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41. 发明公开

KR1020060062425A 마이크로스트립 패치 안테나 제조방법 失效
标题翻译：微波贴片天线的制造方法
公开(公告)号：KR1020060062425A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040101258
申请日：2004-12-03
申请人： 한국전자통신연구원 , 한국과학기술원
发明人： 표철식 , 하만륜 , 권영세 , 조용희
IPC分类号： H01Q11/16
摘要： 본 발명은 무선통신 기술에 관한 것으로, 특히 초소형 안테나 제작 기술에 관한 것이며, 더 자세히는 표면 미소 구조체 가공기술(Surface Micromachining)을 이용한 마이크로스트립 패치 안테나 제작 기술에 관한 것이다. 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 다중화, 광대역화 특성을 가진 마이크로스트립 패치 안테나 제조방법과, 상기의 마이크로스트립 패치 안테나와 초고주파 신호처리 집적회로를 효율적으로 집적할 수 있는 다중칩 집적 모듈 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명에서는 마이크로스트립 패치 안테나의 광대역화(밀리미터파 대역(30GHz 이상)) 방안으로 기판의 유효유전율을 최소화하는 방식을 채택하였다. 즉, MEMS 기술 중의 하나인 표면 미소 구조체 가공기술(Surface Micromachining)을 이용하여 금속기둥 상단에 패치를 형성하여 공기(εr,
air =1) 중에 부양시켰다. 또한, 본 발명에서는 리액티브 로딩(Reactive loading) 방식 - 쇼트키 콘택 가변 캐패시터와 금속기둥 내의 인덕턴스를 이용 - 을 적용하여 다중/광대역화를 유도하고 있으며, 이렇게 해서 형성된 마이크로스트립 전자기 접속 피딩 방식의 패치 안테나를 동일한 고저항 실리콘 기판(εr,
HRS =11.8) 위에 초고주파 신호처리 집적회로 모듈들과 동시에 집적함으로써 다중칩 집적 모듈의 집적도를 높일 수 있다.
마이크로스트립 패치 안테나, 표면 미소 구조체 가공기술, 쇼트키 콘택 가변 캐패시터, 고저항 실리콘 기판, 광대역

42. 发明公开

KR1020040047279A 양자선 채널 ＦＥＴ의 양자선 제조 방법 失效
标题翻译：量子线通道FET量子线的制作方法
公开(公告)号：KR1020040047279A
公开(公告)日：2004-06-05
申请号：KR1020020075432
申请日：2002-11-29
申请人： 한국과학기술원
发明人： 차정호 , 권영세
IPC分类号： H01L29/775
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a quantum wire of a quantum wire channel FET(field effect transistor) is provided to simplify a fabricating process and increase a production rate by omitting a recrystallization growth process or an EBLS(electron beam lithography system). CONSTITUTION: An etch stop layer, a sacrificial layer and an etch mask layer are sequentially grown on a substrate. The etch mask layer is patterned and etched. By using the material characteristic according to a lattice direction, the sacrificial layer is etched to be a type in which the shorter side of a trapezoid faces downward. The etch stop layer is etched to have the same width as the bottom of the sacrificial layer and to perform a mask process of a quantum wire.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造量子线通道FET（场效应晶体管）的量子线的方法，以通过省略重结晶生长工艺或EBLS（电子束光刻系统）简化制造工艺并提高生产率。构成：在衬底上依次生长蚀刻停止层，牺牲层和蚀刻掩模层。对蚀刻掩模层进行图案化和蚀刻。通过使用根据晶格方向的材料特性，牺牲层被蚀刻成梯形的短边朝下的类型。蚀刻停止层被蚀刻以具有与牺牲层的底部相同的宽度并且执行量子线的掩模处理。

43. 发明授权

KR100277547B1 게이트바이어스회로를이용한공진기의품질계수조절회로와이를이용한주파수가변대역통과필터 失效
标题翻译：采用门极偏置电路和变频带通滤波器的谐振器品质因数控制电路
公开(公告)号：KR100277547B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019980024063
申请日：1998-06-25
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 이종수
IPC分类号： H03H9/00
摘要： 본 발명은 능동 소자인 갈륨-비소 전계 효과 트랜지스터의 게이트 바이어스 회로를 이용하여 공진기의 품질 계수(quality factor, Q-factor)를 조절하여 광대역의 주파수 가변 범위를 가지며 삽입 손실을 최소화 할 수 있도록 한 공진기의 품질 계수 조절 회로와 이를 이용한 주파수 가변 대역 통과 필터에 관한 것으로서, 주파수에 따라 변화하는 등가 병렬 저항을 단순히 바이어스용으로만 사용된 게이트 바이어스 회로를 이용하여 공진기의 품질 계수를 조절하고, 이를 이용하여 중심 주파수 변환 대역 통과 필터를 구성하여 광대역의 주파수 가변 범위를 가지고 삽입 손실을 최소화 할 수 있으며, 또한 전력 소모가 매우 적어서 이동 통신용 고밀도 집적 회로에 용이하게 적용할 수 있는 것이다.

44. 发明公开

KR1019980015648A 선택적 산화막 다공성 실리콘층을 이용한 패키징 방법 失效
标题翻译：封装方法采用选择性氧化物多孔硅层
公开(公告)号：KR1019980015648A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960035061
申请日：1996-08-23
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 남충모
IPC分类号： H01L21/31
摘要： 본 발명은 포토레지스트를 이용하여 선택적으로 산화막 다공성 실리콘층을 형성하는 방법 및 그 응용에 관한 것으로, 포토레지스트를 양극화반응(Anodization)을 위한 마스크로 이용하여 선택적으로 산화막 다공성 실리콘층을 형성하는 방법과 이 방법에 의해 형성된 다공성 실리콘층을 멀티칩 패키징용 기판에 응용하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 선택적 산화막 다공성 실리콘 형성 방법은, 실리콘 기판에 일정 패턴의 포토레지스트를 형성하는 단계와, 형성된 포토레지스트를 마스크로 하여 선택적으로 산화막 다공성 실리콘층을 형성하는 양극화 단계와, 상기 포토레지스트를 제거하는 단계로 구성된다. 기존의 제조방법이 CVD에 의한 절연막 증착 공정이나 이온주입공정을 포함하던 것에 비해, 본 발명에 따른 방법은 단순한 포토리소그라피 기술에 의해 다공성 실리콘층을 형성하기 때문에 공정이 단순해지고 제조원가가 떨어진다. 또한 이 방법으로 형성된 다공성 실리콘층을 멀티칩 패키지용 기판으로 적용하여, 실리콘이 갖는 우수한 열전도특성에 의해 칩에서 발생하는 열을 효율적으로 발산시킬 수 있다.

45. 发明公开

KR1019960030435A 신규한 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：新型双极晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1019960030435A
公开(公告)日：1996-08-17
申请号：KR1019950000788
申请日：1995-01-18
申请人： 한국과학기술원
发明人： 손정환 , 홍성철 , 권영세
IPC分类号： H01L29/70
摘要： 본 발명은 바이폴라 트랜지스터(bipolar transistor) 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 베이스와 콜렉터간의 정전용량이 대폭적으로 감소된 바이폴라 트랜지스터 및 선택적 에피택시 공정을 이용하여 전기 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발병의 바이폴라 트랜지스터는 선택적 에피택시 공정시 에피층의 성장을 방해하도록 단결정 기판(41) 상에 수평방향(단결정기판의 110방향)과 10°내지 40°의 각을 이루면서 유전체 박막으로 형성된 마스크(20); 전기 마스크(20)의 상부에 형성되며 베이스-콜렉터간의 정전용량을 감소시켜 주기 위한 빈 공간(31); 단결정 기판 위에 형성된 서브 콜렉터층(42), 콜렉터층(43), 베이스층(44), 에미터층(45), 및 에미터 캡층(46);및, 에미터 전극(48), 베이스전극(49) 및 콜렉터 전극(47)을 포함하여, 마스크 형성공정, 선택적 에피택시공정, 식각 및 전극형성공정에 의해 제조되고, 본 발명에 의해 콜렉터가 절연기판 내부에 묻히지 않는 구조를 지니면서도 효과적으로 베이스-콜렉터간의 정전용량을 대폭적으로 감소시킴으로써, 동작속도가 향상된 바이폴라 트랜지스터를 간단한 공정에 의해 제조할 수 있다는 것이 확인되었다.

46. 发明授权

KR1019920002092B1 매립형 쇼트키 전극을 이용한 고속 수광소자 失效
标题翻译：使用BURIED SHOTTKY电极的高速摄像器件
公开(公告)号：KR1019920002092B1
公开(公告)日：1992-03-10
申请号：KR1019880015427
申请日：1988-11-23
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 정기웅 , 김상배
IPC分类号： H01L31/08
摘要： The device includes a source (17) and a drain (18). A W electrode gate (19) is formed within a GaAs crystalline layer (21), and an SiO2 oxide layer (20) is formed upon a GaAs substrate (1) and on the opposite sides of the GaAs crystalline layer (21). An AuGe/Ni layer (15) is deposited on the GaAs crystalline layer (21) for realizing an n type contact. When the resistance between the source and the drain is varied due to a light absorption by applying a voltage there, the positive holes which are formed by applying a reverse voltage are pulled through the W electrode, thereby improving the recovery time characteristics of the device.
摘要翻译：该装置包括源（17）和排水（18）。在GaAs结晶层（21）内形成W电极栅极（19），在GaAs衬底（1）和GaAs晶体层（21）的相对侧上形成SiO 2氧化物层（20）。在GaAs晶体层（21）上沉积AuGe / Ni层（15），以实现n型接触。当源极和漏极之间的电阻由于通过在其上施加电压的光吸收而变化时，通过施加反向电压形成的正空穴被拉过W电极，从而提高了器件的恢复时间特性。

47. 发明授权

KR100048173B1 2단계 화학식각법에 의한 레이저 다이오드용 거울면 제작방법 失效
公开(公告)号：KR100048173B1
公开(公告)日：1992-01-21
申请号：KR1019890003619
申请日：1989-03-22
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 유회준
IPC分类号： H01S5/028

48. 发明授权

KR1019900009229B1 선택적 에피택시법에 의한 표면 방출형 AlGaAs/GaAs 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 失效
标题翻译： ALGAAS / GAAS半导体激光二极管制造方法
公开(公告)号：KR1019900009229B1
公开(公告)日：1990-12-24
申请号：KR1019880004868
申请日：1988-04-28
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 유태경
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/18 , Y10S148/026 , Y10S148/095
摘要： 내용 없음.

49. 发明授权

KR100038441B1 지붕형 반사기를 갖는 반도체 레이저 구조 失效
公开(公告)号：KR100038441B1
公开(公告)日：1990-12-19
申请号：KR1019880004001
申请日：1988-04-08
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 채창준
IPC分类号： H01S5/10

50. 发明授权

KR100603594B1 마이크로스트립 패치 안테나 제조방법 失效
标题翻译：微带贴片天线的制造方法
公开(公告)号：KR100603594B1
公开(公告)日：2006-07-24
申请号：KR1020040101258
申请日：2004-12-03
申请人： 한국전자통신연구원 , 한국과학기술원
发明人： 표철식 , 하만륜 , 권영세 , 조용희
IPC分类号： H01Q11/16
摘要： 본 발명은 무선통신 기술에 관한 것으로, 특히 초소형 안테나 제작 기술에 관한 것이며, 더 자세히는 표면 미소 구조체 가공기술(Surface Micromachining)을 이용한 마이크로스트립 패치 안테나 제작 기술에 관한 것이다. 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 다중화, 광대역화 특성을 가진 마이크로스트립 패치 안테나 제조방법과, 상기의 마이크로스트립 패치 안테나와 초고주파 신호처리 집적회로를 효율적으로 집적할 수 있는 다중칩 집적 모듈 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명에서는 마이크로스트립 패치 안테나의 광대역화(밀리미터파 대역(30GHz 이상)) 방안으로 기판의 유효유전율을 최소화하는 방식을 채택하였다. 즉, MEMS 기술 중의 하나인 표면 미소 구조체 가공기술(Surface Micromachining)을 이용하여 금속기둥 상단에 패치를 형성하여 공기(εr,
air =1) 중에 부양시켰다. 또한, 본 발명에서는 리액티브 로딩(Reactive loading) 방식 - 쇼트키 콘택 가변 캐패시터와 금속기둥 내의 인덕턴스를 이용 - 을 적용하여 다중/광대역화를 유도하고 있으며, 이렇게 해서 형성된 마이크로스트립 전자기 접속 피딩 방식의 패치 안테나를 동일한 고저항 실리콘 기판(εr,
HRS =11.8) 위에 초고주파 신호처리 집적회로 모듈들과 동시에 집적함으로써 다중칩 집적 모듈의 집적도를 높일 수 있다.
마이크로스트립 패치 안테나, 표면 미소 구조체 가공기술, 쇼트키 콘택 가변 캐패시터, 고저항 실리콘 기판, 광대역
摘要翻译：本发明涉及，并且无线通信技术的更特别紧凑的天线的制造技术，更详细地说，由表面技术微加工技术（表面微机械加工）制造的微带贴片天线。本发明被有效地集成在微带贴片天线的制造方法，其包括：微带贴片天线，并用通过多路复用高频信号处理集成电路，宽带表征提出以解决现有技术中的问题本发明提供了一种用于制造多芯片集成模块的方法。在本发明中它通过宽带方案应用于所述基板的所述有效介电常数（毫米波带（超过30GHz的））的微带贴片天线的方案最小化。也就是说，使用作为MEMS技术之一的表面微机械加工在金属柱的上表面上形成贴片，

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