片标记能够同时测量覆盖和聚焦。构成：照片标记包括主刻度（10）和游标（20）。具有矩形形状的主刻度（10）形成在半导体晶片的划线区域。具有矩形形状的游标（20）形成在主刻度（10）中。游标（20）设置有彼此间隔开的多个线（22）和多个空间（24）。

10. 发明公开

KR1020030043214A 스캔 노광장치 및 그 제어방법 无效
标题翻译：扫描曝光装置及其控制方法
公开(公告)号：KR1020030043214A
公开(公告)日：2003-06-02
申请号：KR1020010074282
申请日：2001-11-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오석환
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70358 , G03F7/70341 , G03F7/70558 , G03F7/70716 , G03F7/70791
摘要： PURPOSE: A scan exposure apparatus and a method for controlling the exposure of the scan exposure apparatus are provided, to improve the critical dimension uniformity by controlling the scanning velocity according to the distribution of critical dimension of a mask. CONSTITUTION: The scan exposure apparatus comprises a light source(10); an optical system for converting the light from the light source into the form for exposure; a mask(14) where the light passed through the optical system passes in a certain pattern; a mask stage(20) where the mask is received and which is operated in scan direction; a substrate(16) where a certain pattern is formed by the transcription of light passed the mask in pattern form; a substrate stage(30) where the substrate is received and which is operated in scan direction; and a driving part(40) which supplies power to the mask stage and the substrate and controls the velocity of the mask stage and the substrate stage.
摘要翻译：目的：提供一种用于控制扫描曝光装置的曝光的扫描曝光装置和方法，以通过根据掩模的临界尺寸分布控制扫描速度来改善临界尺寸均匀性。构成：扫描曝光装置包括光源（10）; 用于将来自光源的光转换成用于曝光的形式的光学系统; 通过光学系统的光通过某种图案的掩模（14）; 掩模台（20），其中所述掩模被接收并且在扫描方向上操作; 通过以图案形式通过掩模的光的转录形成某种图案的衬底（16）; 衬底台（30），其中所述衬底被接收并且在扫描方向上操作; 以及向掩模台和基板供电并控制掩模台和基板台的速度的驱动部（40）。

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