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41. 发明专利

TWI369408B 電漿成膜裝置及膜的製法有权
简体标题：等离子成膜设备及膜的制法
公开(公告)号：TWI369408B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW096124737
申请日：2007-07-06
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：森脇崇行 , 齋藤友康 , 佐佐木雅夫 , 中河原均
IPC分类号： C23C , G02F
CPC分类号： C23C14/081 , C23C14/28 , C23C14/46
摘要：本發明的電漿成膜裝置，係具有：
電漿槍，其係照射電漿射束；及
磁石，其係將磁場適用於從該電漿槍所照射的電漿射束，而使該電漿射束的射束剖面變形成大略長方形或橢圓形狀，
其特徵為：
具備複數個引入磁石單元，其係使上述射束剖面被變形的電漿射束偏向，而使該偏向的電漿射束照射於被照射體，
在上述引入磁石單元配置有：被配置於上述被照射體的背面側的第1磁石、及與上述第1磁石同磁極的第2磁石，且上述第1磁石與上述第2磁石會在互相分開的狀態下並置。
简体摘要：本发明的等离子成膜设备，系具有：等离子枪，其系照射等离子射束；及磁石，其系将磁场适用于从该等离子枪所照射的等离子射束，而使该等离子射束的射束剖面变形成大略长方形或椭圆形状，其特征为：具备复数个引入磁石单元，其系使上述射束剖面被变形的等离子射束偏向，而使该偏向的等离子射束照射于被照射体，在上述引入磁石单元配置有：被配置于上述被照射体的背面侧的第1磁石、及与上述第1磁石同磁极的第2磁石，且上述第1磁石与上述第2磁石会在互相分开的状态下并置。

42. 发明专利

TW201209879A 電漿處理裝置及裝置的製造方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及设备的制造方法
公开(公告)号：TW201209879A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100106199
申请日：2011-02-24
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：松橋亮 , 赤坂洋 , 小平吉三 , 關口敦 , 松井尚子
IPC分类号： H01J , H05H
摘要：本發明是在於減少來自放電容器中所產生的電漿之損傷,使放電容器的更換周期長期化。本發明的電漿處理裝置(1)係具備:處理室(2),其係區劃處理空間;放電容器(3),其係一端面臨處理室(2)的內部而開口,另一端被閉塞;天線(4),其係配置於放電容器(3)的周圍,使發生感應電場,在減壓下的放電容器(3)的內部產生電漿;及電磁石(9),其係配置於放電容器(3)的周圍,在放電容器(3)的內部形成散發磁場,在放電容器(3)的閉塞端部形成有朝處理室側突出的突出部(15)。
简体摘要：本发明是在于减少来自放电容器中所产生的等离子之损伤,使放电容器的更换周期长期化。本发明的等离子处理设备(1)系具备:处理室(2),其系区划处理空间;放电容器(3),其系一端面临处理室(2)的内部而开口,另一端被闭塞;天线(4),其系配置于放电容器(3)的周围,使发生感应电场,在减压下的放电容器(3)的内部产生等离子;及电磁石(9),其系配置于放电容器(3)的周围,在放电容器(3)的内部形成散发磁场,在放电容器(3)的闭塞端部形成有朝处理室侧突出的突出部(15)。

43. 发明专利

TW201205872A 磊晶膜形成方法、真空處理裝置、半導體發光元件之製造方法、半導體發光元件、照明裝置审中-公开
简体标题：磊晶膜形成方法、真空处理设备、半导体发光组件之制造方法、半导体发光组件、照明设备
公开(公告)号：TW201205872A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100114299
申请日：2011-04-25
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：醍醐佳明 , 石橋啟次
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/007 , C23C16/4586 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/18
摘要：本發明是提供一種可將由+c極性的III族氮化物半導體製成的磊晶膜利用濺鍍法來製作的磊晶膜形成方法、以及適合於該磊晶膜形成方法的真空處理裝置。本發明之一實施形態是針對使用加熱器(103)加熱到任意溫度的��-Al2O3基板(107),利用濺鍍法使III族氮化物半導體薄膜成長磊晶成長。首先,��-Al2O3基板(107)是以與加熱器(103)只差距既定距離d2而配置的方式,將��-Al2O3基板(107)配置在設有加熱器(103)的基板夾具(99)。接著,在��-Al2O3基板(107)為與加熱器(103)只差距既定距離d2而配置的狀態下,將III族氮化物半導體薄膜的磊晶膜形成在��-Al2O3基板(107)上。
简体摘要：本发明是提供一种可将由+c极性的III族氮化物半导体制成的磊晶膜利用溅镀法来制作的磊晶膜形成方法、以及适合于该磊晶膜形成方法的真空处理设备。本发明之一实施形态是针对使用加热器(103)加热到任意温度的��-Al2O3基板(107),利用溅镀法使III族氮化物半导体薄膜成长磊晶成长。首先,��-Al2O3基板(107)是以与加热器(103)只差距既定距离d2而配置的方式,将��-Al2O3基板(107)配置在设有加热器(103)的基板夹具(99)。接着,在��-Al2O3基板(107)为与加热器(103)只差距既定距离d2而配置的状态下,将III族氮化物半导体薄膜的磊晶膜形成在��-Al2O3基板(107)上。

44. 发明专利

TW201203431A 托盤式基板搬送系統、成膜方法及電子裝置之製造方法审中-公开
简体标题：托盘式基板搬送系统、成膜方法及电子设备之制造方法
公开(公告)号：TW201203431A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100104210
申请日：2011-02-09
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：松井雅浩
IPC分类号： H01L
摘要：本發明是即使對於移載基板時的托盤的基板移載機構的精度低時，對於托盤也可將基板經常穩定地予以保持，而抑制發生來自搬送基板時的托盤的基板的錯位、破損、脫落。在本發明的一實施形態中，於第一托盤(106)裝載有基板(102)之際，給壓機構對基板(102)給予壓力而作成第一托盤(106)保持基板(102)之狀態，而將該第一托盤(106)裝設於第二托盤(107)，俾將第二托盤(107)作成傾斜姿勢，以搬送機構搬送至製程腔(109)。在製程腔(109)中，在減壓下氣體被導入，而於基板(102)上堆積薄膜。
简体摘要：本发明是即使对于移载基板时的托盘的基板移载机构的精度低时，对于托盘也可将基板经常稳定地予以保持，而抑制发生来自搬送基板时的托盘的基板的错位、破损、脱落。在本发明的一实施形态中，于第一托盘(106)装载有基板(102)之际，给压机构对基板(102)给予压力而作成第一托盘(106)保持基板(102)之状态，而将该第一托盘(106)装设于第二托盘(107)，俾将第二托盘(107)作成倾斜姿势，以搬送机构搬送至制程腔(109)。在制程腔(109)中，在减压下气体被导入，而于基板(102)上堆积薄膜。

45. 发明专利

TW201202461A 磁控管濺鍍裝置及濺鍍方法审中-公开
简体标题：磁控管溅镀设备及溅镀方法
公开(公告)号：TW201202461A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100108997
申请日：2011-03-16
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：佐佐木雅夫
IPC分类号： C23C
摘要：磁控管濺鍍裝置之磁石單元，係具備有內側磁石、和外側磁石、和將該些作固定之非磁性體、以及將內側磁石和外側磁石之磁極作連接的軛。軛，係具備有板狀之形狀，並藉由與被配列成矩形狀之外側磁石的長邊方向相正交之面而被分割成複數個，並且，被作了分割之各個的軛，係可作交換。
简体摘要：磁控管溅镀设备之磁石单元，系具备有内侧磁石、和外侧磁石、和将该些作固定之非磁性体、以及将内侧磁石和外侧磁石之磁极作连接的轭。轭，系具备有板状之形状，并借由与被配列成矩形状之外侧磁石的长边方向相正交之面而被分割成复数个，并且，被作了分割之各个的轭，系可作交换。

46. 发明专利

TW201101412A 托盤，托盤支撐構件，及真空處理裝置 TRAY, TRAY SUPPORT MEMBER, AND VACUUM PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：托盘，托盘支撑构件，及真空处理设备 TRAY, TRAY SUPPORT MEMBER, AND VACUUM PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW201101412A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099104444
申请日：2010-02-11
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：廣見太一 , 村上匡章
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68721 , H01L21/68728
摘要：可將可固持基板的托盤固持於真空容器內的預定位置的夾頭包含可直立地移動的框架、及從框架朝向托盤延伸且可支撐托盤的臂部。臂部包含支靠於托盤的支撐部份、及形成在支撐部份面向框架之側的柱坑部份。此結構可減小托盤的翹曲。
简体摘要：可将可固持基板的托盘固持于真空容器内的预定位置的夹头包含可直立地移动的框架、及从框架朝向托盘延伸且可支撑托盘的臂部。臂部包含支靠于托盘的支撑部份、及形成在支撑部份面向框架之侧的柱坑部份。此结构可减小托盘的翘曲。

47. 发明专利

TW201001458A 磁阻元件之製造方法、濺鍍成膜處理室、具有濺鍍成膜處理室之磁阻元件之製造裝置、程式、記憶媒體审中-公开
简体标题：磁阻组件之制造方法、溅镀成膜处理室、具有溅镀成膜处理室之磁阻组件之制造设备、进程、记忆媒体
公开(公告)号：TW201001458A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098105280
申请日：2009-02-19
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：恆川孝二 , 細谷裕之 , 永峰佳紀 , 古川真司 , 渡邊直樹
IPC分类号： H01F , C23C , G11B
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C14/225 , C23C14/3464 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/18 , H01F41/302 , H01L43/12
摘要：將在旋轉閥型之通道磁阻元件或是巨大磁阻元件中的磁性層之磁性向異性提升。將磁性層之成膜，藉由將濺鍍粒子對於基板而從一定之入射方向來以一定之入射角度而傾斜入射，而進行之。
简体摘要：将在旋转阀型之信道磁阻组件或是巨大磁阻组件中的磁性层之磁性向异性提升。将磁性层之成膜，借由将溅镀粒子对于基板而从一定之入射方向来以一定之入射角度而倾斜入射，而进行之。

48. 发明专利

TW200905775A 真空處理裝置失效
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TW200905775A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW097111030
申请日：2008-03-27
申请人：佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION
发明人：野上裕 NOGAMI, HIROSHI
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01J37/32422 , C23C16/45565 , C23C16/509 , H01J37/32091 , H01J37/32587
摘要：在真空處理容器之內部設置具有多數貫通孔之導電性之隔壁部,真空處理容器之內部空間被隔離成以對於上述隔壁部成為對向電極之方式配置高頻電極之電漿生成空間,和配置基板之基板處理空間而所構成之真空處理裝置,具備有在真空處理容器之側壁部與電漿生成空間連通之氣體貯存部;和與氣體貯存部連接,將氣體導入至該氣體貯存部之氣體導入系統。
简体摘要：在真空处理容器之内部设置具有多数贯通孔之导电性之隔壁部,真空处理容器之内部空间被隔离成以对于上述隔壁部成为对向电极之方式配置高频电极之等离子生成空间,和配置基板之基板处理空间而所构成之真空处理设备,具备有在真空处理容器之侧壁部与等离子生成空间连通之气体贮存部;和与气体贮存部连接,将气体导入至该气体贮存部之气体导入系统。

49. 发明专利

TW200723429A 晶圓保持器 WAFER HOLDER 审中-公开
简体标题：晶圆保持器 WAFER HOLDER
公开(公告)号：TW200723429A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW095104424
申请日：2006-02-09
申请人：佳能安內華股份有限公司 CANON ANELVA CORPORATION
发明人：威克拉瑪納雅卡蘇尼爾 SUNIL, WICKRAMANAYAKA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68735 , C23C14/04 , C23C14/225 , C23C14/50 , C23C14/505 , H01J37/3417 , H01L21/67103 , H01L21/67109
摘要：本發明之目的係提供晶圓保持器,其包含在其上面載入晶圓之晶圓架台及圍繞該晶圓架台之晶圓架台外環,並使用於電漿處理室中,用於減少邊緣排除區域(EE),同時防止晶圓背部污染。一晶圓保持器包含晶圓架台及圍繞該晶圓架台之晶圓架台外環,其中該晶圓架台之直徑小於載入在該晶圓架台上之直徑,該晶圓架台外環在該外環的上側面具有一內徑,該內徑係大於載入在該晶圓架台上之晶圓的直徑,及該外環之上表面位在該晶圓架台上所載入晶圓之上表面上方。
简体摘要：本发明之目的系提供晶圆保持器,其包含在其上面加载晶圆之晶圆架台及围绕该晶圆架台之晶圆架台外环,并使用于等离子处理室中,用于减少边缘排除区域(EE),同时防止晶圆背部污染。一晶圆保持器包含晶圆架台及围绕该晶圆架台之晶圆架台外环,其中该晶圆架台之直径小于加载在该晶圆架台上之直径,该晶圆架台外环在该外环的上侧面具有一内径,该内径系大于加载在该晶圆架台上之晶圆的直径,及该外环之上表面位在该晶圆架台上所加载晶圆之上表面上方。

50. 发明专利

TWI699140B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI699140B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW107119404
申请日：2018-06-06
申请人：日商佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：井上忠 , INOUE, TADASHI , 田名部正治 , TANABE, MASAHARU , 関谷一成 , SEKIYA, KAZUNARI , 笹本浩 , SASAMOTO, HIROSHI , 佐藤辰憲 , SATO, TATSUNORI , 土屋信昭 , TSUCHIYA, NOBUAKI
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/36 , H01J37/34

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